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一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底中具有凹槽；位于所述凹槽底部和侧壁中的源漏掺杂区；位于所述衬底上的介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构侧壁，所述介质层中具有接触孔，所...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司授权不得商用。