【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子制造领域，特别涉及一种低温键合制备金属化陶瓷基板的方法。
技术介绍
随着三维封装技术的发展和系统集成度提高，以大功率发光二极管(LED)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、激光器(LD)为代表的功率型器件制造过程中，散热基板的选用成为关键的技术环节，并直接影响到器件的使用性能与可靠性。以大功率LED器件为例，由于输入功率的80% -90%转变成为热量(只有大约10% -20%转化为光能)，且LED芯片面积小， 器件功率密度很大(大于lOOW/cm2)，因此散热成为大功率LED封装必须解决的关键问题。 如果不能及时将芯片发热导出并消散，大量热量将聚集在LED内部，芯片结温将逐步升高， 一方面使LED性能降低(如发光效率降低、波长红移等)，另一方面将在LED封装体内产生热应力，引发一系列可靠性问题(如寿命降低、色温变化等)。对于电子封装而言，散热基板主要是利用其材料本身具有的高热导率，将热量从芯片导出，实现与外界的电互连与热交换。目前常用的散热基板主要包括MCPCB (金属核印刷电路板)、LTCC或HTCC (低温或高温共烧陶瓷基板)、DBC (直接...
【技术保护点】
１．一种低温键合制备铜－陶瓷基板方法，首先将铜合金片选择性腐蚀得到含多孔纳米结构的铜片，然后在保护气氛作用下，将铜片热压键合到沉积有金属薄膜的陶瓷片上，得到单面或双面含铜层的金属化陶瓷基板，热压键合温度为２００－４００℃，压力为１．０－２０．０ＭＰａ，最后通过图形腐蚀工艺制备出含金属线路的铜－陶瓷基板。
【技术特征摘要】
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