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本发明提供一种具有ODR的倒装VCSEL芯片及其制作方法，芯片包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远...
该专利属于厦门乾照半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照半导体科技有限公司授权不得商用。

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