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本发明提供一种光阻剥离方法,所述光阻剥离方法至少包括步骤S10:提供一块基板,在所述基板上涂布一层光阻,形成光阻层;步骤S20:施加变化的空间电场,使所述光阻层产生形变,对所述光阻层进行脱膜工艺;其中,所述光阻中含有在所述空间电场下产生极化...该专利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种光阻剥离方法,所述光阻剥离方法至少包括步骤S10:提供一块基板,在所述基板上涂布一层光阻,形成光阻层;步骤S20:施加变化的空间电场,使所述光阻层产生形变,对所述光阻层进行脱膜工艺;其中,所述光阻中含有在所述空间电场下产生极化...