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本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。课题在于提供不论基底膜的组成如何、均能够使衬底表面良好地疏水化的技术。(a)通过向衬底供给包含规定元素的原料气体，从而在形成于衬底上的第1膜之上形成包含规定元素的氧化层的...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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