NAND存储器及其坏块标记方法技术

本申请公开一种NAND存储器及其坏块标记方法，所述NAND存储器中的存储块被划分为多个存储空间大小相同的子存储块，且每个子存储块设置有子存储块地址，因此，当NAND存储器中的几个字线存在缺陷时，即检测到缺陷字线时，可以将缺陷字线所对应的子存储块标记为坏块，而不是将缺陷字线对应的存储块整块标记为坏块，从而扩展了NAND存储器的可用空间，充分利用了存储块中未出现缺陷字线对应的子存储块的存储空间，改善了存储空间浪费的问题。所述坏块标记方法，基于上面所述的NAND存储器，在检测出故障点后，标记子存储块为坏块，而非标记存储块为坏块，从而使得存储空间增大，进而扩大了可使用的存储空间。

【技术实现步骤摘要】
NAND存储器及其坏块标记方法
本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种NAND存储器及其坏块标记方法。
技术介绍
由于NAND存储器实现原理的限制，在生产过程中有可能产生坏块(badBlock或者称为无效块，invalidBlock)。在NAND存储器的使用中，存储块地址(Blockaddress)是标记坏块的最小可寻址单元。任何存储块被标记为坏块，则此存储块(Block)将不能用于存储有效数据。然而，这样会造成存储空间浪费的问题，而且随着NAND存储器中一个存储块的存储空间越来越大，存储空间浪费的问题将更加严重。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种NAND存储器及其坏块标记方法，以解决现有技术中存储块的存储空间越来越大，整个存储块被标记为坏块时，造成存储空间浪费严重的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种NAND存储器，所述存储器包括至少一个存储块，每个所述存储块包括多个字线组以及至少一条虚字线；所述存储器还包括：多个子存储块；其中，每个所述存储块划分为多个存储空间大小相同的子存储块，每个所述子存储块设置有子存储块地址。优选地，每个所述存储块中的多个所述子存储块是以所述字线组的位置划分得到的。优选地，若所述存储器中包括至少一个无效的子存储块，则所述子存储块中的所有字线设置为虚字线。本专利技术还提供一种NAND存储器的坏块标记方法，所述NAND存储器为上面任意一项所述的NAND存储器，所述坏块标记方法包括：对所述NAND存储器中的字线进行检测；当检测到一字线为故障字线情况下，依据所述字线与子存储块的对应关系，确定所述字线对应的子存储块；标记所述字线所在的子存储块为无效的子存储块。优选地，所述对所述NAND存储器中的字线进行检测，具体包括：按照所述NAND存储器中的由底部选择栅指向顶部选择栅的方向，对所述NAND存储器中的字线依次进行检测。优选地，还包括：记录所述NAND存储器中无效的子存储块的地址，并生成子存储块坏块地址表。优选地，所述记录所述NAND存储器中无效的子存储块的地址，并生成子存储块坏块地址表，具体包括：将标记的所述字线所在的子存储块的地址保存到预置的子存储块坏块地址表中；将所述子存储块坏块地址表固化到所述NAND存储器的存储阵列中。经由上述的技术方案可知，本专利技术提供的NAND存储器中的存储块被划分为多个存储空间大小相同的子存储块，且每个子存储块设置有子存储块地址，因此，当NAND存储器中的几个字线存在缺陷时，即检测到缺陷字线时，可以将缺陷字线所对应的子存储块标记为坏块，而不是将缺陷字线对应的存储块整块标记为坏块，从而能够将缺陷字线所对应的存储块中的其他子存储块用来存储数据，从而扩展了NAND存储器的可用空间，充分利用了存储块中未出现缺陷字线对应的子存储块的存储空间，改善了存储空间浪费的问题。本专利技术还提供一种坏块标记方法，基于上面所述的NAND存储器，在检测出故障点后，标记子存储块为坏块，而非标记存储块为坏块，从而使得存储空间增大，进而扩大了可使用的存储空间。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为一个存储块的剖面结构示意图；图2为本专利技术提供的一种NAND存储器剖面结构示意图；图3为NAND存储器的坏块标记方法流程示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种NAND存储器访问方法流程示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种特性设置示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种NAND存储器访问装置结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。NAND存储器由多个存储块Block构成，每个存储块Block由多个页Page构成。Block是擦除操作的最小单元，Page为编程的最小单元。在物理结构上，每个存储块Block包括多条字线WL。请参见图1，图1为字线条数为128条对应的存储块的剖面结构示意图；所述存储块Block由下向上依次包括底部选择栅(Bottomselectivegate)BSG、多条字线WL、顶部选择栅(Topselectivegate)TSG以及通常设置在多条字线WL边缘区域，靠近顶部选择栅TSG和底部选择栅BSG的多条虚字线Dmy；所述存储块Block还包括多个与字线WL垂直的沟道孔(channelhole)CH和阵列共源极(Arraycommonsource)ACS，本专利技术实施例中存储器的其他结构不做详细描述。由于制作工艺原因，图1所示的存储块中多条字线WL之间还设置有多条虚字线Dmy，在本专利技术的其他实施例中多条字线WL之间还可以不设置虚字线Dmy。由于图1所示的存储块Block包括128条字线，若其中一条或多条字线WL存在缺陷，在存储器出厂前进行检测时，会将整个存储块Block标记为坏块，并由坏块的地址生成Block坏块表，存储在存储器中，而当系统使用过程中读取Block坏块表中坏块的地址，从而不将数据存储在坏块中。然而，由于一个存储块Block中包括多条字线，除了存在缺陷的几条字线无法正常使用，其他字线WL都还是正常的，字线WL对应的Page中的存储单元还可以正常存储数据，因此，这样造成了存储空间的较大浪费，空间损耗较大，也降低了NAND存储器的使用寿命。例如，假设NAND存储器中的BlockX中的Page2出现了错误bit数量超过阈值时，则整个Block都被标识为坏块，该BlockX上所有的Page都作为坏块空间直接丢弃，系统在使用中直接跳过该BlockX。实际上该BlockX上除了Page2无法正常使用外，其他Page都是正常的，都还可以正常使用的，这就带来了非常大的空间浪费。而且，如表1所示，随着NAND存储器技术的发展，不同产品里面字线层数越来越多，对应的单个存储块的存储空间越来越大。表1不同产品里面单个块的存储空间其中，表1中，现有产品A、现有产品B和现有产品C均代表某个存储器，表1中仅举例说明现有存储器的字线层数与存储块的存储空间大小关系，并不限定为某个存储器产品。由于单个存储块的存储空间越来越大，那么当出现坏块的时候，造成的浪费则越来越严重。基于此，本申请中提供一种NAND存储器，如图2所示，图2为本专利技术提供的一种NAND存储器剖面结构示意图；存储器包括至少一个存储块，每个所述存储块包括多个字线组(10和20)以及至少一条虚字线Dmy；所述存储器还包括：多个子存储块(Sub-Block-0和Sub-Block-1)，其中，每个所述存储块划分为多个存储空间大小相同的子存储块，每个所述子存储块设置有子存储块地址。以存储块包括128条字线为例进行说明，如图2所示，本实施例中每个所述存储块中的多个所述子存储块是以所述字线组的位置划分得到的。存储器在制作过程中会产生多条连续的字线，因此根据多条字线所处的位置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND存储器，其特征在于，所述存储器包括至少一个存储块，每个所述存储块包括多个字线组以及至少一条虚字线；所述存储器还包括：多个子存储块；其中，每个所述存储块划分为多个存储空间大小相同的子存储块，每个所述子存储块设置有子存储块地址。

【技术特征摘要】
1.一种NAND存储器，其特征在于，所述存储器包括至少一个存储块，每个所述存储块包括多个字线组以及至少一条虚字线；所述存储器还包括：多个子存储块；其中，每个所述存储块划分为多个存储空间大小相同的子存储块，每个所述子存储块设置有子存储块地址。2.根据权利要求1所述的NAND存储器，其特征在于，每个所述存储块中的多个所述子存储块是以所述字线组的位置划分得到的。3.根据权利要求4所述的NAND存储器，其特征在于，若所述存储器中包括至少一个无效的子存储块，则所述子存储块中的所有字线设置为虚字线。4.一种NAND存储器的坏块标记方法，其特征在于，所述NAND存储器为权利要求1-3任意一项所述的NAND存储器，所述坏块标记方法包括：对所述NAND存储器中的字线进行检测；当检测到一字线为故障字线情况下，依据所述字线与子存储块的对应...

【专利技术属性】
技术研发人员：井冲，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42