【技术实现步骤摘要】
本涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质、及衬底处理装置。
技术介绍
1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时对衬底表面进行疏水化处理(例如，参见专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2018-152517号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、然而，根据形成于衬底表面的基底膜的组成，有时难以使衬底表面良好地疏水化。
3、本专利技术提供一种不论形成于衬底表面的基底膜的组成如何、均能够使衬底表面良好地疏水化的技术。
4、用于解决课题的手段
5、根据本专利技术的一个方式，提供一种技术，其包括：
6、(a)通过向衬底供给包含规定元素的原料气体，从而在形成于前述衬底上的第1膜之上形成包含前述规定元素的氧化层的工序，其中，前述氧化层在表面形成有羟基封端、并且该羟基封端的密度高于形成于前述第1膜表面的羟基封端的密度；和
7、(b)通过向形成有前述氧化层的前述衬底供给包含烃基的改性气体，从而使前述氧化层的表面疏水化的工序。
8、专利技术的效果
9、根据本专利技术，不论形成于衬底表面的基底膜的组成如何、均能够使衬底表面良好地疏水化。
【技术保护点】
1.衬底处理方法，其包括：
2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜为非含氧的膜。
3.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(a)中，在形成于所述衬底上的、具有与所述第1膜不同的组成的第2膜之上，进一步形成所述氧化层。
4.如权利要求3所述的衬底处理方法，其中，形成于所述第1膜的表面的羟基封端的密度与形成于所述第2膜的表面的羟基封端的密度不同。
5.如权利要求4所述的衬底处理方法，其中，形成于所述氧化层的表面的羟基封端的密度高于形成于所述第2膜的表面的羟基封端的密度。
6.如权利要求3～5中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜为非含氧的膜，所述第2膜为含氧的膜。
7.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(b)中，通过向所述衬底供给所述改性气体，从而用烃基将所述氧化层的表面封端。
8.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(b)中，通过使所述改性气体与将所述氧化层的表面封端的羟基反应，从而使所述氧化层的表面疏水化。
9.如权利要求7或8所述的衬底处理方法，其中
10.如权利要求9所述的衬底处理方法，其中，所述改性气体为氨基硅烷系气体。
11.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，于形成所述第1膜的处理温度以下的温度执行(a)。
12.如权利要求11所述的衬底处理方法，其中，于150℃以下的温度执行(a)。
13.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，于与(a)同一温度、或比(a)低的温度执行(b)。
14.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在同一处理室内执行(a)及(b)。
15.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，接续于(a)而连续地执行(b)。
16.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述氧化层的厚度为1.5nm以上。
17.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(a)中，通过将向所述衬底非同时地供给所述原料气体和氧化剂的循环执行规定次数，从而形成所述氧化层。
18.半导体器件的制造方法，其包括：
19.计算机可读取的记录介质，其记录有利用计算机使衬底处理装置执行下述步骤的程序：
20.衬底处理装置，其具有：
...【技术特征摘要】
1.衬底处理方法，其包括：
2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜为非含氧的膜。
3.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(a)中，在形成于所述衬底上的、具有与所述第1膜不同的组成的第2膜之上，进一步形成所述氧化层。
4.如权利要求3所述的衬底处理方法，其中，形成于所述第1膜的表面的羟基封端的密度与形成于所述第2膜的表面的羟基封端的密度不同。
5.如权利要求4所述的衬底处理方法，其中，形成于所述氧化层的表面的羟基封端的密度高于形成于所述第2膜的表面的羟基封端的密度。
6.如权利要求3～5中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜为非含氧的膜，所述第2膜为含氧的膜。
7.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(b)中，通过向所述衬底供给所述改性气体，从而用烃基将所述氧化层的表面封端。
8.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(b)中，通过使所述改性气体与将所述氧化层的表面封端的羟基反应，从而使所述氧化层的表面疏水化。
9.如权利要求7或8所述的衬底处理方法，其中，所述改性气体为包含烷基的...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫田翔马，中谷公彦，早稻田崇之，桥本良知，广濑义朗，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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