半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明专利技术的课题在于提供：在对衬底交替供给第一处理气体和第二处理气体的等离子体的循环处理的情况下，能够良好地实施对该衬底的处理的技术。本发明专利技术的解决手段为提供下述技术，该技术具有下述工序：第一工序，向收容有衬底的状态的处理空间供给第一处理气体、并且作为第一处理气体的载气而使用非活性气体；和第二工序，向收容有衬底的状态的处理空间供给第二处理气体的等离子体、并且作为第二处理气体的载气而使用活性辅助气体。

Manufacturing method of semiconductor device, substrate processing device and recording medium

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，有时通过实施向晶片等衬底交替供给原料气体等第一处理气体、和反应气体等第二处理气体的等离子体的循环处理，从而对该衬底实施成膜处理等处理(例如，参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-92533号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术提供一种能够良好地对衬底实施处理的技术。用于解决课题的手段根据一个方案，提供一种技术，其具有下述工序：第一工序，其中，向收容有衬底的状态的处理空间供给第一处理气体、并且作为所述第一处理气体的载气而使用非活性气体；和第二工序，其中，向收容有所述衬底的状态的所述处理空间供给第二处理气体的等离子体、并且作为所述第二处理气体的载气而使用活性辅助气体。专利技术效果根据本专利技术涉及的技术，能够良好地对衬底实施处理。附图说明图1：为示意性地示出本专利技术的一个实施方式涉及的衬底处理装置的构成例的侧剖面图。图2：为示意性地示出本专利技术的一个实施方式涉及的衬底处理装置所具有的控制器的构成例的框图。图3：为示出本专利技术的一个实施方式涉及的衬底处理装置中实施的成膜工序的基本步骤的流程图。图4：为本专利技术的一个实施方式涉及的衬底处理装置中实施的成膜工序的第一处理模式(pattern)的例子的表图。图5：为示出本专利技术的一个实施方式涉及的衬底处理装置中实施的成膜工序的第二处理模式的例子的表图。图6：为示出本专利技术的一个实施方式涉及的衬底处理装置中实施的成膜工序的第三处理模式的例子的表图。附图标记说明100…衬底处理装置，200…晶片(衬底)，202…腔室，205…处理空间，210…衬底支承部，212…衬底载置台，230…簇射头，231a…气体导入孔，241…第一分散机构，242…共用气体供给管，243…第一气体供给系统，243a…第一气体供给管，243b…第一气体供给源，243c…质量流量控制器(MFC)，243d…阀，244…第二气体供给系统，244a…第二气体供给管，244b…第二气体供给源，244c…质量流量控制器(MFC)，244d…阀，244e…远程等离子单元(RPU)，246a…第一非活性气体供给管，246b…非活性气体供给源，246c…质量流量控制器(MFC)，246d…阀，247a…活性辅助气体供给管，247b…活性辅助气体供给源，247c…质量流量控制器(MFC)，247d…阀，280…控制器具体实施方式＜本专利技术的一个实施方式＞以下，参照附图，对本专利技术的一个实施方式进行说明。(1)衬底处理装置的构成首先，对本专利技术的一个实施方式涉及的衬底处理装置的构成进行说明。本实施方式涉及的衬底处理装置是在半导体器件的制造工序中使用的装置，并且构成为对作为处理对象的衬底每次处理一张的单片式的衬底处理装置。作为成为处理对象的衬底，可举出例如制作形成有半导体集成电路装置(半导体器件)的半导体晶片衬底(以下，简称为“晶片”。)。另外，作为衬底处理装置实施的处理，包括例如氧化处理、扩散处理、用于离子注入后的载体活化、平坦化的回流(reflow)、退火、成膜处理等。在本实施方式中，特别举出实施成膜处理的情况作为例子。以下，参照图1，对本实施方式涉及的衬底处理装置的构成进行说明。图1为示意性地示出本实施方式涉及的衬底处理装置的构成例的侧剖面图。(腔室)如图1所示，衬底处理装置100具备作为处理容器的腔室202。腔室202构成为例如横剖面为圆形、且扁平的密闭容器。另外，腔室202由例如铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料构成。在腔室202内，形成有对作为衬底的硅晶片等晶片200进行处理的处理空间205、和当将晶片200向处理空间205搬送时供晶片200通过的搬送空间206。腔室202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间，设置有分隔板208。在下部容器202b的侧面，设置有与闸阀149邻接的衬底搬入搬出口148，晶片200经由该衬底搬入搬出口148而在下部容器202b与未图示的搬送室之间移动。在下部容器202b的底部，设置有多个提升销207。此外，下部容器202b接地。闸阀149具有阀体149a和驱动体149b。阀体149a固定于驱动体149b的一部分。当打开闸阀149时，驱动体149b以从腔室202远离的方式动作，从而使阀体149a从腔室202的侧壁离开。当关闭闸阀时，驱动体149b朝向腔室202而动作，由此，将阀体149a向腔室202的侧壁推压从而关闭。在处理空间205内，设置有支承晶片200的衬底支承部210。衬底支承部210主要具有：载置晶片200的衬底载置面211、在表面具有衬底载置面211的衬底载置台212、和内置于衬底载置台212的作为加热源的加热器213。在衬底载置台212中，供提升销207贯通的贯通孔214分别设置于与提升销207对应的位置。在加热器213上，连接有对加热器213的温度进行控制的温度控制部220。衬底载置台212通过轴217而被支承。轴217的支承部贯通被设置在腔室202的底壁的孔215，进而经由支承板216而在腔室202的外部连接于升降机构218。另外，通过使升降机构218工作从而使轴217及衬底载置台212升降，由此，能够使载置于衬底载置面211上的晶片200升降。需要说明的是，轴217下端部的周围被波纹管219覆盖。由此，腔室202内被气密地保持。当搬送晶片200时，衬底载置台212下降至衬底载置面211与衬底搬入搬出口148相对的位置。另外，当处理晶片200时，如图1所示，其上升至使得晶片200处于处理空间205内的处理位置。具体而言，当使衬底载置台212下降至晶片搬送位置时，提升销207的上端部从衬底载置面211的上表面突出，从而处于提升销207从下方支承晶片200的状态。另外，当使衬底载置台212上升至晶片处理位置时，提升销207从衬底载置面211的上表面埋没，从而处于衬底载置面211从下方支承晶片200的状态。需要说明的是，提升销207由于与晶片200直接接触，因此，期望由例如石英、氧化铝等材质形成。(簇射头)在处理空间205的上部(上游侧)，设置有作为气体分散机构的簇射头230。在簇射头230的盖231上，设置有供第一分散机构241插入的贯通孔231a。第一分散机构241具有插入于簇射头内的前端部241a、和固定于盖231的凸缘241b。前端部241a为柱状的，例如构成为圆柱状。在圆柱的侧面设置有分散孔。从后述的腔室的气体供给部(供给系统)供给的气体经由前端部241a而被供给至缓冲空间232。簇射头230具备用于将气体分散的作为第二分散机构的分散板234。该分散板234的上游侧为缓冲空间232，下游侧为处理空间205。在分散板234上，设置有多个贯通孔234a。分散板234以与衬底载置面211对置的方式配置。在盖231上，设置有对簇射头230进行加热的簇射头加热部231b。簇射头加热部231b加热至被供给至缓冲空间232的气体不重新液化的温度。例如，以加热至100℃左右的方式被控制。分散板234构成为例如圆盘状。贯通孔234a遍及分散板234的整个面而设置。邻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：第一工序，其中，向收容有衬底的状态的处理空间供给第一处理气体、并且作为所述第一处理气体的载气而使用非活性气体；和第二工序，其中，向收容有所述衬底的状态的所述处理空间供给第二处理气体的等离子体、并且作为所述第二处理气体的载气而使用活性辅助气体。

【技术特征摘要】
2018.02.06 JP 2018-0192451.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：第一工序，其中，向收容有衬底的状态的处理空间供给第一处理气体、并且作为所述第一处理气体的载气而使用非活性气体；和第二工序，其中，向收容有所述衬底的状态的所述处理空间供给第二处理气体的等离子体、并且作为所述第二处理气体的载气而使用活性辅助气体。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述第二工序中，使所述处理空间内与其他工序相比成为低压，从而实施所述第二处理气体的供给。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述第二工序中，在开始向所述处理空间供给等离子体状态的所述活性辅助气体后，开始向所述处理空间供给所述第二处理气体。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，实施将所述第一工序与所述第二工序重复进行的循环处理。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一处理气体为原料气体，所述第二处理气体为反应气体或改性气体。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，所述非活性气体为N2气体，所述活性辅助气体为Ar气体。7.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一处理气体为原料气体，所述第二处理气体为反应气体或改性气体。8.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述非活性气体为N2气体，所述活性辅助气体为Ar气体。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述第二工序中，在开始向所述处理空间供给等离子体状态的所述活性辅助气体后，开始向所述处理空间供给所述第二处理气体。10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，实施将所述第一工序与所述第二工序重复进行的循环处理。11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一处理气体为原料气体，所述第二处理气体为反应气体或改性气体。12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：镰仓司，盛满和广，板谷秀治，西谷英辅，松井俊，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP