一种太阳能电池片的表面钝化处理方法技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池片的表面钝化处理方法，包括：S1)在太阳能电池片的表面沉积第一SiNx薄膜，得到沉积第一SiNx薄膜的太阳能电池片；S2)将所述沉积第一SiNx薄膜的太阳能电池用NH3等离子体进行表面处理，得到处理后的太阳能电池片；S3)在所述处理后的太阳能电池片表面依次沉积第二SiNx薄膜与第三SiNx薄膜。与现有技术相比，本发明专利技术既避免了电池片表面的损伤，减少了体缺陷，同时还可增加第一SiNx薄膜中的氢含量，使氢离子渗入到硅片体内，减少了硅片体内的晶界及晶粒内部的缺陷，使钝化效果加强，也极大地扩展了该薄膜的硅氮比窗口，提高了电池片的开路电压与效率。

A Surface Passivation Method for Solar Cell

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池片的表面钝化处理方法
本专利技术属于太阳能电池
，尤其涉及一种太阳能电池片的表面钝化处理方法。
技术介绍
近年来，光伏行业发展迅速，随着光伏产能的加大，行业内的竞争压力也日趋严峻，降本提效成了现在不容忽视的一个重要的课题。为了能达到提效的目的，量产中通常会在太阳电池的表面镀一层SiNx膜，同时满足表面钝化和减反射的需求。值得注意的是，在实际生产过程中，为了能使电池片达到较好的表面钝化和体钝化效果，通常在沉积SiNx膜前会先用NH3进行处理，来清洗硅片表面的杂质及有机物，并使氢原子深入硅片中以加强钝化效果。但是采用NH3直接轰击硅片表面，会致使表面损伤严重，形成更多的表面缺陷，使表面复合速率提高，降低钝化效果，且NH3处理后，硅片表面微观不平整，会导致沉积SiNx膜变薄，影响电池片的钝化效果。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术要解决的技术问题在于提供一种太阳能电池片的表面钝化处理方法，该处理方法可提高电池片氢含量及钝化效果。本专利技术提供了一种太阳能电池片的表面钝化处理方法，包括：S1)在太阳能电池片的表面沉积第一SiNx薄膜，得到沉积第一SiNx薄膜的太阳能电池片；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池片的表面钝化处理方法，其特征在于，包括：S1)在太阳能电池片的表面沉积第一SiNx薄膜，得到沉积第一SiNx薄膜的太阳能电池片；S2)将所述沉积第一SiNx薄膜的太阳能电池用NH3等离子体进行表面处理，得到处理后的太阳能电池片；S3)在所述处理后的太阳能电池片表面依次沉积第二SiNx薄膜与第三SiNx薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片的表面钝化处理方法，其特征在于，包括：S1)在太阳能电池片的表面沉积第一SiNx薄膜，得到沉积第一SiNx薄膜的太阳能电池片；S2)将所述沉积第一SiNx薄膜的太阳能电池用NH3等离子体进行表面处理，得到处理后的太阳能电池片；S3)在所述处理后的太阳能电池片表面依次沉积第二SiNx薄膜与第三SiNx薄膜。2.根据权利要求1所述的表面钝化处理方法，其特征在于，所述第一SiNx薄膜的厚度为5～10nm；所述第一SiNx薄膜的折射率为2.1～2.4。3.根据权利要求1所述的表面钝化处理方法，其特征在于，所述第一SiNx薄膜的厚度为8～10nm；所述第一SiNx薄膜的折射率为2.35～2.39。4.根据权利要求1所述的表面钝化处理方法，其特征在于，所述步骤S2)中表面处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛浩杰，张林，宫欣欣，张昕宇，金浩，武禄，张波，崔亚丽，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33