一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片；形成横跨所述鳍片的伪栅极；形成覆盖所述鳍片和所述伪栅极的层间介电层；在所述层间介电层中形成暴露所述伪栅极的凹槽，所述凹槽覆盖栅极结构需要切断的区域；在所述凹槽中形成自组装嵌段共聚物，所述自组装嵌段共聚物包括内层共聚物和外层共聚物，所述内层共聚物的图案定义所述栅极结构需要切断的区域；去除所述内层共聚物；以所述外层共聚物为掩膜执行刻蚀，以在所述伪栅极中形成暴露所述鳍片的开口。本发明专利技术提供的半导体器件的制造方法，使用自组装嵌段共聚物作为掩膜对栅极进行切断，从而缩小了栅极切断工艺的对接方向间距，并简化了工艺流程。

A Manufacturing Method of Semiconductor Devices

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，半导体器件的制备受到各种物理极限的限制。在集成电路的制造过程中，需要采用栅极切断(PolyCut)工艺对条状栅极进行切断，切断后栅极与不同的晶体管相对应，可以提高晶体管的集成度。此外，多个栅极沿着延伸方向排列成一列时，通过栅极切断，能够高精度地缩小栅极切断后断开的栅极间的对接方向间距。随着鳍式场效应晶体管(FinFET)的发展，半导体器件的工艺节点已降低到10nm以下，栅极切断工艺需要达到更小的对接方向间距，从而进一步提高晶体管的集成度。现有的栅极切断工艺的特征尺寸受限于光刻机分辨率的影响，很难持续缩减。因此，需要一种新的栅极切断工艺，以解决上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片；形成横跨所述鳍片的伪栅极；形成覆盖所述鳍片和所述伪栅极的层间介电层；在所述层间介电层中形成暴露所述伪栅极的凹槽，所述凹槽覆盖栅极结构需要切断的区域；在所述凹槽中形成自组装嵌段共聚物，所述自组装嵌段共聚物包括内层共聚物和外层共聚物，所述内层共聚物的图案定义所述栅极结构需要切断的区域；去除所述内层共聚物；以所述外层共聚物为掩膜执行刻蚀，以在所述伪栅极中形成暴露所述鳍片的开口。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片；形成横跨所述鳍片的伪栅极；形成覆盖所述鳍片和所述伪栅极的层间介电层；在所述层间介电层中形成暴露所述伪栅极的凹槽，所述凹槽覆盖栅极结构需要切断的区域；在所述凹槽中形成自组装嵌段共聚物，所述自组装嵌段共聚物包括内层共聚物和外层共聚物，所述内层共聚物的图案定义所述栅极结构需要切断的区域；去除所述内层共聚物；以所述外层共聚物为掩膜执行刻蚀，以在所述伪栅极中形成暴露所述鳍片的开口。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述自组装嵌段共聚物为苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯嵌段共聚物。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述内层共聚物包括甲基丙烯酸甲酯，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩秋华，蒋晓钧，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31