【技术实现步骤摘要】
半导体结构与其制作方法
本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种半导体结构与其制作方法。
技术介绍
光刻作为半导体制造工艺中最为复杂和昂贵的工艺，占到了芯片制造成本的35％以上，且耗费时间约占整个芯片工艺的40％～60％。光刻技术所能获得的最小图形尺寸直接制约着半导体行业的发展速度。商用光刻机在跨越过436nm(G-line)、365nm(I-line)、248nm(KrF)等波长技术代后，目前半导体工业界较为广泛使用的是193nm(ArF)浸没式光刻加多重曝光技术(MPT,MutiplePatterningTechnology)来实现22nm、14nm甚至7nm技术代中关键结构尺寸的图形化。对于7nm技术代，需要用到三重甚至四重曝光技术，这一方面使得光刻制造成本大幅度攀升，另一方面不同掩模之间的套准精度控制也变得越来越困难。极紫外光刻技术(EUV，ExtremeUltraviolet)已经用于7nm节点的某些核心图层，但是其产能相对仍然较低，并且面临掩模缺陷、光刻胶缺陷等问题。对于5nm及以下节点，定向自组装技术是非常具有前景的下一代光刻技术。嵌段共聚物定向...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供衬底；步骤S2，在所述衬底的表面上形成诱导结构；步骤S3，在所述衬底的裸露表面设置第一嵌段共聚物层，对所述第一嵌段共聚物层进行第一次加热，形成包括第一预嵌段和第二预嵌段的第一预分相结构层；步骤S4，在所述第一预分相结构层的远离所述衬底的表面上形成至少一个第二分相结构层，各所述第二分相结构层的形成过程包括：在所述第一预分相结构层的裸露表面上或者与所述衬底距离最大的所述第二分相结构层的裸露表面上设置第二嵌段共聚物层，对所述第二嵌段共聚物层进行第二次加热，形成包括第三嵌段和第四嵌段的第二分相结构，且所述第一预分相结构层...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供衬底；步骤S2，在所述衬底的表面上形成诱导结构；步骤S3，在所述衬底的裸露表面设置第一嵌段共聚物层，对所述第一嵌段共聚物层进行第一次加热，形成包括第一预嵌段和第二预嵌段的第一预分相结构层；步骤S4，在所述第一预分相结构层的远离所述衬底的表面上形成至少一个第二分相结构层，各所述第二分相结构层的形成过程包括：在所述第一预分相结构层的裸露表面上或者与所述衬底距离最大的所述第二分相结构层的裸露表面上设置第二嵌段共聚物层，对所述第二嵌段共聚物层进行第二次加热，形成包括第三嵌段和第四嵌段的第二分相结构，且所述第一预分相结构层变为第一分相结构层，所述第一预嵌段变为第一嵌段，所述第二预嵌段变为第二嵌段，所述第一嵌段在所述衬底表面上的投影为第一投影，所述第三嵌段在所述衬底表面上的投影为第二投影，所述第二投影位于所述第一投影的内部或者与所述第一投影重合；步骤S5，至少依次去除所述第四嵌段、所述第二嵌段以及部分所述衬底，形成具有预定图案的所述衬底；步骤S6，至少去除剩余的所述衬底上方的所述第一嵌段、所述第三嵌段以及所述诱导结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3包括：在所述衬底的裸露表面旋涂第一嵌段共聚物，旋涂的转速为第一转速，旋涂的时间为第一时间，形成第一嵌段共聚物的第一子层；在所述第一嵌段共聚物的第一子层上旋涂第一嵌段共聚物，旋涂的转速为第二转速，旋涂的时间为第二时间，形成第一嵌段共聚物的第二子层，所述第一转速小于所述第二转速，所述第一时间小于所述第二时间；对具有所述第一嵌段共聚物的第一子层和所述第一嵌段共聚物的第二子层的衬底进行第一次加热，形成所述第一预分相结构层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一次加热的温度小于所述第一嵌段共聚物的玻璃化温度，优选所述第一嵌段共聚物层的厚度大于或者等于所述第一嵌段共聚物的本征分相周期的宽度，且小于或等于所述本征分相周期的宽度的两倍。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤S4包括：在所述衬底的裸露表面旋涂第二嵌段共聚物，旋涂的转速为第三转速，旋涂的时间为第...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟晨，韦亚一，张利斌，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11
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