一种改善Lift-off工艺划片道形貌的方法技术

本发明专利技术公开一种改善Lift‑off工艺划片道形貌的方法，包括：在衬底上形成有划片道凹槽的面上涂负胶层；对负胶层曝光并显影，形成完全覆盖划片道凹槽的负胶层；在衬底及负胶层上表面蒸发金属膜；去除负胶层上的金属膜及负胶层；形成透过金属膜暴露于外界环境的划片道凹槽。该方案解决了划片道金属膜层断裂导致封装成品率低的问题，改善划片道形貌，提高封装成品率。

A Method for Improving the Morphology of Slicing Path in Lift-off Process

The invention discloses a method for improving the morphology of the slicing channel in Lift off process, which includes: forming a negative adhesive layer on the surface of the slicing channel groove on the substrate; exposing and developing the negative adhesive layer to form a negative adhesive layer completely covering the slicing channel groove; evaporating the metal film on the surface of the substrate and the negative adhesive layer; removing the metal film and the negative adhesive layer on the negative adhesive layer; forming a metal film exposed to the external ring through the metal film; Scratch channel groove of boundary. The scheme solves the problem of low package yield caused by the fracture of scratch channel metal film, improves the morphology of scratch channel and enhances the package yield.

【技术实现步骤摘要】
一种改善Lift-off工艺划片道形貌的方法
本专利技术涉及肖特基半导体制造工艺
，尤其是一种改善Lift-off工艺划片道形貌的方法。
技术介绍
肖特基芯片制造工艺中，为了满足封装要求，利用Lift-off工艺在原有的正面Al电极基础上增加Ti/Ni/Ag金属层。现有技术通常采用负胶与产品的Metal正胶版来实现Lift-off工艺，产品Metal正胶版曝光后，负胶形貌顶部尺寸与划片道尺寸相近，划片道两侧与负胶之间形成间隙10，参见图1；划片道两侧因没有负胶覆盖导致在蒸发Ti/Ni/Ag时，部分金属蒸发到了划片道两侧，在具有台阶差的负胶上形成了具有台阶差的金属层20，参见图2；后续利用蓝膜粘性将负胶上的金属随蓝膜一起撕掉，最后用丙酮去除负胶，从而实现特定区域Ti/Ni/Ag的蒸发，参见图3，在后段划片时，划片道两侧的Ti/Ni/Ag会通过管芯边缘30与衬底40相连，金属相连会造成肖特基器件正反极相连短路，从而降低产品封装成品率。
技术实现思路
本专利技术提供一种改善Lift-off工艺划片道形貌的方法，用于克服现有技术中封装成品率较低等缺陷，通过改善Lift-off工艺划片道形貌本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善Lift‑off工艺划片道形貌的方法，其特征在于，包括：步骤1，在衬底上形成有划片道凹槽的面上涂负胶层；步骤2，对负胶层曝光并显影，形成完全覆盖划片道凹槽的负胶层；步骤3，在衬底及负胶层上表面蒸发金属膜；步骤4，去除负胶层上的金属膜及负胶层；步骤5，形成透过金属膜暴露于外界环境的划片道凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种改善Lift-off工艺划片道形貌的方法，其特征在于，包括：步骤1，在衬底上形成有划片道凹槽的面上涂负胶层；步骤2，对负胶层曝光并显影，形成完全覆盖划片道凹槽的负胶层；步骤3，在衬底及负胶层上表面蒸发金属膜；步骤4，去除负胶层上的金属膜及负胶层；步骤5，形成透过金属膜暴露于外界环境的划片道凹槽。2.如权利要求1所述的改善Lift-off工艺划片道形貌的方法，其特征在于，所述步骤2包括：步骤21，将负胶光刻版放置于负胶层上方；步骤22，在负胶光刻版上方照射预定波长范围的光，光透过光刻版上的透光区域对负胶层照射；步骤23，负胶层接受光照后，未被照射的区域发生光化学反应；步骤24，将衬底及负胶层均放置显影液中，未被照射的区域的负胶层溶解，被照射的区域的负胶层保留在衬底上，形成完全覆盖划片道凹槽的负胶层。3.如权利要求2所述的改善Lift-off工艺划片道形貌的方法，其特征在于，所述负胶光刻版采用不透光材质，光刻版上对应于衬底上的划片道凹槽位置均设置有透光区，所述透光区的面积完全覆盖所述划片道凹槽。4.如权利要求3所述的改善Lift-off工艺划片道形貌的方法，其特征在于，所述透光区在负胶层上的投影两侧分别比所述划片道凹槽的两侧宽10微米以上。5.如权利要求2所述的改善Lift-off工艺划片道形貌的方法，其特征在于，所述步骤4包括：步骤41，在负胶层及衬底上表面覆盖蓝膜；步骤42，揭掉蓝膜，覆盖在负胶层上的金属膜随着蓝膜一起被揭掉；步骤43，去除负胶层。6.如权利要求1～5任一项所述的改善Lift-off工艺划片道形貌的方法，其特征在于，所述划片道凹槽的两侧面呈台阶状，所述台阶面由平面形成、平面与曲面共同形成，或由曲...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋晓倩，高攀，李佐，冯华，李澜涛，林宗芳，钟伟，熊民权，赵宗盛，
申请(专利权)人：上海芯钛信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31