一种脊形半导体激光二极管的制备方法技术

一种脊形半导体激光二极管的制备方法，包括：(1)制备GaN LD外延片(2)利用掩膜、光刻工艺在所述GaN LD外延片的表面制备脊形结构，所述脊形结构的底边被光刻至所述P型波导层(3)向所述GaN LD外延片的表面采用离子注入方法形成绝缘层(4)蒸镀P型欧姆接触电极(5)制备P型层加厚电极；(6)蒸镀N型欧姆接触电极(7)将上述激光器解理、镀膜、切割后形成单个激光器的管芯。本发明专利技术在所述未设置脊形结构的P型波导层上、在所述脊形结构的侧壁上以及脊形结构的两端均设置有由离子注入方法制备的绝缘层，从而得到最小脊条宽度为1μm的激光器，易实现单模，热稳定性好，且不需要剥离，工艺简单。

【技术实现步骤摘要】
一种脊形半导体激光二极管的制备方法
本专利技术涉及一种脊形半导体激光二极管的制备方法，属于光电子加工的

技术介绍
随着半导体光电子器件的迅速发展，氮化镓半导体激光器应运而生。作为第三代半导体，氮化镓(GaN)及其系列材料以其禁带宽度大、光谱范围宽(覆盖了从紫外到红外的全波段)、耐高温性和耐腐蚀性好，在光电子学和微电子学领域具有巨大的应用价值。氮化镓激光器，尤其是蓝紫光波段，相对于红光及红外激光器来说，能够提供更小的光斑尺寸和更大的聚焦深度，从而在更高分辨、更快速度的激光打印以及大密度存储系统中有着广泛的应用。另外，蓝光激光器结合现在已有的红光、绿光激光器，在投影显示及全色打印领域中，具有很广的前景。现有的氮化镓基激光器管芯的制作方法是：利用刻蚀的方法形成激光器的脊型结构，接着利用套刻或者自对准的方法在脊型以外的区域制作绝缘层，然后形成P、N电极，最后通过解理、腔面镀膜后得到激光器管芯。然而，通过套刻工艺得到的脊型激光器脊条较宽，不容易实现单模，且热稳定性差。自对准工艺虽然可以获得较窄的条宽，但是存在剥离困难，易漏电等问题。PCT国际专利申请WO2005093919A1公开了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种脊形半导体激光二极管的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：(1)制备GaN LD外延片，所述GaN LD外延片包括在衬底上依次设置的N型GaN欧姆接触层、N型AlGaN光限制层、N型波导层、有源区、P型波导层、P型AlGaN光限制层和P型GaN欧姆接触层；(2)利用掩膜、光刻工艺在所述GaN LD外延片的表面制备脊形结构，所述脊形结构的底边被光刻至所述P型波导层；(3)向所述GaN LD外延片的表面采用离子注入方法形成绝缘层，然后去除步骤(2)所述的掩膜；(4)在所述脊形结构的表面蒸镀P型欧姆接触电极；(5)在所述P型欧姆接触电极的表面制备P型层加厚电极；(6)将衬底减薄，蒸镀N型欧...

【技术特征摘要】
1.一种脊形半导体激光二极管的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：(1)制备GaNLD外延片，所述GaNLD外延片包括在衬底上依次设置的N型GaN欧姆接触层、N型AlGaN光限制层、N型波导层、有源区、P型波导层、P型AlGaN光限制层和P型GaN欧姆接触层；(2)利用掩膜、光刻工艺在所述GaNLD外延片的表面制备脊形结构，所述脊形结构的底边被光刻至所述P型波导层；(3)向所述GaNLD外延片的表面采用离子注入方法形成绝缘层，然后去除步骤(2)所述的掩膜；(4)在所述脊形结构的表面蒸镀P型欧姆接触电极；(5)在所述P型欧姆接触电极的表面制备P型层加厚电极；(6)将衬底减薄，蒸镀N型欧姆接触电极，制成激光器；(7)将上述激光器解理、镀膜、切割后形成单个激光器的管芯。2.根据权利要求1所述的一种脊形半导体激光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中衬底为导电GaN层、SiC层或硅层。3.根据权利要求1所述的一种脊形半导体激光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的离子注入方法中，注入离子厚度为0.1-0.5μm。4.根据权利要求3所述的一种脊形半导体激光二极管的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雨，于军，张新，朱振，
申请(专利权)人：潍坊华光光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37