【技术实现步骤摘要】
一种在晶圆测试过程中动态调整测试条件的方法
本专利技术属于存储器晶圆制造
，涉及一种在晶圆测试过程中动态调整测试条件的方法。
技术介绍
现有的晶圆测试中，一旦测试程序发布，每一测试项的关键参数就固定不变，不可以修改，其测试流程如图1所示。随着DRAM制造工艺越来越小，同一批次中的不同晶圆以及不同批次中的晶圆在制作过程中都会存在工艺差异，这种差异会导致晶圆之间存在质量差异。在测试端呈现出的一个明显趋势是，由同一版测试程序测试的晶圆中，工艺误差较大的晶圆往往会因为测试参数的设定太宽松而导致大量质量不合格的芯片被判定为合格。这些不合格的芯片进入封装流程和后端测试流程会增加芯片封装的成本并降低后端测试的良率。如果这些芯片被发送给下游产品制造流程，会给最终产品造成质量问题。
技术实现思路
为了解决由于晶圆制作工艺差异导致的测试质量差异的问题，本专利技术的目的是提供一种在晶圆测试过程中动态调整测试条件的方法，该方法节省了封装的成本，并提高了后端测试的良率。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术手段：一种在晶圆测试过程中动态调整测试条件的方法，包括以下步骤：S100，晶圆起测...
【技术保护点】
1.一种在晶圆测试过程中动态调整测试条件的方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，晶圆起测；S200，监测测试项运行，使用该监测测试项的测试结果来预判当前被测晶圆的良率：如果通过监测测试项的结果预判当前被测晶圆良率合格，则按照第一组测试参数进行步骤S300；如果预判当前被测晶圆良率不合格，则按照第二组测试参数进行步骤S300；S300，按顺序执行晶圆常规测试项目；S400，测试结束。
【技术特征摘要】
1.一种在晶圆测试过程中动态调整测试条件的方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，晶圆起测；S200，监测测试项运行，使用该监测测试项的测试结果来预判当前被测晶圆的良率：如果通过监测测试项的结果预判当前被测晶圆良率合格，则按照第一组测试参数进行步骤S300；如果预判当前被测晶圆良率不合格，则按照第二组测试参数进行步骤S300；S300，按顺序执行晶圆常规测试项目；S400，测试结束。2.根据权利要求1所述的在晶圆测试过程中动态调整测试条件的方法，其特征在于，步骤S200中，监测测试项选择测试结果和良率相关性较强的测试项，且满足每片晶圆监测测试项的测试时间不大于整片晶圆测试时间的10％。3.根据权利要求2所述的在晶圆测试过程中动态调整测试条件的方法，其特征在于，测试结果和良率相关性较强是指晶圆测试数据中测试项的测试结果值分布曲线和晶圆的良率值分布曲线相同或相似。4.根据权利要求1所述的在晶圆测试过程中动态调整测试条件的方法，其特征在于，步骤S200中，预判当前被测晶圆的良率具体步骤为：在监测测试项运行完成后，将监测测试...
【专利技术属性】
技术研发人员：王帆，黄华，史丽君，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61
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