形成集成电路的方法技术

一种形成集成电路的方法包含：在半导体衬底上形成导电网格；根据指派给多个第一导线的第一掩模层而从多个非连续导线选择所述多个第一导线；根据指派给多个第二导线的第二掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第二导线，其中所述第二掩模层不同于所述第一掩模层，且所述多个第二导线经由多个连续导线电连接到所述多个第一导线；及由多个第三导线分别替换所述多个第二导线，其中所述多个第三导线指派给所述第一掩模层。

Method of Forming Integrated Circuits

A method for forming an integrated circuit includes: forming a conductive grid on a semiconductor substrate; selecting the plurality of first wires from a plurality of discontinuous wires according to a first mask layer assigned to a plurality of first wires; and selecting the plurality of second wires from the plurality of discontinuous wires according to a second mask layer assigned to a plurality of second wires, wherein the second mask layer is different from the plurality of discontinuous wires. The first mask layer is composed of a plurality of second wires electrically connected to the plurality of first wires via a plurality of continuous wires, and a plurality of second wires are replaced by a plurality of third wires respectively, wherein the plurality of third wires are assigned to the first mask layer.

【技术实现步骤摘要】
形成集成电路的方法
本揭示实施例是有关一种形成集成电路的导电网格的方法。
技术介绍
由半导体芯片中的各种主动半导体装置使用的电流透过半导体芯片的一组电互连件或电力网格分配。因此，电力网格是半导体芯片中的电力输送结构。电力网格可横跨不同导电层级散布且一般可使用不同层级处的导线、路径、途径及/或不同交叉层级处的通路来将电力或电流提供到各种半导体装置。当前面临进一步改进电压(IR)降的性能、电子迁移(EM)性能及半导体芯片的电力网格的路由资源的挑战。
技术实现思路
根据本揭示的一实施例，一种形成集成电路的方法包括：在半导体衬底上形成导电网格，其中所述导电网格具有沿第一方向布置于第一导电层上的多个连续导线及沿第二方向布置于第二导电层上的多个非连续导线；根据指派给多个第一导线的第一掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第一导线；根据指派给多个第二导线的第二掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第二导线，其中所述第二掩模层不同于所述第一掩模层，且所述多个第二导线经由所述多个连续导线电连接到所述多个第一导线；及当所述多个第一导线具有切割金属图案且所述多个第二导线不具有所述切割金属图案时，由多个第三导线分别替换所述多个第二导线，其中将所述多个第三导线指派给所述第一掩模层。根据本揭示的一实施例，一种形成集成电路的方法包括：在半导体衬底上形成导电网格，其中所述导电网格具有沿第一方向布置于第一导电层上的多个连续导线及沿第二方向布置于第二导电层上的多个非连续导线；从所述多个非连续导线选择多个第一导线；从所述多个非连续导线选择多个第二导线；及当将所述多个第一导线及所述多个第二导线指派给第一掩模时，由多个第三导线分别替换所述多个第二导线，其中将所述多个第三导线指派给不同于所述第一掩模层的第二掩模。根据本揭示的一实施例，一种系统包括至少一处理器，其经配置以执行程序指令，所述程序指令将所述至少一处理器配置为执行包括以下各者的操作的处理工具：通过所述处理工具在半导体衬底上形成导电网格，其中所述导电网格具有沿第一方向布置于第一导电层上的多个连续导线及沿第二方向布置于第二导电层上的多个非连续导线；通过所述处理工具从所述多个非连续导线选择第一导线及第二导线，其中所述第一导线与所述第二导线之间的间隔具有第一宽度；通过所述处理工具从所述多个非连续导线选择第三导线及第四导线，其中所述第三导线与所述第四导线之间的间隔具有第二宽度；及通过所述处理工具使所述第三导线及所述第四导线分别由第五导线及第六导线替换，其中所述第五导线与所述第六导线之间的间隔具有所述第一宽度，且所述第二宽度大于所述第一宽度。附图说明从结合附图来阅读的[实施方式]最优选理解本揭示实施例的方面。应注意，根据业界标准做法，各个构件未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。图1是绘示根据一些实施例的集成电路的电力网格的横截面图。图2是绘示根据一些实施例的集成电路的电力网格的俯视图。图3是绘示电力网格的相关技术的俯视图。图4是绘示根据一些实施例的形成集成电路的电力网格的方法的流程图。图5是绘示根据一些实施例的电力网格布局设计的图式。图6是绘示根据一些实施例的电力网格布局设计的图式。图7是绘示根据一些实施例的形成集成电路的电力网格的方法的流程图。图8A是绘示根据一些实施例的图5的电力网格布局设计的布局部分的图式。图8B是绘示根据一些实施例的图6的电力网格布局设计的布局部分的图式。图9A是绘示根据一些实施例的图5的电力网格布局设计的布局部分的图式。图9B是绘示根据一些实施例的图6的电力网格布局设计的布局部分的图式。图10是根据一些实施例的用于实施方法以产生电力网格布局设计的硬件系统的图式。图11是根据一些实施例的用于制造电力网格的系统的图式。图12是根据一些实施例的集成电路芯片的芯片设计流程及芯片制造流程的流程图。具体实施方式以下揭示提供用于实施所提供主题的不同特征的诸多不同实施例或实例。下文将描述组件及布置的特定实例以简化本揭示实施例。当然，此些仅为实例且不意在限制。例如，在以下描述中，使第一构件形成于第二构件上方或形成于第二构件上可包含其中形成直接接触的所述第一构件及所述第二构件的实施例，且还可包含其中额外构件可形成于所述第一构件与所述第二构件之间，使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭示实施例可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简化及清楚，且其本身不指示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。下文将详细讨论本揭示的实施例。然而，应了解，本揭示实施例提供可体现于各种特定内文中的诸多适用专利技术概念。所讨论的特定实施例仅供说明且不限制本揭示实施例的范围。此外，为便于描述，空间相对术语(例如“底下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”、“左”、“右”及其类似者)可在本文中用于描述元件或构件与另一(些)元件或构件的关系，如图中所绘示。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语还打算涵盖装置在使用或操作中的不同定向。可依其它方式定向设备(旋转90度或依其它定向)，且也可因此解译本文中所使用的空间相对描述词。应了解，当元件被认为是“连接到”或“耦合到”另一元件时，其可直接连接或耦合到所述另一元件，或可存在介入元件。虽然阐述本揭示实施例的广泛范围的数值范围及参数是近似值，但要尽可能精确地报告特定实例中所阐述的数值。然而，任何数值固有地含有由出现于各自测试测量中的标准差必然所致的特定误差。此外，如本文中所使用，术语“约”一般意指在给定值或范围的10％、5％、1％或0.5％内。替代地，如一般技术者所考量，术语“约”意指在平均数的可接受标准误差内。除在操作/工作实例之外，或除非另外明确规定，否则本文中所揭示的全部数值范围、数量、值及百分比(例如材料量、持续时间、温度、操作条件、数量比及其类似者的数值范围、数量、值及百分比)应被理解为在全部例项中由术语“约”修饰。因此，除非有相反指示，否则本揭示实施例及随附权利要求书中所阐述的数值参数是可根据期望变动的近似值。至少，应至少鉴于所报告的有效数字的数目且通过应用一般舍入技术来解释各数值参数。本文中可将范围表示为从一端点到另一端点或介于两个端点之间。除非另有说明，否则本文中所揭示的全部范围包含端点。图1是绘示根据一些实施例的集成电路102的电力网格100的横截面图。电力网格100是经布置以将电力从电源输送到集成电路102中的多个半导体单元(例如104及106)的导电网格。电力网格100也经布置以将多个半导体单元104及106导通到接地电压。电力网格100可形成于集成电路102的后段工艺(BEOL)上。根据一些实施例，电力网格100可包括形成于金属层M0、M1、M2、M3中的金属线及形成于金属层M0与M1之间、金属层M1与M2之间及金属层M2与M3之间的通路结构。应注意，金属层的数目仅为实施例的实例，且此并非实施例的限制。另外，电力网格100的金属线及通路结构可由各种导电材料组成。例如，导电材料可选自由以下组成的群组：钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、钽(Ta)、钌(Ru)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、氮化钌(RuN)及氮化钨(WN)及其合金。使金属层M0、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成集成电路的方法：在半导体衬底上形成导电网格，其中所述导电网格具有沿第一方向布置于第一导电层上的多个连续导线，及沿第二方向布置于第二导电层上的多个非连续导线；根据指派给多个第一导线的第一掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第一导线；根据指派给多个第二导线的第二掩模层而从所述多个非连续导线选择所述多个第二导线，其中所述第二掩模层不同于所述第一掩模层，且所述多个第二导线经由所述多个连续导线电连接到所述多个第一导线；及当所述多个第一导线具有切割金属图案且所述多个第二导线不具有所述切割金属图案时，由多个第三导线分别替换所述多个第二导线，其中将所述多个第三导线指派给所述第一掩模层。

【技术特征摘要】
2017.11.22 US 62/590,051;2018.02.23 US 15/903,5661.一种形成集成电路的方法：在半导体衬底上形成导电网格，其中所述导电网格具有沿第一方向布置于第一导电层上的多个连续导线，及沿第二方向布置于第二导电层上的多个非连续导线；根据指派给多个第一导线的第一掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·比斯瓦思，杨国男，王中兴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71