地址控制电路以及包括其的半导体器件制造技术

技术编号:19967413 阅读:32 留言:0更新日期:2019-01-03 14:30
本申请可以提供一种地址控制电路。地址控制电路可以包括:第一路径电路,其被配置为根据控制信号和地址信号来产生块选择信号。地址控制电路可以包括:第二路径电路,其被配置为使用控制信号来产生在与地址信号的转变定时基本相同的定时处进行转变的虚设地址信号,并且使用虚设地址信号来产生用于锁存块选择信号的地址锁存信号。

Address Control Circuits and Semiconductor Devices Including them

This application can provide an address control circuit. The address control circuit may include a first path circuit configured to generate block selection signals based on control signals and address signals. The address control circuit may include a second path circuit configured to use a control signal to generate a fictitious address signal transformed at a timing substantially the same as the conversion timing of the address signal, and to use the fictitious address signal to generate an address latch signal for the latch block selection signal.

【技术实现步骤摘要】
地址控制电路以及包括其的半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求2017年6月26日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0080529的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。
各种实施例总体而言涉及一种半导体器件,更具体地,涉及一种地址控制电路以及包括其的半导体装置。
技术介绍
半导体装置可以包括存储单元阵列,并且存储单元阵列可以被划分为存储体单元(在下文中,被称为存储体)。根据从外部设备输入的地址信号,可以产生用于选择选自多个存储体之中的存储体的某个区域(例如,MAT)的块选择信号。用于将块选择信号锁存在对应的存储体中的地址锁存信号可以响应于根据命令组合的存储体激活信号而产生。这里,地址锁存信号的来源与块选择信号的来源不同,并且应当确保用于修复操作等的定时裕度。因此,地址锁存信号别无选择,只能产生相对于块选择信号的定时偏斜,并且半导体装置的操作性能可能由于这种定时偏斜而劣化。
技术实现思路
在一个实施例中,可以提供一种地址控制电路。地址控制电路可以包括:第一路径电路,其被配置为根据控制信号和地址信号来产生块选择信号。地址控制电路可以包括:第二路径电路,其被配置为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种地址控制电路,包括:第一路径电路,其被配置为根据控制信号和地址信号来产生块选择信号;以及第二路径电路,其被配置为使用控制信号来产生在与地址信号的转变定时基本相同的定时处进行转变的虚设地址信号,并且使用虚设地址信号来产生用于锁存块选择信号的地址锁存信号。

【技术特征摘要】
2017.06.26 KR 10-2017-00805291.一种地址控制电路,包括:第一路径电路,其被配置为根据控制信号和地址信号来产生块选择信号;以及第二路径电路,其被配置为使用控制信号来产生在与地址信号的转变定时基本相同的定时处进行转变的虚设地址信号,并且使用虚设地址信号来产生用于锁存块选择信号的地址锁存信号。2.根据权利要求1所述的地址控制电路,其中,控制信号包括外部激活信号、内部激活信号和刷新信号中的至少一种。3.根据权利要求1所述的地址控制电路,其中,第一路径电路包括:地址选择电路,其被配置为根据控制信号来选择地址信号并产生内部地址信号;地址锁存器,其被配置为锁存内部地址信号;以及块地址解码器,其被配置为对地址锁存器的输出进行解码并产生块选择信号。4.根据权利要求1所述的地址控制电路,其中,第二路径电路被配置为具有与第一路径电路的传播延迟时间基本相同的传播延迟时间。5.根据权利要求1所述的地址控制电路,其中,第二路径电路包括通过复制第一路径电路的内部电路配置而形成的电路配置。6.根据权利要求1所述的地址控制电路,其中,第二路径电路设置在与第一路径电路的区域相同的区域中。7.根据权利要求1所述的地址控制电路,其中,第一路径包括与地址信号沿其传递以产生块选择信号的路径相对应的电路组件。8.根据权利要求1所述的地址控制电路,其中,第二路径包括与虚设地址信号沿其传递以产生地址锁存信号的路径相对应的电路组件,所述虚设地址信号具有与地址信号的转变定时基本相同的转变定时。9.根据权利要求3所述的地址控制电路,其中,第二路径电路包括:虚设地址选择电路,其通过复制地址选择电路来配置,并且被配置为根据控制信号来使用电源电压产生虚设地址信号;虚设地址锁存器,其通过复制地址锁存器来配置,并且被配置为锁存虚设地址信号;以及脉冲发生器,其被配置为响应于虚设地址锁存器的输出信号的转变来产生地址锁存信号。10.根据权利要求9所述的地址控制电路,其中,脉冲发生器被设计成具有与块地址解码器的传播延迟时间基本相同的传播延迟时间,或者被设计为使得通过延迟时间的变化来实现延迟时间补偿。11.一种半导体装置,包括:存储区域,其包括多个存储体,每个存储体被配置为根据地址锁存信号来接收块...

【专利技术属性】
技术研发人员:李炳喆
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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