【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于发光半导体，具体涉及一种不烧结叠加层片器件及其制备方法、一种发光半导体器件及其封装方法。
技术介绍
1、在发光半导体封装中，采用硅酸盐、yag钇铝石榴石(yag)、氮化物等荧光粉较多。随着高光效、高显指产品的要求增加；氟化物荧光粉运用成了关键；氟化物荧光粉加入后，显指在r95以上，亮度提升10～20％。然而，虽然氟化物荧光粉具有提升亮度，使半波宽窄的优势，但氟化物荧光粉缺点也很突出，怕湿，因此在封装技术中，耐湿成了技术节点。
2、专利技术名称为“用于双层荧光体基层的微晶玻璃及制备方法”的中国专利cn106219990a公开了烧结、切片、制作等步骤生产用于双层荧光体基层的微晶玻璃，具体包括：步骤1，按照玻璃基体配比准确称量后置于玛瑙研钵中，混合并研磨均匀后置于坩埚中，加热原料粉体使之熔融；步骤2，将玻璃熔体取出并快速倒入模具中成形得到块状前驱玻璃；步骤3，将获得的前驱玻璃敲碎，在玛瑙研钵中研磨均匀后，加入荧光粉，再进一步研磨后置于坩埚中，加热玻璃粉末到使之熔融，将玻璃熔体取出并快速倒入模具中成形得到块状微晶玻璃；步骤4，将步骤3获得的微晶玻璃放入电阻炉中退火以消除内应力，并对其切割打磨，得到所需尺寸的微晶玻璃，其中：步骤1中原料粉体的熔融温度为1200-1300℃，保温时间为1-3小时。步骤3中玻璃粉末的熔融温度为650-700℃，保温时间为1-3小时。上述技术方案虽然能够解决氟化物荧光粉耐湿的问题，但是，采用烧结荧光体，不管是单层、双层或多层膜片烧结，均需要高温烧结工序制作，设备温度高、危险系数大。p>
3、且最为关键的是：微晶玻璃在玻璃烧结厂中完成，而半导体的封装在半导体封装企业中完成，由于微晶玻璃发光的颜色和色温多种多样，需要半导体封装企业与烧结厂商之间多次沟通调试才能得到想要的颜色，且由于烧结效率低，发光半导体的封装工艺不能由半导体封装企业独立完成，从而不能快速被封装厂运用，严重影响半导体封装企业的生产效率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于一种不烧结叠加层片器件及其制备方法、一种发光半导体器件及其封装方法，本专利技术制备不烧结叠加层片器件采用不烧结的方法，不仅投入设备少，工序简单，周期短，而且有效解决氟化物怕潮湿的问题；同时解决胶收缩特性、不成型特性，达到叠加的每层相互激发、保护产品的效果，且能够在封装企业中独立完成。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、本专利技术提供了一种不烧结叠加层片器件的制备方法，包括以下步骤：
4、将第一硅胶、第一阻碍剂和第一氟化物荧光粉混合，得到基层混合材料；所述基层混合材料包括以下质量份数的组分：第一硅胶1～35份、第一阻碍剂1～3份和第一氟化物荧光粉1～62份；所述第一硅胶的耐温温度≥260℃，所述第一阻碍剂的挥发点≤150℃；
5、将第二硅胶、第二阻碍剂和第二荧光粉混合，所述第二荧光粉包括硅酸盐荧光粉、氮化物荧光粉、铝酸盐荧光粉和第二氟化物荧光粉中一种或多种，得到叠加层混合材料，所述叠加层混合材料包括以下质量份数的组分：第二硅胶1～25份、第二阻碍剂1～3份和第二荧光粉1～72份；所述第二硅胶的耐温温度≥260℃，所述第二阻碍剂的挥发点≤150℃；
6、在载片表面层叠涂布若干单元坯体，得到成型坯体；每1个单元坯体的制备方法包括：依次涂布所述基层混合材料和叠加层混合材料，分别形成基层和叠加层，得到1个单元坯体；
7、将所述成型坯体进行固化，得到不烧结叠加层片器件；所述固化的温度为150～250℃。
8、优选的，所述第一氟化物荧光粉的波长为625～635nm；
9、1个单元坯体中基层混合材料的单层涂布厚度为10～200μm。
10、优选的，所述硅酸盐荧光粉和所述铝酸盐荧光粉的波长独立地为490～590nm；所述第二氟化物荧光粉和所述氮化物荧光粉的波长独立地为600～675nm。
11、优选的，1个单元坯体中叠加层混合材料的单层涂布厚度为10～300μm。
12、优选的，所述制备方法还包括：将第三硅胶和散光粉混合，得到保护层混合材料，所述第三硅胶的耐温温度≥260℃，所述散光粉的耐温温度≥260℃；
13、每1个单元坯体的制备方法替换为：依次涂布所述基层混合材料、所述叠加层混合材料和所述保护层混合材料，分别形成基层、叠加层和保护层，得到1个单元坯体。
14、优选的，所述第三硅胶和散光粉的质量比为(90～95)：(2～5)；
15、1个单元坯体中保护层混合材料的单层涂布厚度为5～500μm。
16、本专利技术提供了上述技术方案所述的制备方法得到的不烧结叠加层片器件，包括层叠设置在载片上的若干发光单元，每1个发光单元包括基层11和设置在所述基层11一表面的叠加层10。
17、优选的，所述发光单元还包括设置在所述叠加层11外表面的的保护层9。
18、本专利技术提供了一种发光半导体器件，包括载体基板1；设置于所述载体基板1表面的若干半导体晶片2；设置在若干所述半导体晶片2表面的不烧结叠加层片器件3；设置在所述载体基板1表面且包围在若干所述半导体晶片2外周的反射墙4；设置在所述反射墙形成的闭合空间内的粉层；所述粉层的高度≥所述不烧结叠加层片器件3和所述半导体晶片2的总高度；所述不烧结叠加层片器件3为上述技术方案所述的不烧结叠加层片器件。
19、本专利技术提供了上述技术方案所述的发光半导体器件的封装方法，包括以下步骤：
20、将上述技术方案所述的不烧结叠加层片器件粘接在若干半导体晶片2表面；所述半导体晶片2粘接于所述载体基板1表面；
21、在载体基板1表面沿若干半导体晶片2的外围，采用反射墙材料设置反射墙4；
22、在反射墙4形成的闭合空间内填充粉料，得到粉层；所述粉层的高度≥所述不烧结叠加层片器件3和所述半导体晶片2的总高度，得到所述发光半导体器件。
23、本专利技术提供了一种不烧结叠加层片器件的制备方法，包括以下步骤：将第一硅胶、第一阻碍剂和第一氟化物荧光粉混合，得到基层混合材料；所述基层混合材料包括以下质量份数的组分：第一硅胶1～35份、第一阻碍剂1～3份和第一氟化物荧光粉1～62份；所述第一硅胶的耐温温度≥260℃，所述第一阻碍剂的挥发点≤150℃；将第二硅胶、第二阻碍剂和第二荧光粉混合，所述第二荧光粉包括硅酸盐荧光粉、氮化物荧光粉、铝酸盐荧光粉和第二氟化物荧光粉中一种或多种，得到叠加层混合材料，所述叠加层混合材料包括以下质量份数的组分：第二硅胶1～25份、第二阻碍剂1～3份和第二荧光粉1～72份；所述第二硅胶的耐温温度≥260℃，所述第二阻碍剂的挥发点≤150℃；在载片表面层叠涂布若干单元坯体，得到成型坯体；每1个单元坯体的制备方法包括：依次涂布所述基层混合材料和叠加层混合材料，分别形成基层和叠加层，得到1个单元坯体；将所述成型坯体进行固化，得到不烧结叠加层片器件；所述固化的温度为150～250℃本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种不烧结叠加层片器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一氟化物荧光粉的波长为625～635nm；
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅酸盐荧光粉和所述铝酸盐荧光粉的波长独立地为490～590nm；所述第二氟化物荧光粉和所述氮化物荧光粉的波长独立地为600～675nm。
4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，1个单元坯体中叠加层混合材料的涂布厚度为10～300μm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：将第三硅胶和散光粉混合，得到保护层混合材料，所述第三硅胶的耐温温度≥260℃，所述散光粉的耐温温度≥260℃；
6.根据权利要求5所示的制备方法，其特征在于，所述第三硅胶和散光粉的质量比为(90～95)：(2～5)；
7.权利要求1～4任一项所述的制备方法得到的不烧结叠加层片器件，其特征在于，包括层叠设置在载片上的若干发光单元，每1个发光单元包括基层(11)和设置在所述基层(11)一表面的叠加
8.根据权利要求7所述的不烧结叠加层片器件，其特征在于，所述发光单元还包括设置在所述叠加层(11)外表面的的保护层(9)。
9.一种发光半导体器件，其特征在于，包括载体基板(1)；设置于所述载体基板(1)表面的若干半导体晶片(2)；设置在若干所述半导体晶片(2)表面的不烧结叠加层片器件(3)；设置在所述载体基板(1)表面且包围在若干所述半导体晶片(2)外周的反射墙(4)；设置在所述反射墙形成的闭合空间内的粉层；所述粉层的高度≥所述不烧结叠加层片器件(3)和所述半导体晶片(2)的总高度；所述不烧结叠加层片器件(3)为权利要求7或8所述的不烧结叠加层片器件。
10.权利要求9所述的发光半导体器件的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种不烧结叠加层片器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一氟化物荧光粉的波长为625～635nm；
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅酸盐荧光粉和所述铝酸盐荧光粉的波长独立地为490～590nm；所述第二氟化物荧光粉和所述氮化物荧光粉的波长独立地为600～675nm。
4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，1个单元坯体中叠加层混合材料的涂布厚度为10～300μm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：将第三硅胶和散光粉混合，得到保护层混合材料，所述第三硅胶的耐温温度≥260℃，所述散光粉的耐温温度≥260℃；
6.根据权利要求5所示的制备方法，其特征在于，所述第三硅胶和散光粉的质量比为(90～95)：(2～5)；
7.权利要求1～4任一项...
【专利技术属性】
技术研发人员：李玉元，王浩，朱澄，林紘洋，李昇哲，万喜红，
申请(专利权)人：福建天电光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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