一种垂直腔面发射激光器阵列模块的生产方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直腔面发射激光器阵列模块的生产方法，在目标晶圆衬底上外延生长p‑n结量子发光薄膜层；外延生长第一层分布式布拉格反射光栅；在硅晶圆衬底上制作具有脉冲宽度调制的有源矩阵控制电路；将量子发光外延片粘合在有源矩阵显示控制电路上；衬底剥离；选择性地等离子刻蚀形成半导体发光量子层阵列；用介质填平表面，选择性介质等离子刻蚀形成金属电极阵列；再次用介质填平表面，并将表面平整；镀上一层透明通用电极；外延生长第二层分布式布拉格反射光栅，得到垂直腔面发射激光器阵列模块。本发明专利技术可以规模生产垂直腔面发射激光器阵列模块。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直腔面发射激光器阵列模块的生产方法
本专利技术涉及垂直腔面发射激光器领域，尤其涉及的是，一种垂直腔面发射激光器阵列模块的生产方法。
技术介绍
垂直腔面发射激光器亦称垂直腔表面发射激光器(verticalcavitysurfaceemittinglaser，VCSEL)是很有发展前景的新型光电器件，是一种出光方向垂直与谐振腔表面的f-p激光器。垂直腔表面发射激光器的优越性已经引起广泛关注，已在结构、材料、波长和应用领域都得到了飞速的发展。垂直腔面发射激光器主要由三部分组成，包括激光工作物质、泵浦源和光学谐振腔。工作物质是发出激光的物质，但不是任何时刻都能发出激光，必须通过泵浦源对其进行激励，形成粒子数反转，发出激光，但这样得到的激光寿命很短，强度也不会太高，并且光波模式多，方向性很差。所以，还必须经过顶部反射镜(topmirror)和底部反射镜(bottommirror)组成的谐振腔，在激光腔(lasercavity)内放大与振荡，并由顶部反射镜输出，而且输出的光线只集中在中间不带有氧化层的部分输出。这样就形成了垂直腔面的激光发射，从而得到稳定、持续、有一定功率的高质量激光。垂直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直腔面发射激光器阵列模块的生产方法，其特征在于，包括步骤：在目标晶圆衬底上外延生长p‑n结量子发光薄膜层；在p‑n结量子发光薄膜层表面外延生长第一层分布式布拉格反射光栅作为垂直腔面发射激光器的底部反射层，得到带有第一层分布式布拉格反射光栅的量子发光外延片；在硅晶圆衬底上制作具有脉冲宽度调制的有源矩阵控制电路；将带有第一层分布式布拉格反射光栅的量子发光外延片粘合在有源矩阵显示控制电路上；将带有第一层分布式布拉格反射光栅的量子发光外延片的衬底剥离；在剥离衬底后的量子发光外延片上选择性地等离子刻蚀形成与有源矩阵显示控制电路相对应的半导体发光量子层阵列；用介质填平表面，选择性介质等离子刻蚀形...

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器阵列模块的生产方法，其特征在于，包括步骤：在目标晶圆衬底上外延生长p-n结量子发光薄膜层；在p-n结量子发光薄膜层表面外延生长第一层分布式布拉格反射光栅作为垂直腔面发射激光器的底部反射层，得到带有第一层分布式布拉格反射光栅的量子发光外延片；在硅晶圆衬底上制作具有脉冲宽度调制的有源矩阵控制电路；将带有第一层分布式布拉格反射光栅的量子发光外延片粘合在有源矩阵显示控制电路上；将带有第一层分布式布拉格反射光栅的量子发光外延片的衬底剥离；在剥离衬底后的量子发光外延片上选择性地等离子刻蚀形成与有源矩阵显示控制电路相对应的半导体发光量子层阵列；用介质填平表面，选择性介质等离子刻蚀形成对应于有源矩阵显示控制电路的金属电极阵列；再次用介质填平表面，并将表面平整；在平整后的表面镀上一层透明通用电极；在透明通用电极表面外延生长第二层分布式布拉格反射光栅作为顶部反射层，得到垂直腔面发射激光器阵列模块。2.根据权利要求1所述生产方法，其特征在于，所述目标晶圆包括蓝宝石晶圆、硅晶圆与氮化镓晶圆。3.根据权利要求1所述生产方法，其特征在于，所述p-n结量子发光薄膜层为半导体发光器件。4.根据权利要求3所述生产方法，其特征在于，所述p-n结量子发光薄膜层为电场致量子点发光器件、有机半导体发光器件、无机半导体发光器件、氮化镓半导体发光器件、砷...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘小和，
申请(专利权)人：矽照光电厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35