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本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供衬底；步骤S2，在衬底的表面上形成诱导结构；步骤S3，在衬底的裸露表面设置第一嵌段共聚物层，对第一嵌段共聚物层进行第一次加热，形成包括第一预嵌段和第二预嵌段的第一预分相结...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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