【技术实现步骤摘要】
一种适用于超结DMOS器件的改良结构
本专利技术属于电子器件优化
，具体涉及一种适用于超结DMOS器件的改良结构。
技术介绍
功率DMOS因其开关速度快、损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、频率特性好等优点，在功率变换特别是在高频功率变换中起着重要作用。不断提高的系统性能要求功率DMOS具有更低功率损耗的同时，在高电应力下也具有更高的可靠性。具有超结（super-junction）结构的DMOS器件是近年来出现的一种重要的功率器件，它的基本原理是电荷平衡原理，通过在普通功率DMOS的漂移区中引入彼此间隔的P柱和n柱的超结结构，大大改善了普通DMOS的导通电阻与击穿电压之间的折中关系，因而在功率系统中获得了广泛的应用。在现有技术中，如公开号为CN107248532A，名称为“一种超结DMOS器件”的中国专利技术专利文献，提供一种超结DMOS器件，包括金属化漏电极、第一导电类型半导体掺杂衬底、第一导电类型掺杂柱区、第二导电类型半导体掺杂柱区、多晶硅栅电极、栅介质层、金属化源极；金属化漏电极位于第一导电类型半导体掺杂衬底下表面；第一导电类型掺杂柱区和第二导电类型半导体...
【技术保护点】
1.一种适用于超结DMOS器件的改良结构，其特征在于：在超结DMOS器件的第一导电类型半导体掺杂衬底（2）与金属化漏极的接触面上还设置有重掺杂的第二导电类型半导体岛区（3），所述重掺杂的第二导电类型半导体岛区（3）构成器件底部空穴注入区，所述重掺杂的第二导电类型半导体岛区（3）嵌入设置在第一导电类型半导体掺杂衬底（2）中并且其底部与金属化漏极的上表面也相接触；并且第一导电类型掺杂柱区（5）和第二导电类型半导体掺杂柱区（6）下半部分区域的载流子寿命均长于上半部分区域的载流子寿命。
【技术特征摘要】
1.一种适用于超结DMOS器件的改良结构，其特征在于：在超结DMOS器件的第一导电类型半导体掺杂衬底（2）与金属化漏极的接触面上还设置有重掺杂的第二导电类型半导体岛区（3），所述重掺杂的第二导电类型半导体岛区（3）构成器件底部空穴注入区，所述重掺杂的第二导电类型半导体岛区（3）嵌入设置在第一导电类型半导体掺杂衬底（2）中并且其底部与金属化漏极的上表面也相接触；并且第一导电类型掺杂柱区（5）和第二导电类型半导体掺杂柱区（6）下半部分区域的载流子寿命均长于上半部分区域的载流子寿命。2.如权利要求1所述的一种适用于超结DMOS器件的改良结构，其特征在于：所述重掺杂的第二导电类型半导体岛区（3）的掺杂度高于第一导电类型掺杂柱区（5）和第二导电类型半导体掺杂柱区（6）的掺杂度至少2个数量级。3.如权利要求1或2所述的一种适用于超结DMOS器件的改良结构，其特征在于：所述第一导电类型掺杂柱区（5）和第二导电类型半导体掺杂柱区（6）下半部分区域的载流子寿命均长于上半部分区域的载流子寿命，是在完成器件制备的工艺流程后，通过将轻离子入射到器件中，并让其射程末端落在第一导电类型掺杂柱区（5）和第二导电类型半导体掺杂柱区（6）的上半部分区域使之形成局域缺陷区，再在器件中掺入铂原子，然后通过退火使铂原子分布于局域缺陷区。4.如权利要求1所述的一种适用于超结DMOS器件的改良结构，其特征在于：超结DMOS器件的金属化漏电极（1）位于第一导电类型半导体掺杂衬底（2...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡少峰，任敏，高巍，宋炳炎，李科，陈凤甫，邓波，
申请(专利权)人：四川立泰电子有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51
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