一种发光半导体封装支架成型工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种发光半导体封装支架成型工艺，包括如下步骤：步骤S1、将金属散热片刻成两层，其中两层或者两层以上，不限于两层，其中包括底层和底层上的两个或者两个以上凸起部，所述凸起部作为承载发光体和连接发光体正负极位置区域；步骤S2、取出石刻后的金属散热片，通过注塑成型设备进行注塑，其中注塑材料选用树脂、尼龙类、聚酯类、液晶聚合物或者无机硅胶，本发明专利技术缩减制作工艺，减少电镀、白胶等其他工序；从而减少影响产品不良因素，提高产品质量。

A Forming Process of Light Emitting Semiconductor Packaging Bracket

【技术实现步骤摘要】
一种发光半导体封装支架成型工艺
本专利技术涉及发光半导体
，特别是一种发光半导体封装支架成型工艺。
技术介绍
现有封装发光半导体封装过程为：先进行固晶，利用固晶胶将芯片与支架（PCB）粘连在一起，然后固晶后进行焊线处理，利用胶水将已固晶、焊线好的半成品封装起来再进行烘烤和切割操作。而现有封装发光半导体在封装过程中还需要对发光面进行镀银、镀金、镀镍钯金、刷白胶等，存在工艺繁琐、成本高等的问题。且现有铜片或金属散热片上，镀银或镀金等散热层，时间长会黄化等异常。
技术实现思路
为克服上述问题，本专利技术的目的是提供一种发光半导体封装支架成型工艺，缩减封装工序，减少电镀、白胶等其他工艺；减少影响产品不良因素。本专利技术采用以下方案实现：一种发光半导体封装支架成型工艺，包括如下步骤：步骤S1、将金属散热片刻成正极板和负极板，所述正极板和负极板均包含有两层或者两层以上，其中两层包括底层和底层上的两个或者两个以上凸起部，所述凸起部作为承载发光体或连接发光体正负极位置区域；步骤S2、取出石刻后的正极板和负极板，通过注塑成型设备对正极板和负极板进行结合注塑，其中注塑填充材料含有环氧类、树脂、硅碳氧聚合物、尼龙类、液晶聚合物或聚酯，成型后除所述凸起部位置漏出外，金属散热片其他区域均被注塑材料填充物覆盖，露出的金属散热片与周围树脂保持同一水平面。进一步的，所述步骤S2后进一步包括：步骤S3、注塑成型后，若需去除凸起面溢料，将成型的发光半导体封装支架进行清洗，清洗完成后，工艺完成。进一步的，所述步骤S3进一步包括有：注塑成型后，放入晶片，其晶片下方露出金属散热片的单边长度小于1.0mm；除所述凸起部位置外其他区域的充填物覆盖面进行二次填充，所述二次填充的封装材料含有环氧胶、树脂、硅胶、或聚酯。本专利技术的有益效果在于：1、缩减制作工艺，减少电镀、白胶等其他工艺；缩减工序，减少影响产品不良因素。2、降低成本，提高产品亮度和结合性（可靠性），避免产品因结合性造成氧化或发黑。3、现有铜片或散热器上，镀银或镀金等散热层，时间长会黄化等异常，此设计可以解决此异常，即散热片上无需进行镀银或镀金。附图说明图1是本专利技术的工艺流程示意图。图2是本专利技术的石刻后的金属散热片示意图。图3是本专利技术的注塑成型的发光半导体封装支架示意图。图4是本专利技术在发光半导体封装支架上焊接芯片的示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步说明。请参阅图1至图4所示，本专利技术提供了一种发光半导体封装支架成型工艺，包括如下步骤：步骤S1、将金属散热片刻成正极板1和负极板2，所述正极板1和负极板2均包含有两层或者两层以上，其中两层包括底层和底层上的两个或者两个以上凸起部11，所述凸起部作为承载发光体或连接发光体正负极位置区域；其中，凸起部11含不同凸面形状、距离大小、不同尺寸均属于本专利设计要求；步骤S2、取出石刻后的正极板和负极板，通过注塑成型设备对正极板和负极板进行结合注塑，其中注塑填充材料含有环氧类、树脂、硅碳氧聚合物、尼龙类、液晶聚合物、聚酯或其他高分子材料，注塑时温度控制在130~230度，注塑完成后在100~200度下进行烘烤100~120分钟进行固化，成型后除所述凸起部位置漏出外，金属散热片其他区域均被注塑材料3填充物覆盖；露出的金属散热片与周围树脂保持同一水平面。成型可以是平面或不同形状（含不同厚度）封装支架；注塑成型设备的型号可以为：YPS-1120。这样通过石刻后的正极板和负极板进行直接注塑成型，可以避免金属散热片氧化或金属散热片之前镀层氧化、发黑等异常。图3中，S为正面金属散热片露出注塑材料3部份。步骤S3、注塑成型后，若需去除凸起面溢料，将成型的发光半导体封装支架进行清洗，清洗完成后，工艺完成。注塑成型后，放入晶片4，其晶片下方露出金属散热片的单边长度小于1.0mm；除所述凸起部位置外其他区域的充填物覆盖面进行二次填充，所述二次填充的封装材料5含有环氧胶、树脂、硅胶、聚酯或其他高分子材料。该晶片4通过线材（如金线）6与发光体正负极22连接。其中，完成发光半导体封装支架成型后，再按发光半导体制程方式进行产品封装。参阅图3即，将芯片置于承载发光体21上，将芯片通过金线焊接在发光体正负极22位置区域，然后再进行封胶处理，即将发光半导体封装支架中的杯槽进行封胶，封装胶内混合有荧光粉。所述步骤S3进一步包括有：注塑成型后，除所述凸起部位置外其他区域的充填物覆盖面进行二次填充，所述二次填充封装材料含有环氧胶、树脂、硅胶、聚酯或其他高分子材料。这样二次填充能提升出光或抗衰减等，从而提高产品的质量。总之，本专利技术提高支架结合性、防硫化性、也降低生产成本、提升产品出光。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，凡依本专利技术申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本专利技术的涵盖范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光半导体封装支架成型工艺，其特征在于：包括如下步骤：步骤S1、将金属散热片刻成正极板和负极板，所述正极板和负极板均包含有两层或者两层以上，其中两层包括底层和底层上的两个或者两个以上凸起部，所述凸起部作为承载发光体或连接发光体正负极位置区域；步骤S2、取出石刻后的正极板和负极板，通过注塑成型设备对正极板和负极板进行结合注塑，其中注塑填充材料含有环氧类、树脂、硅碳氧聚合物、尼龙类、液晶聚合物或聚酯，成型后除所述凸起部位置漏出外，金属散热片其他区域均被注塑材料填充物覆盖，露出的金属散热片与周围树脂保持同一水平面。

【技术特征摘要】
1.一种发光半导体封装支架成型工艺，其特征在于：包括如下步骤：步骤S1、将金属散热片刻成正极板和负极板，所述正极板和负极板均包含有两层或者两层以上，其中两层包括底层和底层上的两个或者两个以上凸起部，所述凸起部作为承载发光体或连接发光体正负极位置区域；步骤S2、取出石刻后的正极板和负极板，通过注塑成型设备对正极板和负极板进行结合注塑，其中注塑填充材料含有环氧类、树脂、硅碳氧聚合物、尼龙类、液晶聚合物或聚酯，成型后除所述凸起部位置漏出外，金属散热片其他区域均被注塑材料填充物覆盖，露出的金属散热...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉元，陈彧，张智鸿，袁瑞鸿，林紘洋，万喜红，雷玉厚，李昇哲，
申请(专利权)人：福建天电光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35