【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于存储器冗余的高效感测放大器移位相关申请的交叉引用本申请要求2016年8月1日提交的美国专利申请No.15/225,744的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
本申请涉及具有列冗余的存储器,并且更特别地涉及具有增大的密度和功率效率的利用感测放大器移位列冗余的存储器。
技术介绍
列冗余允许存储器阵列利用冗余列来替换坏列。该冗余可以使用感测放大器(SA)移位或I/O移位的粒度来执行。在两种类型的存储器冗余中,存储器阵列包括偶数列和奇数列。为了从存储器读取偶数字,偶数列中的感测放大器被启用。类似地,只有奇数列中的感测放大器被启用从存储器读取奇数字。关于这些列类型,感测放大器移位更密集,因为只是感测放大器位片被用来替换有缺陷的列,而不论有缺陷的列是偶数还是奇数。相比之下,通过I/O移位的存储器冗余要求冗余的偶数列和冗余的奇数列。I/O移位因此较不密集,因为它要求比感测放大器移位存储器冗余方案更多的冗余列。虽然感测放大器移位有利地更密集,但是通用冗余列(其可以被实例化为用于有缺陷的偶数列或用于有缺陷的奇数列的替换物)的实施要求复杂的控制逻辑。例如,具有感测放大器移位的存 ...
【技术保护点】
1.一种存储器,包括:从第一列到最后列被布置的多个列,其中每个列包括感测放大器和读取线,并且其中所述感测放大器被配置为利用针对所述列的比特判决来驱动所述读取线;在所述最后列之后的冗余列,其中所述冗余列包括冗余感测放大器和冗余读取线,并且其中所述冗余感测放大器被配置为利用针对所述冗余列的比特判决来驱动所述冗余读取线;与所述多个列相对应的多个复用器,其中所述复用器从与所述第一列相对应的第一复用器到与所述最后列相对应的最后复用器被布置,其中所述多个复用器中的所述第一复用器到倒数第二复用器均被配置为在来自所述复用器的对应列的所述读取线与来自所述复用器的对应列的紧接后续列的读取线之间 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.01 US 15/225,7441.一种存储器,包括:从第一列到最后列被布置的多个列,其中每个列包括感测放大器和读取线,并且其中所述感测放大器被配置为利用针对所述列的比特判决来驱动所述读取线;在所述最后列之后的冗余列,其中所述冗余列包括冗余感测放大器和冗余读取线,并且其中所述冗余感测放大器被配置为利用针对所述冗余列的比特判决来驱动所述冗余读取线;与所述多个列相对应的多个复用器,其中所述复用器从与所述第一列相对应的第一复用器到与所述最后列相对应的最后复用器被布置,其中所述多个复用器中的所述第一复用器到倒数第二复用器均被配置为在来自所述复用器的对应列的所述读取线与来自所述复用器的对应列的紧接后续列的读取线之间进行选择,并且其中所述最后复用器被配置为在来自最后列的所述读取线与所述冗余读取线之间进行选择;以及译码器,被配置为响应于所述列中的有缺陷的列中的缺陷,将所述第一复用器到所述列中的所述有缺陷的列之前的最终复用器控制为均从它们的对应列中选择所述读取线,并且将用于所述有缺陷的列的复用器到所述倒数第二复用器控制为均从它们的对应列的紧接后续列中选择所述读取线,并且控制所述最后复用器从所述冗余列中选择所述读取线。2.根据权利要求1所述的存储器,其中所述译码器还被配置为:响应于每个列中不存在缺陷,将每个复用器控制为均从它们的对应列中选择所述读取线。3.根据权利要求1所述的存储器,其中所述列被配置为在用于存储偶数字的偶数列与用于存储奇数字的奇数列之间交替,并且其中所述译码器还被配置为:当所述字中的偶数字和奇数字从所述存储器中被读取时,维持所述复用器的所述配置是静态的。4.根据权利要求3所述的存储器,还包括与所述多个复用器相对应的多个锁存器,并且其中每个锁存器被配置为存储来自对应复用器的输出。5.根据权利要求4所述的存储器,其中每个复用器是2:1复用器。6.根据权利要求1所述的存储器,其中每个复用器包括未移位开关,当所述复用器被配置为选择所述对应列的所述读取线时,所述未移位开关被闭合。7.根据权利要求6所述的存储器,其中从所述第一复用器到所述倒数第二复用器中的每个复用器包括移位开关,当所述复用器被配置为选择对应列的紧接后续列的所述读取线时,所述移位开关被闭合。8.根据权利要求1所述的存储器,其中每个列包括多个静态随机访问存储器(SRAM)单元。9.一种用于存储器的方法,包括:对于从第一列到最后列所布置的多个列,其中所述最后列之后是冗余列,识别所述列中的有缺陷的列,其中所述列进一步从所述第一列到所述有缺陷的列之前的最终列并且从所述有缺陷的列到所述最后列被布置;对于与所述多个列相对应的多个复用器,所述多个复用器从与...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·戈什,晶昌镐,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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