【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种存储器控制器及其操作方法、存储系统。
技术介绍
1、非易失性存储器装置已经广泛应用于各个领域的电子器件中。闪存是可以被电擦除并重新编程的使用最为广泛的非易失性存储器装置之一，闪存可以包括nor和nand两种架构的存储器装置。在对闪存操作时，可以按照块级别执行擦除操作，可以按照存储页320级别执行编程操作，可以按照存储单元级别执行读取操作。多状态闪存的编程通过识别多个不同的读取参考电压范围而实现。由于nand的特性影响(读、写、擦的单位不一致，每个存储块有p/e次数限制)，nand容易出现数据滞留和读取干扰，从而导致数据发生错误，因此需要在nand上增加一个闪存转换层ftl(flash translation layer的缩写)，通过ftl中的rd&dr管理机制帮助增强数据的可靠性。
技术实现思路
1、本申请提供一种存储器控制器及其操作方法、存储系统，可以存储器装置的写放大系数增大以及存储器装置的使用寿命缩短的技术问题。
2、本申请提供一种存储器控制器的操作方法，包括：
3、启动步骤：在从存储块读取的数据属于可纠正纠错码数据，且所述存储块的错误位计数大于特定值时，进入高阶纠错模式；
4、检测步骤：查核所述错误位计数的诱因类型是否为电荷泄漏；
5、补救步骤：若所述诱因类型为所述电荷泄漏，对所述存储块补充施加编程脉冲信号。
6、在本申请的一实施方案中，所述启动步骤之前包括：
7、
8、在本申请的一实施方案中，还包括：
9、在从存储块读取的数据属于可纠正纠错码数据，且在所述存储块的错误位计数小于所述特定值时，直接通过硬解码模块纠错校正后结束所述存储块的纠错流程。
10、在本申请的一实施方案中，所述存储器装置包括至少一个存储单元，所述存储单元提供至多2n个态用于存储n位的数据，所述检测步骤包括：
11、在保持除了所述2n个态中的末位m个高阶态以外的剩余多个低阶态的读取参考电压不变的前提下，降低所述m个高阶态的读取参考电压；m、n均为正整数；
12、读取所述存储块的错误位计数；
13、若所述检测步骤中读取所述存储块的错误位计数小于所述启动步骤中的错误位计数，确认所述诱因类型为所述电荷泄漏。
14、在本申请的一实施方案中，还包括：
15、若所述检测步骤中读取所述存储块的错误位计数大于所述启动步骤中的错误位计数，对所述存储块进行刷新操作。
16、在本申请的一实施方案中，所述对所述存储块补充施加编程脉冲信号包括：
17、在编程操作期间对所述存储块以递增步进脉冲方式补充施加多个所述编程脉冲信号。
18、在本申请的一实施方案中，所述对所述存储块补充施加编程脉冲信号包括：
19、在编程操作期间对所述存储块采用一次编程模式补充施加一个所述编程脉冲信号。
20、在本申请的一实施方案中，对所述存储块以递增步进脉冲方式补充施加多个编程脉冲信号的过程中，每施加一个所述编程脉冲信号之后均进行一次校验。
21、本申请另一方面，提供一种存储器控制器，所述存储器控制器用于控制存储器装置，所述存储器控制器被配置为：
22、启动步骤：在从存储块读取的数据属于可纠正纠错码数据，且所述存储块的错误位计数大于特定值时，进入高阶纠错模式；
23、检测步骤：查核所述错误位计数的诱因类型是否为电荷泄漏；
24、补救步骤：若所述诱因类型为所述电荷泄漏，对所述存储块补充施加编程脉冲信号。
25、在本申请的一实施方案中，所述存储器控制器还被配置为：
26、在所述存储块中存储的数据属于不可校正纠错码数据时，对所述存储块进行刷新操作。
27、在本申请的一实施方案中，所述存储器控制器还被配置为：
28、在从存储块读取的数据属于可纠正纠错码数据，且在所述存储块的错误位计数小于所述特定值时，直接通过硬解码模块纠错校正后结束所述存储块的纠错流程。
29、在本申请的一实施方案中，所述存储器装置包括至少一个存储单元，所述存储单元提供至多2n个态用于存储n位的数据，所述存储器控制器还被配置为：
30、在保持除了所述2n个态中的末位m个高阶态以外的剩余多个低阶态的读取参考电压不变的前提下，降低所述m个高阶态的读取参考电压；m、n均为正整数；
31、判断再次读取所述存储块时所述错误位计数是否小于所述启动步骤中的错误位计数；
32、读取所述存储块的错误位计数；
33、若所述检测步骤中读取所述存储块的错误位计数小于所述启动步骤中的错误位计数，确认所述诱因类型为所述电荷泄漏。
34、在本申请的一实施方案中，所述存储器控制器还被配置为：
35、若所述检测步骤中读取所述存储块的错误位计数大于所述启动步骤中的错误位计数，确定所述诱因类型为读取干扰或其他因素，对所述存储块进行刷新操作。
36、在本申请的一实施方案中，所述存储器控制器还被配置为：
37、在编程操作期间对所述存储块以递增步进脉冲方式补充施加多个所述编程脉冲信号。
38、在本申请的一实施方案中，所述存储器控制器还被配置为：
39、在编程操作期间对所述存储块采用一次编程模式补充施加一个所述编程脉冲信号。
40、在本申请的一实施方案中，所述存储器控制器还被配置为：
41、对所述存储块以递增步进脉冲方式补充施加多个编程脉冲信号的过程中，每施加一个所述编程脉冲信号之后均进行一次校验。
42、本申请另一方面，提供一种存储系统，包括：存储器装置以及上述的存储器控制器，所述存储器控制器用于控制所述存储器装置，其中，所述存储器控制器被配置为：
43、启动步骤：若从存储块读取的数据属于可校正纠错码，且在所述存储块的错误位计数大于特定值时；
44、检测步骤：查核所述错误位计数的诱因类型是否为电荷泄漏；
45、补救步骤：若所述诱因类型为所述电荷泄漏，对所述存储块补充施加编程脉冲信号。
46、本申请由于采用以上技术方案，具有如下显著优点：
47、本申请上电过程定期扫全盘的过程中，当读到存储块中的数据属于hecc数据的时候，增加判断引起hecc是否由电荷泄漏造成的过程，如果是，可以在编程期间多补打几个编程脉冲信号，不用将该存储块的数据重新编写到另外一个存储块上，避免增大waf，可以增长产品的使用寿命。
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1.一种存储器控制器的操作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，所述启动步骤之前包括：
3.根据权利要求1所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括至少一个存储单元，所述存储单元提供至多2N个态用于存储N位的数据，所述检测步骤包括：
5.根据权利要求1所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1-5任一项所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，所述对所述存储块补充施加编程脉冲信号包括：
7.根据权利要求1-5任一项所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，所述对所述存储块补充施加编程脉冲信号包括：
8.根据权利要求6所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，对所述存储块以递增步进脉冲方式补充施加多个编程脉冲信号的过程中，每施加一个所述编程脉冲信号之后均进行一次校验。
9.一种存储器控制器，所述存储器控制器用于控制存储器，其特征在
10.根据权利要求9所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
11.根据权利要求9所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
12.根据权利要求9所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器包括至少一个存储单元，所述存储单元提供至多2N个态用于存储N位的数据，所述存储器控制器还被配置为：
13.根据权利要求12所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
14.根据权利要求9-13任一项所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
15.根据权利要求9-13任一项所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
16.根据权利要求14所述的存储器控制器，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：
17.一种存储器系统，其特征在于，包括：存储器；以及权利要求9至16任一项所述的存储器控制器，所述存储器控制器用于控制所述存储器，其中，所述存储器控制器被配置为：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器控制器的操作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，所述启动步骤之前包括：
3.根据权利要求1所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括至少一个存储单元，所述存储单元提供至多2n个态用于存储n位的数据，所述检测步骤包括：
5.根据权利要求1所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1-5任一项所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，所述对所述存储块补充施加编程脉冲信号包括：
7.根据权利要求1-5任一项所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，所述对所述存储块补充施加编程脉冲信号包括：
8.根据权利要求6所述的存储器控制器的操作方法，其特征在于，对所述存储块以递增步进脉冲方式补充施加多个编程脉冲信号的过程中，每施加一个所述编程脉冲信号之后均进行一次校验。
9.一种存储器控制器，所述存储器控制器用于控制存储器...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄真，李康，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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