半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底中具有凹槽；位于所述凹槽底部和侧壁中的源漏掺杂区；位于所述衬底上的介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构侧壁，所述介质层中具有接触孔，所述接触孔与所述凹槽贯通，在平行于沟道长度方向上，所述凹槽的尺寸大于所述接触孔的尺寸；位于所述第凹槽底部和侧壁表面的金属化物；位于所述接触孔和凹槽中的插塞，所述金属化物位于所述插塞和源漏掺杂区之间。所述半导体结构能够减小金属化物与所述源漏掺杂区之间的接触电阻。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断进步，半导体器件的特征尺寸逐渐变小。关键尺寸的缩小意味着在芯片上可布置更多数量的晶体管，同时给半导体工艺提出了更高的要求。由于金属具有良好的导电性，在半导体技术中，往往通过金属插塞实现源漏掺杂区与外部电路的电连接。然而，由于金属与半导体之间的费米能级相差较大，金属插塞与源漏掺杂区之间的势垒较高，导致金属插塞与源漏掺杂区之间的接触电阻较大。现有技术通过在金属插塞与源漏掺杂区之间形成金属硅化物来降低接触电阻，提高半导体结构的性能。然而，现有技术形成的半导体结构仍然存在金属硅化物与源漏掺杂区之间的接触电阻较大或者寄生电容较大的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以减小金属硅化物与源漏掺杂区之间的接触电阻，同时降低寄生电容。为解决上述问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底；位于所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底中具有凹槽；位于所述凹槽底部和侧壁暴露出的衬底中的源漏掺杂区；位于所述衬底上的介质层，所述介质层覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底中具有凹槽；位于所述凹槽底部和侧壁暴露出的衬底中的源漏掺杂区；位于所述衬底上的介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构侧壁，所述介质层中具有接触孔，所述接触孔与所述凹槽贯通，在平行于沟道长度方向上，所述凹槽的尺寸大于所述接触孔的尺寸；位于所述凹槽底部和侧壁表面的金属化物；位于所述接触孔和凹槽中的插塞，所述金属化物位于所述插塞和源漏掺杂区之间。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底中具有凹槽；位于所述凹槽底部和侧壁暴露出的衬底中的源漏掺杂区；位于所述衬底上的介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构侧壁，所述介质层中具有接触孔，所述接触孔与所述凹槽贯通，在平行于沟道长度方向上，所述凹槽的尺寸大于所述接触孔的尺寸；位于所述凹槽底部和侧壁表面的金属化物；位于所述接触孔和凹槽中的插塞，所述金属化物位于所述插塞和源漏掺杂区之间。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽侧壁垂直于底部；所述凹槽的侧壁至底部呈向衬底内凹陷的弧面；或者，所述凹槽的侧壁与衬底表面呈Σ形。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽沿沟道长度方向上的尺寸为15nm～50nm；所述凹槽的深度为30nm～80nm。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括基底和位于所述基底上的鳍部；所述栅极结构横跨所述鳍部，且覆盖所述鳍部部分侧壁和顶部表面；所述凹槽位于所述栅极结构两侧的鳍部中，所述凹槽在垂直于所述鳍部延伸方向上贯穿所述鳍部；所述接触孔底部暴露出所述栅极结构两侧的鳍部侧壁；所述金属化物还位于所述接触孔暴露出的源漏掺杂区侧壁表面。5.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；形成栅极结构、介质层和源漏掺杂区，所述栅极结构位于所述衬底上，所述栅极结构两侧的衬底中具有凹槽，所述源漏掺杂区位于所述凹槽底部和侧壁暴露出的衬底中，所述介质层位于所述衬底上，且覆盖所述栅极结构侧壁，所述介质层中具有接触孔，所述接触孔与所述凹槽贯通，在平行于沟道长度方向上，所述凹槽的尺寸大于所述接触孔的尺寸；在所述凹槽底部和侧壁表面形成金属化物；形成所述金属化物之后，在所述接触孔和凹槽中形成插塞。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述介质层之后，形成所述凹槽；形成所述接触孔、凹槽和介质层的步骤包括：在所述衬底上形成介质层；对部分所述介质层进行刻蚀，在所述栅极结构两侧的介质层中形成接触孔，所述接触孔底部暴露出所述衬底；对所述接触孔底部的衬底进行刻蚀，在所述衬底中形成凹槽。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述接触孔底部的衬底进行刻蚀的工艺包括湿法刻蚀工艺、各向同性干法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺与湿法刻蚀工艺的组合。8.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述接触孔和凹槽之后，形成所述源漏掺杂区；形成所述源漏掺杂区的步骤包括：对所述凹槽底部和侧壁暴露出的衬底进行离子注入，在所述凹槽底部和侧壁中注入源漏离子，形成源漏掺杂区。9.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述介质层之前，形成所述凹槽；所述形成方法还包括：形成介质层之前，在所述凹槽中形成牺牲层，所述牺牲层的材料与所述衬底的材料不相同；形成接触孔之后，去除所述牺牲层。10.如权利要求9所述的半导体结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路新技术研发上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31