According to an embodiment, a semiconductor chip inspection device includes a transmission device, an image capture device and an analysis system. The transmission device provides a transmission path on which a semiconductor chip heated during the manufacturing process moves. The image capturing device is arranged above the transmission path and is configured to generate a thermal imaging image by imaging the semiconductor chip, which includes capturing multiple thermal imaging images at different focal points along the thickness direction of the semiconductor chip. The analysis system is configured to compare the plurality of thermal imaging images and the plurality of pre-provided standard images, and to detect an area where the temperature difference between the thermal imaging images and the corresponding standard images exceeds the reference value.
【技术实现步骤摘要】
半导体芯片检查装置相关申请的交叉引用本申请要求于2017年10月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0133184的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
本公开涉及一种半导体芯片检查装置。
技术介绍
在制造半导体芯片的过程中，顺序执行多个处理。因此，在任意一个处理中发生缺陷的情况下，缺陷可一直存在到最后的处理。因此，为了改善生产率，在完成制造过程之前检测和移除有缺陷的半导体芯片的处理是重要的。在光学检查设备或电子束(e-beam)检查设备的情况下，可容易地检测到可在半导体芯片的表面上看到的缺陷，但它们对检测半导体芯片内的缺陷存在限制。由于在半导体芯片已经被制造出来之后,才可能通过对半导体芯片供电来确认半导体芯片是否能够正常操作的检查，因此对在早期阶段移除有缺陷的半导体芯片存在限制。
技术实现思路
本专利技术构思的方面提供在早期阶段检测半导体芯片中的缺陷的半导体芯片检查装置。根据一个实施例，一种半导体芯片检查装置包括：传送装置、图像捕获装置和分析系统。传送装置提供传送路径，在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动。图像捕获...
【技术保护点】
1.一种半导体芯片检查装置，包括：传送装置，其提供传送路径，在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动；图像捕获装置，其设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像；和分析系统，其配置为比较所述多个热成像图像和预先提供的多个标准图像，且检测热成像图像和相应标准图像之间的温差超过参考值的区域。
【技术特征摘要】
2017.10.13 KR 10-2017-01331841.一种半导体芯片检查装置，包括：传送装置，其提供传送路径，在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动；图像捕获装置，其设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像；和分析系统，其配置为比较所述多个热成像图像和预先提供的多个标准图像，且检测热成像图像和相应标准图像之间的温差超过参考值的区域。2.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置，其中，所述分析系统配置为确定在所述温差超过所述参考值时已经发生在所检测的区域中的缺陷。3.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置，其中，所述图像捕获装置包括至少一个热成像相机。4.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置，其中，所述分析系统配置为通过处理所述多个热成像图像生成热成像图像组，且通过将所述热成像图像组与包括所述多个标准图像的标准图像组进行比较以分析所述热成像图像组。5.根据权利要求4所述的半导体芯片检查装置，其中，所述分析系统配置为比较所述热成像图像组和所述标准图像组，选择其中发生了相对于来自所述标准图像组的相应标准图像的温度分布差异的热成像图像，并使用该热成像图像和所述温度分布差异来确定在所述半导体芯片中已经发生缺陷的位置。6.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置，其中，所述图像捕获装置包括沿着所述传送路径设置的多个热成像相机。7.根据权利要求6所述的半导体芯片检查装置，其中，所述半导体芯片包括沿着所述传送路径以预定间隔连续传送的多个半导体芯片中的一个，且所述多个热成像相机设置为彼此分开所述预定间隔。8.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置，所述半导体芯片检查装置配置为使得在所述半导体芯片沿着所述传送路径移动的同时所述半导体芯片的温度降低。9.根据权利要求8所述的半导体芯片检查装置，还包括温度测量装置，该温度测量装置测量所述半导体芯片的温度。10.根据权利要求9所述的半导体芯片检查装置，还包括温度维持系统，该温度维持系统配置为在所述半导体芯片的温度的降低超过预定参考值时减小所述半导体芯片的温度的降低。11.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置，其中，所述分析系统配置为检测在所述热成像图像中具有最高温度的部分和具有最低温度的部分，且将所述热...
【专利技术属性】
技术研发人员：李成实，柳成润，孙荣薰，全忠森，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。