【技术实现步骤摘要】
一种三维陶瓷基板及其制备方法
本专利技术属于电子陶瓷基板制造领域,更具体的说,涉及一种三维陶瓷基板制备技术。
技术介绍
陶瓷因其良好的耐高温、耐腐蚀、热导率高、机械强度高、热膨胀系数(CTE)与芯片材料匹配等特性,在电子封装中得到广泛应用。随着电子封装技术发展,对器件的可靠性、气密性和成本等提出了更高要求。传统平面陶瓷基板包括厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接键合陶瓷基板(DBC)、活性金属焊接陶瓷基板(AMB)、直接电镀陶瓷基板(DPC)等无腔体结构,上述无空腔结构由于无法实现气密封装,难以满足应用需求。为此,业界开发了含腔体结构的三维陶瓷基板。目前市场上的三维陶瓷基板主要包括:1)高温/低温共烧陶瓷基板,采用多层叠压共烧工艺,可制备出含腔体的多层陶瓷基板。但存在线路精度差,高温烧结收缩导致变形等问题,难以满足高精度电子器件封装需求;2)多层电镀增厚陶瓷基板。专利CN106783755A提出利用电镀增厚技术制备含金属围坝的三维陶瓷基板,其中厚度为0.5-0.7mm,虽然图形精度高,但由于多次采用光刻、图案化电镀工艺,制备时间长、成本高;3)采用有机胶将金属镂空板和 ...
【技术保护点】
1.一种三维陶瓷基板,具体包括围坝结构和平面陶瓷基板,其特征在于,所述平面陶瓷基板包括陶瓷基片,所述陶瓷基片表面设有一个或者多个独立线路层,所述围坝结构通过胶体材料与所述平面陶瓷基板粘接,所述胶体材料为无机胶。
【技术特征摘要】
1.一种三维陶瓷基板,具体包括围坝结构和平面陶瓷基板,其特征在于,所述平面陶瓷基板包括陶瓷基片,所述陶瓷基片表面设有一个或者多个独立线路层,所述围坝结构通过胶体材料与所述平面陶瓷基板粘接,所述胶体材料为无机胶。2.根据权利要求1所述的一种三维陶瓷基板,其特征在于,所述围坝结构内部具有镂空孔,并且所述镂空孔与所述陶瓷基片表面设有的一个或者多个独立线路层的位置和尺寸相对应。3.根据权利要求1所述的一种三维陶瓷基板,其特征在于,所述围坝结构材料为金属、陶瓷或玻璃。4.根据权利要求1所述的一种三维陶瓷基板,其特征在于,所述围坝结构厚度为0.3-3.0mm。5.根据权利要求1所述的一种三维陶瓷基板,其特征在于,所述平面陶瓷基板为厚膜印刷陶瓷基板、直接键合陶瓷基板、活性金属焊接陶瓷基板或直接电镀陶瓷基板。6.根据权利要求1所述的一种三维陶瓷基板,其特征在于,所述无机胶中,包括重量比例为:Al2O3粉末50%-60%、碱金属硅酸盐35%-50%以及添加剂1%-5%,其中优选重量比例为:Al2O3粉末50%,碱金属硅酸盐48%,添加剂2%。7.根据权利要求6所述的一种三维陶瓷基板,其特征在于,Al2O3粉末平均粒径为10-15μm。8.一种三维陶瓷基板制备方法,其特征在于,包括如下步骤:制备平面陶瓷基板,在所述平面陶瓷基板的表面布置一个或者多个独立线路层;制备围坝结构,在围坝...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄卫军,刘松坡,黄炎琴,陈明祥,
申请(专利权)人:武汉利之达科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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