【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体封装，具体而言涉及半导体预封装结构以及半导体封装结构。
技术介绍
1、随着发光二极管应用领域、使用范围不断地延伸、扩展。发光二极管业已成为不同领域多种多样光源的首先，例如背光单元的光源、用于普通发光或照明的光源、城市夜景灯光源等。
2、如图1所示，现有的发光二极管的背光发光产品中常采用半导体预封装结构100配合键合线(图未示)及封装层(图未示)来封装发光晶片(图未示)，半导体预封装结构100一般包括用于支撑发光晶片的导电支架110以及用于与导电支架110围合成容置槽130的绝缘墙体120，其中，容置槽130用于容置发光晶片。该导电支架110与绝缘墙体120间由于是分体成型的，在导电支架110与绝缘墙体120的结合处存在微小的间隙。如此在发光二极管长期使用后，在后期容易因导电支架110与绝缘墙体120的结合处的气密性问题，而导致发光晶片大幅度光衰现象，从而使得发光二极管的使用寿命难以提高。
技术实现思路
1、有鉴于此，为解决上述技术问题，本申请提供半导体预封装结构以及半导体封装结构。
2、为实现上述目的，本申请提供一种半导体预封装结构，该半导体预封装结构包括导电支架、绝缘墙体以及反射层。导电支架具有引线键合预留区和第一反射预留区，第一反射预留区围绕于引线键合预留区外。绝缘墙体凸出设置于导电支架上且围绕第一反射预留区设置，以与导电支架围合成容置槽。绝缘墙体的内侧面形成有第二反射预留区。反射层为一体成型结构且覆盖于第一反射预留区及第二反射预留区并避
3、在其中一实施例中，引线键合预留区设置有焊接镀层。
4、在其中一实施例中，反射层为dbr反射层或金属反射层。
5、在其中一实施例中，导电支架设置有间隔区，间隔区将导电支架分隔为第一支架分部和第二支架分部；第一支架分部和第二支架分部均对应设置有第一反射预留区和引线键合预留区。
6、在其中一实施例中，反射层覆盖第二反射预留区的部分的顶缘与绝缘墙体的顶端齐平；或者，反射层覆盖第二反射预留区的部分的顶缘低于绝缘墙体的顶端；或者，反射层包括自反射层覆盖第二反射预留区的部分的顶缘进一步向外延伸的外延部，外延部延伸至绝缘墙体的顶端的端面。
7、在其中一实施例中，第二反射预留区相对于第一反射预留区倾斜设置，且第二反射预留区与第一反射预留区形成的夹角大于90度且小于160度。
8、为了解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是提供了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括半导体预封装结构、发光晶片以及封装层。半导体预封装结构为上述的任意一半导体预封装结构。发光晶片设置于第一反射预留区且与引线键合预留区通过键合线电性连接。封装层设置于容置槽且覆盖发光晶片、键合线和反射层。
9、在其中一实施例中，反射层为dbr反射层，dbr反射层包括交替层叠的sio2膜层和tio2膜层。
10、在其中一实施例中，发光晶片通过固晶胶连接导电支架。
11、在其中一实施例中，固晶胶至少胶接发光晶片的外侧壁和反射层邻近发光晶片的外侧壁的部分。
12、有益效果：区别于现有技术，本申请中，由于反射层为一体成型结构且覆盖于第一反射预留区及第二反射预留区，如此反射层能够覆盖绝缘墙体与导电支架的结合处存在的微小间隙，从而达到增强绝缘墙体与导电支架的结合处的密封性能的效果，进而使得采用本申请的半导体封装结构的发光二极管的使用寿命能够得到提高。
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1.一种半导体预封装结构，其特征在于，所述半导体预封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体预封装结构，其特征在于，所述引线键合预留区设置有焊接镀层。
3.根据权利要求1所述的半导体预封装结构，其特征在于，所述反射层为DBR反射层或金属反射层。
4.根据权利要求1所述的半导体预封装结构，其特征在于，所述导电支架设置有间隔区，所述间隔区将所述导电支架分隔为第一支架分部和第二支架分部；所述第一支架分部和所述第二支架分部均对应设置有所述第一反射预留区和所述引线键合预留区。
5.根据权利要求1所述的半导体预封装结构，其特征在于，所述反射层覆盖所述第二反射预留区的部分的顶缘与所述绝缘墙体的顶端齐平；
6.根据权利要求1所述的半导体预封装结构，其特征在于，所述第二反射预留区相对于第一反射预留区倾斜设置，且所述第二反射预留区与第一反射预留区形成的夹角大于90度且小于160度。
7.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述反射层为DBR
9.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述发光晶片通过固晶胶连接所述导电支架。
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述固晶胶至少胶接发光晶片的外侧壁和所述反射层邻近所述发光晶片的外侧壁的部分。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体预封装结构，其特征在于，所述半导体预封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体预封装结构，其特征在于，所述引线键合预留区设置有焊接镀层。
3.根据权利要求1所述的半导体预封装结构，其特征在于，所述反射层为dbr反射层或金属反射层。
4.根据权利要求1所述的半导体预封装结构，其特征在于，所述导电支架设置有间隔区，所述间隔区将所述导电支架分隔为第一支架分部和第二支架分部；所述第一支架分部和所述第二支架分部均对应设置有所述第一反射预留区和所述引线键合预留区。
5.根据权利要求1所述的半导体预封装结构，其特征在于，所述反射层覆盖所述第二反射预留区的部分的顶缘与所述绝缘墙体的顶端齐平；
...【专利技术属性】
技术研发人员：何坦，林紘洋，杨皓宇，洪国展，万喜红，李昇哲，雷玉厚，
申请(专利权)人：福建天电光电有限公司，
类型：新型
国别省市：
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