【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种支撑件、基板处理装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行在基板上形成膜的处理(例如，参照专利文献1)。在此情况下，为了在处理基板时高精度地测定基板的温度，要求使温度传感器接近基板。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开2020/59722号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、本公开提供一种在对基板进行处理时能够使温度传感器接近基板的技术。
3、用于解决课题的方案
4、根据本公开的一个方案，
5、提供一种技术，设置有：多个支撑部，其支撑基板；至少一个直立部，其在内部形成有第一空间；以及温度传感器，其设置于所述第一空间，具有测定所述基板的温度的测温部，所述支撑部中的至少一个构成为在内部形成有与所述第一空间连通的第二空间，能够将所述测温部设置于所述第二空间。
6、专利技术效果
7、根据本公开，在处理基板时，能够使温度传感器接近基板。
【技术保护点】
1.一种支撑件，其包括：多个支撑部，其支撑基板；至少一个直立部，其在内部形成有第一空间；以及温度传感器，其设置于所述第一空间，具有测定所述基板的温度的测温部，该支撑件的特征在于，
2.根据权利要求1所述的支撑件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的支撑件，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的支撑件，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的支撑件，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的支撑件，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的支撑件，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的支撑件，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的支撑件，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的支撑件，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的支撑件，其特征在于，
12.一种基板处理装置，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
14.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
15.根据权利要求13所述的基板
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，
18.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种支撑件，其包括：多个支撑部，其支撑基板；至少一个直立部，其在内部形成有第一空间；以及温度传感器，其设置于所述第一空间，具有测定所述基板的温度的测温部，该支撑件的特征在于，
2.根据权利要求1所述的支撑件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的支撑件，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的支撑件，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的支撑件，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的支撑件，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的支撑件，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的支撑件，其特征在于，
9.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：村田等，中田高行，上野正昭，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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