半导体结构的形成方法技术

在此提供一种半导体结构的形成方法。此方法包括形成材料层于基板上，并形成光阻层于材料层之上。光阻层包括无机材料及辅助剂，且无机材料包括复数个金属核及复数个第一连结基团，其中第一连结基团键结至金属核。此方法亦包括进行曝光工艺，以曝光光阻层的一部分，其中在曝光工艺期间，辅助剂与第一连结基团进行反应。此方法亦包括蚀刻光阻层的一部分，以形成经过图案化的光阻层，并使用经过图案化的光阻层作为掩模，以将材料层图案化。此方法亦包括移除经过图案化的光阻层。

Formation of Semiconductor Structures

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本专利技术实施例涉及一种半导体结构的形成方法，且特别有关于一种包括微影工艺的半导体结构的形成方法。
技术介绍
半导体装置使用于各种电子应用中，例如，个人电脑、移动电话、数码相机和其他电子设备。半导体装置通常通过以下方式而制造，包括在半导体基板上按序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体层等材料层，使用微影工艺图案化上述各材料层，借此在此半导体基板上形成电路组件及元件。通常在单一半导体晶圆上制造许多集成电路，并且通过沿着切割线在集成电路之间进行切割，以将各个晶粒单一化。上述各个晶粒通常分别地封装于，例如，多芯片模块中，或是其他类型的封装中。然而，这些进步增加了集成电路在加工与制造方面的复杂性。由于部件尺寸持续缩减，工艺也持续变得更难以进行。因此，以越来越小的尺寸形成可靠的半导体装置已成为一种挑战。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：形成材料层于基板之上；形成光阻层于材料层之上，其中光阻层包括无机材料及辅助剂，其中无机材料包括复数个金属核及复数个第一连结基团，且其中第一连结基团键结至金属核；通过进行曝光工艺，以曝光光阻层的一部分，其中在曝光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，包括：形成一材料层于一基板之上；形成一光阻层于该材料层之上，其中该光阻层包括一无机材料及一辅助剂，其中该无机材料包括复数个金属核及复数个第一连结基团，且其中该等第一连结基团键结至该等金属核；通过进行一曝光工艺，以曝光该光阻层的一部分，其中在该曝光工艺期间，该辅助剂与该等第一连结基团进行反应；蚀刻该光阻层的一部分，以形成一经过图案化的光阻层；通过使用该经过图案化的光阻层作为一掩模，以将该材料层图案化；以及移除该经过图案化的光阻层。

【技术特征摘要】
2017.10.25 US 62/576,782;2018.06.28 US 16/021,5211.一种半导体结构的形成方法，包括：形成一材料层于一基板之上；形成一光阻层于该材料层之上，其中该光阻层包括一无机材料及一辅助剂，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：訾安仁，张庆裕，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71