延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件，在多量子阱有源层背离衬底一侧形成有第二半导体多层膜反射镜，以通过第二半导体多层膜反射镜阻挡限制层和多量子阱有源层相接触，进而能够在形成限制层的氧化结构时，通过第二半导体多层膜反射镜保护多量子阱有源层不被水汽侵蚀；同时第二半导体多层膜反射镜能够起到缓冲氧化结构应力的作用，避免在使用VCSEL芯片时产生高温条件下，氧化结构产生的应力对多量子阱有源层造成损坏的情况出现；并且，第二半导体多层膜反射镜还能够阻挡氧化结构中的杂质扩展至多量子阱有源层，保证VCSEL芯片的使用寿命较高。

【技术实现步骤摘要】
延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件
本技术涉及半导体
，更为具体的说，涉及一种延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件。
技术介绍
垂直腔面发射激光器(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser)芯片，又称VCSEL芯片，是以砷化镓半导体材料为基础的激光发射芯片，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用与光通信、光互连、光存储等领域。现有技术中的VCSEL芯片的剖面结构参考图1，主要包括砷化镓衬底10和位于砷化镓衬底10上依次层叠的N型DBR(DistributedBraggReflection，分布式布拉格反射镜)层20、多量子阱有源层30、限制层40、P型DBR层50、砷化镓接触层60和p侧电极结构70，且砷化镓衬底10背面形成有n侧电极80。其中，限制层40包括导电结构41和环绕导电结构41的氧化结构42，以起到汇聚电流，从而形成大电流注入多量子阱有源层30中激发激光的目的；电极结构70限定有出射窗口区域71，该出射窗口区域71即是VCSEL芯片的出光区域，现有的VCSEL芯片使用寿命较低。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种延长使用寿命的VCSEL芯片，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底正面上的第一半导体多层膜反射镜；位于所述第一半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的多量子阱有源层；位于所述多量子阱有源层背离所述衬底一侧的第二半导体多层膜反射镜；位于所述第二半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的限制层，所述限制层包括导电结构和环绕所述导电结构的氧化结构；位于所述限制层背离所述衬底一侧的第三半导体多层膜反射镜，所述第三半导体多层膜反射镜与所述第二半导体多层膜反射镜的掺杂类型相同，且均与所述第一半导体多层膜反射镜的掺杂类型相反；位于所述第三半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的欧姆接触层；以及，位于所述欧姆接触层...

【技术特征摘要】
1.一种延长使用寿命的VCSEL芯片，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底正面上的第一半导体多层膜反射镜；位于所述第一半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的多量子阱有源层；位于所述多量子阱有源层背离所述衬底一侧的第二半导体多层膜反射镜；位于所述第二半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的限制层，所述限制层包括导电结构和环绕所述导电结构的氧化结构；位于所述限制层背离所述衬底一侧的第三半导体多层膜反射镜，所述第三半导体多层膜反射镜与所述第二半导体多层膜反射镜的掺杂类型相同，且均与所述第一半导体多层膜反射镜的掺杂类型相反；位于所述第三半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的欧姆接触层；以及，位于所述欧姆接触层背离所述衬底一侧的第一电极，及位于所述衬底背面上的第二电极。2.根据权利要求1所述的延长使用寿命的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一半导体多层膜反射镜、所述第二半导体多层膜反射镜和所述第三半导体多层膜反射镜均为DBR反射镜。3.根据权利要求2所述的延长使用寿命的VCSEL芯片，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭钰仁，贾钊，许晏铭，洪来荣，陈为民，陈进顺，翁妹芝，张坤铭，朱鸿根，陈伟明，许勇辉，郭河，
申请(专利权)人：厦门乾照半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35