边发射激光器耦合结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种边发射激光器耦合结构，包括：第二基板；待耦合器件，其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧，所述第二表面与所述第一表面相对设置；块体，设置在所述第二基板的第一表面上，所述块体的第二表面朝向所述第二基板设置；布线结构，设置在所述块体的第一表面上，所述块体的第一表面与所述块体的第二表面相邻；边发射激光器，设置于所述布线结构上，出光面朝向所述第二基板。通过本实用新型专利技术，设置在布线结构上的边发射激光器的侧向出光面便可以不经反射而直接射向待耦合器件的入光面，无需精确贴装反光器件，降低了工艺复杂度。

【技术实现步骤摘要】
边发射激光器耦合结构
本技术涉及硅光和光电集成
，具体涉及边发射激光器耦合结构。
技术介绍
边发射激光器的发光区被限制在很小的部分，能够改善光纤、集成光路的耦合效率。边发射激光器朝向侧面出光，其焊盘设置于顶面或底面，往往与基板表面的线路电连接。为了能够大批量生产边发射激光器耦合结构，现有的制作方法都是采用在基板上贴装边发射激光器、反光面(或者反光镜)、透镜等常规器件的方式。例如，先在第一基板表面贴装边发射激光器及透镜，再在第二基板表面开设侧壁为斜面的槽，在斜面上形成反光面，然后再将表面凹槽内设有反光面的顶罩倒扣并贴装在第一基板上，得到如图1所示的边发射激光器。图1中，边发射激光器110固定设置在基板120的表面，边发射激光器110的焊盘115通过键合线与基板120表面的焊盘122连接；边发射激光器从右侧面出光，经顶罩表面凹槽内的反光面150反射后，再经透镜160聚焦，然后聚焦后的激光射向基板120表面或另一侧的待耦合器件的入光面(如光栅、波导器件等)。然而，现有边发射激光器耦合结构需精确贴装反光器件，才能使得边发射激光器的出射光经反射射向待耦合器件的入光面，对工艺要求较高。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种边发射激光器耦合结构，其特征在于，包括：第二基板；待耦合器件，其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧，所述第二表面与所述第一表面相对设置；块体，设置在所述第二基板的第一表面上，所述块体的第二表面朝向所述第二基板设置；布线结构，设置在所述块体的第一表面上，所述块体的第一表面与所述块体的第二表面相邻；边发射激光器，设置于所述布线结构上，出光面朝向所述第二基板。

【技术特征摘要】
1.一种边发射激光器耦合结构，其特征在于，包括：第二基板；待耦合器件，其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧，所述第二表面与所述第一表面相对设置；块体，设置在所述第二基板的第一表面上，所述块体的第二表面朝向所述第二基板设置；布线结构，设置在所述块体的第一表面上，所述块体的第一表面与所述块体的第二表面相邻；边发射激光器，设置于所述布线结构上，出光面朝向所述第二基板。2.根据权利要求1所述的边发射激光器耦合结构，其特征在于，所述布线结构延伸至所述块体的第二表面；位于所述块体第二表面的布线结构上设置有第一焊点，所述第二基板第一表面上与所述第一焊点相对应的位置设置有第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：何慧敏，孙瑜，刘丰满，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32