一种半导体激光器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体激光器，在传输层背向衬底一侧表面的内脊区设置有剪裁损耗区，在剪裁损耗区设置有盲孔，该盲孔的底面与第二包层朝向衬底一侧表面的距离小于传输层中倏逝波长度。该盲孔可以通过影响倏逝波来影响半导体激光器中光线传输的光场特性。由于剪裁损耗区为与内脊区任一长边的距离小于内脊区宽边长度的25％，且与内脊区任一宽边的距离小于内脊区长边长度的20％的区域，使得盲孔可以有效的增加半导体激光器中高阶模式的损耗，提高激光的光束质量；同时由于不需要减小半导体激光器波导的宽度，使得半导体激光器具有较高的亮度。本发明专利技术还提供了一种半导体激光器的制备方法，所制得的半导体激光器同样具有上述有益效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器及其制备方法
本专利技术涉及半导体光电子器件
，特别是涉及一种半导体激光器及一种半导体激光器的制备方法。
技术介绍
半导体激光器的亮度正比于功率与光束质量的比值，反映的是单位立体角下激光功率。在实际应用中往往希望半导体激光器具有高的输出功率和优异的光束质量，即高的亮度。现有的方法多是减小半导体激光器波导的宽度，从而降低侧向模式的数量，达到提高光束质量的目的，但由于减小波导宽度也就减小了增益区域的面积，因此输出功率也大大下降。所以如何在不明显减小半导体激光器输出功率的前提下提高半导体激光器的光束质量以本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种半导体激光器，在具有一定输出功率的同时，具有较高的光束质量；本专利技术的另一目的在于提供一种半导体激光器的制备方法，所制备而成的半导体激光器在具有一定输出功率的同时，具有较高的光束质量。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体激光器，包括衬底、传输层、第一电极和第二电极；所述传输层位于所述衬底的第一表面；其中，所述传输层包括位于所述第一表面的第一包层、位于所述第一包层背向所述衬底一侧表面的波导层、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底、传输层、第一电极和第二电极；所述传输层位于所述衬底的第一表面；其中，所述传输层包括位于所述第一表面的第一包层、位于所述第一包层背向所述衬底一侧表面的波导层、和位于所述波导层背向所述衬底一侧表面的第二包层；所述传输层呈脊型；所述传输层背向所述衬底一侧表面的内脊区包括剪裁损耗区，所述剪裁损耗区为与所述内脊区任一长边的距离小于内脊区宽边长度的25％，且与所述内脊区任一宽边的距离小于内脊区长边长度的20％的区域；所述剪裁损耗区设置有盲孔，所述盲孔的底面与所述第二包层朝向所述衬底一侧表面的距离小于所述传输层中倏逝波长度；所述第一电极位于所述传输层背向所述衬底一...

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底、传输层、第一电极和第二电极；所述传输层位于所述衬底的第一表面；其中，所述传输层包括位于所述第一表面的第一包层、位于所述第一包层背向所述衬底一侧表面的波导层、和位于所述波导层背向所述衬底一侧表面的第二包层；所述传输层呈脊型；所述传输层背向所述衬底一侧表面的内脊区包括剪裁损耗区，所述剪裁损耗区为与所述内脊区任一长边的距离小于内脊区宽边长度的25％，且与所述内脊区任一宽边的距离小于内脊区长边长度的20％的区域；所述剪裁损耗区设置有盲孔，所述盲孔的底面与所述第二包层朝向所述衬底一侧表面的距离小于所述传输层中倏逝波长度；所述第一电极位于所述传输层背向所述衬底一侧表面的内脊区；所述第二电极位于所述衬底与所述第一表面相对的第二表面。2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述剪裁损耗区设置有多个所述盲孔，相邻所述盲孔之间距离的取值范围为2μm至10μm，包括端点值。3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述传输层背向所述衬底一侧表面的内脊区包括4个所述剪裁损耗区，任一所述剪裁损耗区为与所述内脊区长边的距离小于内脊区宽边长度的25％，且与所述内脊区宽边的距离小于内脊区长边长度的20％的区域。4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述传输层背向所述衬底一侧表面的内脊区还包括：两条平行于所述内脊区长边的隔离沟道；其中，两条所述隔离沟道之间设置有所述盲孔。5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述隔离沟道与所述内脊区对应长边之间的距离的取值范围为2μm至10μm，包括端点值。6.根据权利要求1至5任一项权利要求所述的半导体激光器，其特征在于，所述盲孔底面所呈的图形为折线形，所述盲孔底...

【专利技术属性】
技术研发人员：佟存柱，宿家鑫，汪丽杰，舒世立，田思聪，张新，王立军，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林,22