【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
1、在半导体器件(元器件)的制造工序中的衬底处理中，例如，使用一并处理多张衬底的立式衬底处理装置。维护衬底处理装置时，需要在衬底处理装置周边确保维护区域，为了确保维护区域，有时衬底处理装置的占地面积大(例如，专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2010-283356号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、本专利技术是鉴于上述情况而作出的，其目的在于提供能够在确保维护区域的同时减少占地面积的技术。
3、用于解决课题的手段
4、根据本专利技术的一个方式，提供下述技术，具备：
5、第1处理组件，具有处理衬底的第1处理容器；
6、第2处理组件，其具有与上述第1处理容器相邻地配置的处理上述衬底的第2处理容器；
7、第1排气箱，其与上述第1处理组件背面相邻地配置，并收纳有对上述第1处理容器内进行排气的第1排气系统；
8、第1供给箱，其在上述第1排气箱的与相邻于上述第1处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置，并收纳有向上述第1处理容器内供给处理气体的第1供给系统；
9、第2排气箱，其与上述第2处理组件背面相邻地配置，并收纳有对上述第2处理容器内进行排气的第2排气系统；及
10、第2供给箱，其在上述第2排气箱的与相邻于上述第2处理组件背
11、其中，上述第1排气箱配置于上述第1处理组件背面的与上述第2处理组件侧相反的一侧的外侧角部，上述第2排气箱配置于上述第2处理组件背面的与上述第1处理组件侧相反的一侧的外侧角部。
12、专利技术的效果
13、根据本专利技术，能够在确保维护区域的同时减少占地面积。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.衬底处理装置，其具备：
2.衬底处理方法，其包括：
3.半导体器件的制造方法，其包括：
4.记录介质，存储有使衬底处理装置执行以下工序的程序，
【技术特征摘要】
1.衬底处理装置，其具备：
2.衬底处理方法，其包括：
3.半导体器...
【专利技术属性】
技术研发人员：上村大义，野上孝志，谷山智志，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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