The present invention provides a photoresist stripping method, which includes at least one substrate, a layer of photoresist coated on the substrate to form a photoresist layer, a variable space electric field applied to deform the photoresist layer and a process for stripping the photoresist layer, in which the photoresist contains polarization under the space electric field. The additives of the product. By applying a variable space electric field to the substrate to remove the photoresistance, the charge in the photoresistance is rearranged and rotated with the dipole produced by the additive in the optical group, which causes the photoresistance to undergo repeated deformation, enlarges the contact area between the defilm liquid and the photoresistance, thereby reducing the adhesion force between the photoresistance and the adjacent film layer, and makes the photoresistance easier to peel off.
【技术实现步骤摘要】
一种光阻剥离方法
本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种光阻剥离方法。
技术介绍
ITO(IndiumTinOxide)作为铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，因此，它是液晶显示面板中透明电极最常用的薄膜材料。现有制备ITO图形的方法为光阻湿法腐蚀法，在基板上蒸镀一层ITO薄膜，然后在其上用光阻进行曝光、显影、刻蚀，制备出ITO图案，再利用腐蚀液浸泡，将光阻去除，最终得到所述的ITO图案。在光刻工艺中，有一种替代刻蚀方法的工艺，我们称之为剥离工艺(Lift-off)。在剥离工艺中，首先形成光刻图形，然后沉积薄膜，最后用化学试剂去除光阻，此时连同不需要的ITO薄膜一起去除，这个过程正好与刻蚀过程相反。这种方法主要采用的是湿法腐蚀光阻，其弊端是光阻的粘附性太强，致使光阻腐蚀不彻底，残留的光阻难以发现，会导致后续刻蚀出现黑点，造成漏电等情况，同时ITO作为粉末微晶体，质地疏松，在湿法腐蚀过程中，易形成横向侵蚀，造成边缘毛刺，也会形成漏电通道。综上所述，现有光阻剥离方法不能有效的去除光阻。故，有必要提供一种光阻剥离方法来改善这一缺陷。
技术实现思路
本专利技术提供一光...
【技术保护点】
1.一种光阻剥离方法，其特征在于，所述光阻剥离方法包括：步骤S10：提供一块基板，在所述基板上涂布一层光阻，形成光阻层；步骤S20：施加变化的空间电场，使所述光阻层产生形变，对所述光阻层进行脱膜工艺；其中，所述光阻中含有在所述空间电场下产生极化的添加剂。
【技术特征摘要】
1.一种光阻剥离方法，其特征在于，所述光阻剥离方法包括：步骤S10：提供一块基板，在所述基板上涂布一层光阻，形成光阻层；步骤S20：施加变化的空间电场，使所述光阻层产生形变，对所述光阻层进行脱膜工艺；其中，所述光阻中含有在所述空间电场下产生极化的添加剂。2.如权利要求1所述的光阻剥离方法，其特征在于，所述基板包括：玻璃基板；栅极线层，所述栅极线层设置于所述玻璃基板上；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅极线层上；非晶硅层，所述非晶硅层设置于所述栅极绝缘层上；源漏电极层，所述源漏电极层设置于所述栅极绝缘层上；钝化保护层，所述钝化保护层设置于所述源漏电极层上。3.如权利要求2所述的光阻剥离方法，其特征在于，所述步骤S10包括：步骤S101：提供所述基板，对所述基板进行半掩膜工艺制程，使所述钝化保护层图案化；步骤S102：在所述钝化保护层上沉积...
【专利技术属性】
技术研发人员：王建刚，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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