【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序。
技术介绍
1、作为半导体装置的制造工序的一工序，有进行如下处理，即在露出于基板的表面的材质不同的多种表面中的特定表面上选择性地使膜生长而形成(以下，也将该处理称为选择生长或选择成膜)(例如，参照专利文献1、2)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020-155452号公报
5、专利文献2：日本特开2020-155607号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、但是，根据进行选择生长时使用的改性剂或成膜剂，存在难以在多种表面中的特定的表面上选择性地使膜生长的情形。
3、本专利技术提供能够在期望的表面上以高精度选择性地形成膜的技术。
4、用于解决课题的方案
5、根据本专利技术的一方案，提供一种技术，其具有以下工序：
6、通过对具有第一表面和第二表面的基板供给改性剂，使上述改性剂所含的抑制剂分子吸附于上述第一表面，在上述第一表面形成抑制剂层；以及
7、通过对在上述第一表面形成上述抑制剂层之后的上述基板供给包含催化剂的成膜剂，在上述第二表面上形成膜，
8、在形成上述膜的工序中，作为上述催化剂，供给具有难以通过吸附于上述第一表面的上述抑制剂分子的分子间的间隙的分子尺寸的催化剂。
9、专利技术效果
10、根据本专利技术，能够在期望
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1.一种基板处理方法，其特征在于，具有以下工序：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，
9.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，
10.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，
11.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，
12.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
13.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
14.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
15.根据权利要求
16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其特征在于，
17.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
18.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
19.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
20.一种程序，其特征在于，通过计算机使基板处理装置实行以下步骤：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理方法，其特征在于，具有以下工序：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，
9.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，
10.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，
11.根据权利要求5所...
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