一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法，芯片包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远离所述金属反射层一侧的第一DBR层；设置于所述第一DBR层远离所述欧姆接触层和所述绝缘层一侧的有源层；设置于所述有源层远离所述第一DBR层一侧的第二DBR层；以及设置于所述第二DNR层远离所述有源层一侧的电极。本发明专利技术通过欧姆接触层限制电流，绝缘层和金属反射层构成ODR结构实现全反射，不受氧化层限制、散热性好，并且制作工艺简单。

A Flip VCSEL Chip with ODR and Its Fabrication Method

The invention provides a flip-chip VCSEL chip with ODR and its fabrication method. The chip includes: a conductive layer; a metal reflective layer arranged on the conductive layer; an ohmic contact layer and an insulating layer separately arranged on the metal reflective layer far from the conductive layer side, and the insulating layer is distributed around the ohmic contact layer; and an ohmic contact layer and an insulating layer far away from the ohmic contact layer. The first DBR layer on one side of the metal reflective layer; the active layer on the side of the first DBR layer far from the ohmic contact layer and the insulating layer; the second DBR layer on the side of the first DBR layer far from the first DBR layer; and the electrode on the side of the second DNR layer far from the active layer. The invention realizes total reflection by limiting current through ohmic contact layer, and ODR structure is composed of insulating layer and metal reflecting layer, which is not limited by oxide layer, has good heat dissipation and simple manufacturing process.

【技术实现步骤摘要】
一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法
本专利技术涉及VCSEL芯片
，更具体地说，尤其涉及一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，各种各样的VCSEL芯片已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。垂直腔面发射激光器（VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，VCSEL）有别于LED（LightEmittingDiode，发光二极管）和LD（LaserDiode，激光二极管）等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉且易集成大面积阵列等优点，广泛应用于光通信、光互连和光存储等领域。现有的VCSEL芯片通常包括GaAs衬底1’、在GaAs衬底1’上依次设置的N-DPR层2’、有源层3’、氧化层4’、P-DBR层5’和GaAs层6’，如图1所示。传统的制作工艺是一次沉积好外延后进行ICP蚀刻出孔或台阶，然后在孔或台阶内进行氧化。但是该方案受氧化层限制，制作工艺各工序的精度要求很高，良率参差不齐，并且具有散热性差、饱和电流低等缺点。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远离所述金属反射层一侧的第一DBR层；设置于所述第一DBR层远离所述欧姆接触层和所述绝缘层一侧的有源层；设置于所述有源层远离所述第一DBR层一侧的第二DBR层；以及设置于所述第二DNR层远离所述有源层一侧的电极。

【技术特征摘要】
1.一种具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远离所述金属反射层一侧的第一DBR层；设置于所述第一DBR层远离所述欧姆接触层和所述绝缘层一侧的有源层；设置于所述有源层远离所述第一DBR层一侧的第二DBR层；以及设置于所述第二DNR层远离所述有源层一侧的电极。2.根据权利要求1所述的具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，所述导电层的材质包括金属。3.根据权利要求2所述的具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，所述导电层的材质包括铜或铜钨合金。4.根据权利要求1-3任意一项所述的具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，所述导电层的厚度为100-200um。5.根据权利要求1所述的具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，所述第一DBR层为P-DBR层，所述第二DBR层为N-DBR层。6.根据权利要求1所述的具有ODR的倒装VCSEL芯片，其特征在于，所述欧姆接触层包括GaAs层。7.一种具有ODR的倒装VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾钊，赵炆兼，郭冠军，曹广亮，赵丽，
申请(专利权)人：厦门乾照半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35