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本实用新型公开了一种边发射激光器耦合结构,包括:第二基板;待耦合器件,其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧,所述第二表面与所述第一表面相对设置;块体,设置在所述第二基板的第一表面上,所述块体的第二表面朝向所述...该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种边发射激光器耦合结构,包括:第二基板;待耦合器件,其入光面设置于所述第二基板的第一表面上或者所述第二基板的第二表面一侧,所述第二表面与所述第一表面相对设置;块体,设置在所述第二基板的第一表面上,所述块体的第二表面朝向所述...