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本实用新型公开了一种延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件，在多量子阱有源层背离衬底一侧形成有第二半导体多层膜反射镜，以通过第二半导体多层膜反射镜阻挡限制层和多量子阱有源层相接触，进而能够在形成限制层的氧化结构时，通过第二半导体多层膜反射镜...
该专利属于厦门乾照半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照半导体科技有限公司授权不得商用。

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