低温处理钝化应用的方法技术

本发明专利技术涉及低温处理钝化应用的方法，揭示了一种有机电激发光装置，包含位于基板上的阳极层、位于该阳极层上的有机层以及位于该有机层上的阴极层。在一实施例中，在该阴极上沉积保护层之前先对该阴极层施以氢气等离子体处理。在另一实施例中，该有机电激发光装置是以位于该阴极层上的内封装层以及位于该内封装层上的外封装层来封装。该内层是经最佳化以附着在该阴极层上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主张于2002年12月11日申请，标题为Low temperature process for passivation application的美国专利申i青案第10/317,774号的优先权，其全文合并于此以供参考。本专利技术是关于改良的有机电激发光装置以及用来制造有机电激发光装 置的改良的方法。有机电激发光装置包含有机发光二极管和高分子发光二 极管，其应用在许多装置中，例如车用收音机、移动电话、数码相机、摄 影机(camcorders)以及个人数字助理。
技术介绍
在过去二十年中，出现了基于来自小型有机分子(有机发光二极管或 OLEDs)或导电高分子(高分子发光二极管或PLEDs)薄层所发射的光线 的新颖的平面显示器技术。与液晶显示器(LCDs)相比，此技术以较低的 能量耗损提供对比度较高的显示器，并且提供速度足以用于影像应用的响 应时间。以OLED和PLED技术为基础的显示器展现出比液晶显示器 (LCDs)宽广许多的视角。目前，全球有多于七十家公司正在研发基于 OLED或PLED结构的显示器技术。预测以OLEDs为基础的显示器的销 售，例如车用收音机、移动电话、数码相机、摄影机、个人数字助理、导 航系统、游戏机以及次笔记型(subnotebook)个人计算机，在2005年会 成长至高于十亿美元。OLED和PLED两者的基本装置配置是多层或三明治型结构，包含一 玻璃基板、 一透明阳极、两层或多层具有不同的电荷传导或发光特性的有 机层以及一金属阴极。该有机层的型态一般是从半结晶型至非晶型。与无机LEDs不同，对于OLEDs和PLEDs并没有晶格适配的要求，这大大放 宽了可用的基板类型以及可合并入装置内的材料类型。在装置结构中使用 多重有机层会促进有机电极接口处的电荷注入(charge injection )，而 导致较低的驱动电压。此外，多重有机层的使用让电子和空穴(因此，发 射区域的位置)的建构远离该电极，这显著改进该装置的效能。附图说明图1标出根据先前技术的典型的有机发光装置30。该有机发光装置 30包含基板32、位于基板32上的阳极34、位于阳极34上由空穴传输材 料(HTM)构成的空穴传输区域36、位于空穴传输区域36上包含空穴传 输材料及电子传输材料的混合物的混合区域38、位于混合区域38上由一 电子传输材料(ETM)构成的电子传输区域40、位于电子传输区域40上 的阴极42以及位于阴极42上的保护层44。并非所有的电激发光装置都精 确地具有在图1的有机发光装置30中所示的各层。为了方便，此后运用有 机层，， 一词来表示多层结构，例如区域36、 38、 40以及与区域36、 38和 40相同的所有一层或多层有机层结构。在混合区域38中，空穴传输材料 和电子传输材料的其中之一是发射器。在应用电流时，该有机发光装置发 射出由电子和空穴在用来制造区域36、 38、和40的有机材料中再结合所 产生的光线。用来形成空穴传输区域36和混合区域38的空穴传输材料通常是导电 材料，例如聚苯胺(polyaniline)、聚咯(polypyrrole )、聚苯基乙烯基(poly ( phenylene vinylene )、在美国专利第4,356,429号中所公开的紫 质衍生物(porphyrin derivatives)，其全文合并于此以供参考，铜花青(copper phthalocyanine )、 铜四曱基花青(copper tetramethyl phthalocyanine)、锌花青(zinc phthalocyanine) 、 二氧化钬花青(titanium oxide phthalocyanine)、镁花青(magnesium phtalocyanine)或其混合 物。其它空穴传l俞材^l包含芳香三级胺类(aromatic tertiary amines)、 多核芳香胺类(polynuclear aromatic amines )以及在美国专利第 4,539,507号和美国专利第6,392,339号中所公开的其它化合物，其全文合 并于此以供参考。该空穴传输材料可以利用，例如，等离子体辅助化学气 相沉积(PECVD)、常压化学气相沉积(CVD)、溅镀或旋转涂布法来沉积在该阳极上。参见，例如，凡.赞特(Van Zant)的微芯片制造(Microchip Fabrication),麦格罗.西尔出版公司(McGraw-Hill) ， 2000年，其全文合并于此以供参考。包含，但不限于，8-羟基(8-hydroxyquinoline)的金属螯合物，如在美国 专利第4,539,507号、第5,151,629号、第5,150,006号以及第5,141,671 号中所公开的，每一篇其全文均合并于此以做参考。用在电子传输区域40 和混合区域38中的另 一种电子传输材料包含二苯乙烯(stilbene )衍生物， 例如在美国专利第5,516,577号中所公开的，其全文合并于此以供参考。 另一种电子传输材料是金属有机硫氧化物(thioxinoid)，在美国专利第 5,846,666号中说明，其全文合并于此以供参考。又另一种适合用来形成 电子传输区域40和混合区域38的电子传输材料是在美国专利第 6,392,339号中所公开的恶二唑(oxadiazole )金属螯合物。在某些例子中，混合区域38含有从约10重量百分比至约90重量百 分比的空穴传输材料，以及从约90重量百分比至约10重量百分比的电子 传输材料。该混合区域可以利用上述任何适合的例示空穴传输材料及电子 传输材料的混合物，或其它在技术中已知的适合材料来形成。该混合区域 38可以利用能够形成空穴传输材料及电子传输材料的选择性混合物的任 何适合方法来形成。例如，该混合区域可以利用共蒸镀一空穴传输材料以 及一电子传输材料来形成。该混合区域38的厚度影响该有机发光装置的操 作电压和发光度。混合区域38可以含有多于一层。例如，混合区域38可 经选择性形成以包含两层、三层或甚至更多层独立的层。阴极42含有任何适合的金属，包含高功函数的组成，具有，例如，从 约4.0电子伏特至约6.0电子伏特的功函数，或低功函数的组成，例如具 有，从约2.5电子伏特至约4.0电子伏特的功函数的金属。虽然图1标出OLED的基本结构，但图1所示结构的变异是已知的。 此类变异在例如美国专利第4,356,429号、美国专利第5,593,788号、美 国专利第5,408,109号、美国专利第6,255,774号以及美国专利第 6,402,579号等专利中公开，其在此通过引用全文的方式并入本文中。 用来制造层36、 38和40的有机发光材料对于污染物、氧化和湿气是 敏感的。此外，在某些OLEDs中，电极34和42对于污染物、氧化和湿 气也是敏感的。在先前技术中，保护层44实际上包含玻璃或金属盖，其是 利用一连串UV固化树脂来附着在基板32上。此种封装技术是不足的，例 如，对于对角线尺寸大于12厘米的封装盖来说，就需要额外的支撑装置或 支座。核准予Haskal等的美国专利第5,952,778号试图满足技术中对于封装 OLEDs的需求以延长装置使用寿命。Haskal等揭示一种三层的保护覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装一有机电激发光装置的方法，至少包含：　（Ａ）在一阴极层上沉积一内封装层，其中，该内封装层是附着在该阴极层上；以及　（Ｂ）在该内封装层上沉积一外封装层。

【技术特征摘要】
US 2002-12-11 10/317,7741.一种封装一有机电激发光装置的方法，至少包含(A)在一阴极层上沉积一内封装层，其中，该内封装层是附着在该阴极层上；以及(B)在该内封装层上沉积一外封装层。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的内封装层是一折射 率约为1.95或更高的氮化硅薄膜。3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的沉积步骤(A)是在 具有一载座的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)反应室或化学气相沉 积(CVD)反应室中执行，且其中在至少一部分的沉积步骤(A)期间， 该PECVD或CVD反应室中的压力是介于1.0托耳和1.4托耳之间。4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的沉积步骤(A)是在 具有一载座的PECVD反应室中执行，并且其中在至少一部分的沉积步骤(A)期间，该PECVD反应室内的功率约为dx 1500瓦至约Cix2500瓦，其中d二[该PECVD载座的尺寸/200,000平方毫米I。5. —种封装一有机电激发光装置的方法，其至少包含(A) 在一阴极层上沉积一内封装层，其中该内封装层黏附至该阴极 层；以及(B) 在该内封装层上沉积一外封装层，其中该沉积步骤(A)是在一 等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)处理室或一具有载座的化学气相沉 积(CVD)处理室中进行，且其中在至少一部份的沉积步骤(A)期间该 PECVD或CVD处理室中的压力约为1.0托耳至约1.4托耳。6. —种封装一有机电激发光装置的方法，其至少包含(A) 在一阴极层上沉积一内封装层，其中该内封装层黏附至该阴极 层；以及(B) 在该内封装层上沉积一外封装层，其中该沉积步骤(A)是在一 具有载座的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)处理室中进行，且其中 在至少一部份的沉积步骤(A)期间该PECVD或CVD处理室中的功率为 d x 1500瓦至约x 2500瓦，其中d-[该PECVD载座的尺寸/200,000平方毫米]。7. —种封装一有机电激发光装置的方法，其至少包含(A) 在一阴极层上沉积一内封装层，其中该内封装层l占附至该阴极 层；以及(B) 在该内封装层上沉积一外封装层，其中所述沉积步骤(A)是在一 PECVD处理室中进行且其中在至少 一部份的沉积步骤(A )期间，进入该PECVD反应室的硅烷气 体的流速是1相对单位；在至少一部份的沉积步骤(A)期间，进入该PECVD反应室的氨气的 流速是小于5相对单位；以及在至少一部份的沉积步骤(A)期间，进入该PECVD反应室的氮气的 流速是至少5相对单位。8. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，在至少一部份的沉积步骤 (A)期间，进入该PECVD处理室的氨气的流速是小于1相对单位。9. 一种封装一有机电激发光装置的方法，其至少包含(A) 在一阴极层上沉积一内封装层，其中该内封装层黏附至该阴极 层；以及(B) 在该内封装层上沉积一外封装层，其中该沉积步骤(A)是在一 等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)处理室或一化学气相沉积(CVD) 处理室中进行，且其中在至少一部份的沉积步骤(B)期间该PECVD或 CVD处理室中的压力约为0.7托耳至约0.9托耳。10. —种封装一有机电激发光装置的方法，其至少包含(A) 在一阴极层上沉积一内封装层，其中该内封装层都附至该阴极 层；以及(B) 在该内封装层上沉积一外封装层，其中该沉积步骤(B)是在一具有载座的等离子体辅助化学气相沉积 (PECVD)处理室中进行，且其中在至少一部份的沉积步骤(B)期间该 PECVD处理室中的功率为C， x700瓦至约& x 900瓦，其中 d二[该PECVD载座的尺寸/200,000平方毫米I。11. 一种封装一有机电激发光装置的方法，其至少包含(A) 在一阴极层上沉积一内封装层，其中该内封装层黏附至该阴极 层；以及(B) 在该内封装层上沉积一外封装层，其中所述沉积步骤(B)是在一 PECVD处理室中进行且其中在至少一部份的沉积步骤(B)期间，进入该PECVD反应室的硅烷气 体的流速是1相对单位；在至少一部份的沉积步骤(B)期间，进入该PECVD反应室的氨气的 流速为2相对单位或更多；在至少一部份的沉积步骤(B)期间，进入该PECVD反应室的氮气的 流速是至少5相对单位；以及在至少一部份的沉积步骤(B)期间，进入该PECVD反应室的氢气的 流速是至少10相对单位。12. —种封装一有机电激发光装置的方法，其至少包含(A)在一阴极层上沉积一内封装层，其中该内封装层黏附至该阴极 层；以及 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔马克，竹原孝子，尚泉源，威廉R哈巴杰，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]