一种对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法、装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法、装置，其中，所述方法包括：对组成芯片的每个电路die进行常温微调trim，以及对芯片中FLASH的数据区DM进行常温测试；对所述FLASH的DM进行高温测试及烘烤测试；若经过烘烤测试后所述FLASH的数据不丢失，当所述FLASH的DM的温度等于或低于常温后，对该FLASH的DM以及该FLASH所在芯片中的其他部件进行常温测试。本发明专利技术能够保证FLASH和芯片处于最佳状态，避免测试过程中对芯片的过度筛选。

【技术实现步骤摘要】
一种对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法、装置
本专利技术涉及晶圆测试技术，尤指一种对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法、装置。
技术介绍
半导体电路最初是以晶圆形式制造出来的。晶圆是一个圆形的硅片，在这个半导体的基础之上，建立了许多独立的单个的电路，一片晶圆上的这种单个电路被称为die。每一个die都是一个完整的电路，和其他的die没有电路上的联系。当制造过程完成，晶圆上的每个die都必须经过测试。测试一个晶圆称为“Circuitprobing”(即CP)、“Waferporbing”或者“Diesort”。在这个过程中，测试每个die以确保die能基本满足器件的特征或设计规格书。如果一个die没有通过测试，则该die被标示为失效的die，被丢弃。通过测试的die被封装成通常看到的芯片形式。双界面智能卡芯片中包含的非易失性存储器主要有EEPROM和FLASH，FLASH具有成本低，面积小，容量大，低工艺的特点。随着工艺制程越来越低，智能卡功能越来越多，FLASH开始广泛应用于智能卡芯片中。在一些情况下，对包含FLASH的芯片进行圆晶级测试可以包括以下测试环节：对芯片进行第一晶圆级测试；若第一晶圆级测试通过，则在芯片的闪存模块第一指定位置写入第一晶圆级测试通过的第一标识信息，读取第一标识信息，进行第二晶圆级测试；若第二晶圆级测试通过，则在芯片的闪存模块第二指定位置写入第二晶圆级测试通过的第二标识信息，读取第二标识信息，进行成品级测试；若成品级测试通过，则在所述芯片的闪存模块第三指定位置写入成品级测试通过的第三标识信息，读取第三标识信息，进行出库测试。上述对包含FLASH的芯片进行圆晶级测试不能保证FLASH和芯片处于最佳状态，这样会过度筛选掉很多好的die；上述测试没有考虑FLASH在极端环境下的数据丢失，若数据丢失后，无法再标识其标识位，进而导致后续测试无法继续。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法、装置，能够保证FLASH和芯片处于最佳状态，避免测试过程中对芯片的过度筛选。为了达到本专利技术目的，本专利技术提供了一种对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法，所述方法包括：对组成芯片的每个电路die进行常温微调trim，以及对芯片中FLASH的数据区DM进行常温测试；对所述FLASH的DM进行高温测试及烘烤测试；若经过烘烤测试后所述FLASH的数据不丢失，当所述FLASH的DM的温度等于或低于常温后，对该FLASH的DM以及该FLASH所在芯片中的其他部件进行常温测试。作为一种实现方式，所述对组成芯片的每个电路die进行常温trim，包括：选择芯片中电源管理单元PMU的最佳trim值；选择芯片中FLASH的最佳trim值；将PMU和FLASH的最佳trim值写入FLASH的安全SM；芯片上电时，自动加载FLASH的SM存储的trim值，计算所存储的trim值的CRC值后将所述CRC值写入FLASH的SM；所述SM存储的trim值包括所述PMU的最佳trim值、FLASH的最佳trim值以及trim备份值，所述trim备份值为PMU最佳trim值的取反值以及FLASH最佳trim值的取反值；利用所述CRC值校验FLASH的SM存储的trim值。作为一种实现方式，所述方法还包括：对所述FLASH的DM进行高温测试之前，自动从FLASH的SM读取存储的trim值，并将该存储trim值发送至所述FLASH和PMU。作为一种实现方式，所述方法还包括：若经过烘烤测试后所述FLASH的数据不丢失，当所述FLASH的DM的温度等于或低于常温后，对该FLASH的DM以及该FLASH所在芯片中的其他部件进行常温测试之前，自动加载FLASH的SM存储的trim值，并且计算存储trim值的CRC值后将所述CRC值写入FLASH的SM。作为一种实现方式，所述判断经过烘烤测试后的FLASH的数据是否丢失，包括：对FLASH的SM存储的trim值和CRC值进行校验，若trim备份值为最佳trim值的取反值，且FLASH存储的CRC值与由FLASH存储的trim值计算得到的CRC值相等，则所述经过烘烤测试后的FLASH的数据没有发生丢失。作为一种实现方式，接收第一机台的指令对组成芯片的每个电路die进行常温trim，以及对芯片中FLASH的DM进行常温测试；接收第二机台的指令对所述FLASH的DM进行高温测试；接收第三机台的指令对所述FLASH的DM进行烘烤测试，若经过烘烤测试后所述FLASH的数据不丢失，当所述FLASH的DM的温度等于或低于常温后，对该FLASH的DM以及该FLASH所在芯片中的其他部件进行常温测试。本专利技术实施例还提供了一种对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试装置，包括：输入输出IO模块，用于作为被测芯片与机台通信的接口，接收来自机台的指令；测试模块，用于将所述来自机台的指令解析成控制信号后进行测试，所述测试包括：对组成芯片的每个电路die进行常温微调trim，以及对芯片中FLASH的DM进行常温测试；对所述FLASH的DM进行高温测试及烘烤测试；若经过烘烤测试后所述FLASH的数据不丢失，当所述FLASH的DM的温度等于或低于常温后，对该FLASH的DM以及该FLASH所在芯片中的其他部件进行常温测试。作为一种实现方式，所述测试模块包括：指令字解析单元，用于将所述来自机台的不同指令解析成不同控制信号后发送，所述指令的类型包括：微调电源管理单元PMU指令，微调FLASH指令，以及将微调值trim写入FLASH的SM指令，自动加载FLASH的SM存储的trim值并计算CRC后写入FLASH指令，CRC校验指令，擦写读FLASH的DM的指令，以及对芯片中的其他部件进行常温测试指令；trim接口值选择单元，用于接收控制信号，选择trim值给PMU和FLASH；写入FLASH的数据选择单元，用于接收控制信号将数据存储至FLASH；加载FLASH的数据单元，用于在芯片上电后，自动加载FLASH存储的trim值，或自动加载FLASH存储的trim值和CRC值；校验单元，用于根据加载的FLASH存储的trim值计算CRC，以及利用CRC进行校验。本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令被处理器执行时实现如前所述的对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法的步骤。本专利技术实施例还提供了一种对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试终端，包括：存储器，用于存储计算机可执行指令；处理器，用于执行所述计算机可执行指令，以实现如前所述的对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法的步骤。与现有技术相比，本专利技术包括对组成芯片的每个电路die进行常温微调trim，以及对芯片中FLASH的数据区DM进行常温测试；对所述FLASH的DM进行高温测试及烘烤测试；若经过烘烤测试后所述FLASH的数据不丢失，当所述FLASH的DM的温度等于或低于常温后，对该FLASH的DM以及该FLASH所在芯片中的其他部件进行常温测试。本专利技术实施例能够保证FLASH和芯片处于最佳状态，避免测试过程中对芯片的过度筛选。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法，其特征在于，包括：对组成芯片的每个电路die进行常温微调trim，以及对芯片中FLASH的数据区DM进行常温测试；对所述FLASH的DM进行高温测试及烘烤测试；若经过烘烤测试后所述FLASH的数据不丢失，当所述FLASH的DM的温度等于或低于常温后，对该FLASH的DM以及该FLASH所在芯片中的其他部件进行常温测试。

【技术特征摘要】
1.一种对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法，其特征在于，包括：对组成芯片的每个电路die进行常温微调trim，以及对芯片中FLASH的数据区DM进行常温测试；对所述FLASH的DM进行高温测试及烘烤测试；若经过烘烤测试后所述FLASH的数据不丢失，当所述FLASH的DM的温度等于或低于常温后，对该FLASH的DM以及该FLASH所在芯片中的其他部件进行常温测试。2.根据权利要求1所述的对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法，其特征在于，所述对组成芯片的每个电路die进行常温trim，包括：选择芯片中电源管理单元PMU的最佳trim值；选择芯片中FLASH的最佳trim值；将PMU和FLASH的最佳trim值写入FLASH的安全SM；芯片上电时，自动加载FLASH的SM存储的trim值，计算所存储的trim值的CRC值后将所述CRC值写入FLASH的SM；所述SM存储的trim值包括所述PMU的最佳trim值、FLASH的最佳trim值以及trim备份值，所述trim备份值为PMU最佳trim值的取反值以及FLASH最佳trim值的取反值；利用所述CRC值校验FLASH的SM存储的trim值。3.根据权利要求2所述的对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法，其特征在于，还包括：对所述FLASH的DM进行高温测试之前，自动从FLASH的SM读取存储的trim值，并将该存储trim值发送至所述FLASH和PMU。4.根据权利要求2所述的对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法，其特征在于，所述方法还包括：若经过烘烤测试后所述FLASH的数据不丢失，当所述FLASH的DM的温度等于或低于常温后，对该FLASH的DM以及该FLASH所在芯片中的其他部件进行常温测试之前，自动加载FLASH的SM存储的trim值，并且计算存储trim值的CRC值后将所述CRC值写入FLASH的SM。5.根据权利要求4所述的对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法，其特征在于，判断所述经过烘烤测试后的FLASH的数据是否丢失，包括：对FLASH的SM存储的trim值和CRC值进行校验，若trim备份值为最佳trim值的取反值，且FLASH存储的CRC值与由FLASH存储的trim值计算得到的CRC值相等，则所述经过烘烤测试后的FLASH的数据没有发生丢失。6.根据权利要求1所述的对含闪存FLASH芯片的晶圆级测试方法，其特征在于，接收第一机台的指令对组成芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈思迪，刘蕊丽，
申请(专利权)人：大唐微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11