一种集成LDMOS的JFET器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种集成LDMOS的JFET器件，涉及半导体技术领域，该JFET器件中LDMOS和JFET共用的漂移区形成于P型衬底中的N型深阱中，LDMOS和JFET共用的漏区由N型深阱表面的N型重掺杂区形成，LDMOS的沟道区形成于N型深阱中的P型阱区中、源区和体区分别由该P型阱区表面的两个重掺杂区形成；JFET的沟道区形成于P型衬底中的P型阱区中、源区和体区分别由N型深阱和该P型阱区表面的两个重掺杂区形成；本申请将超高压LDMOS直接集成到了超高压JFET当中，通过两种晶体管的集成，总面积相比较两种晶体管的面积和大幅减小，提高了芯片集成度，降低了电路设计难度和制造成本，两种晶体管的融合还能够提升器件之间的兼容性，提升芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种集成LDMOS的JFET器件
本技术涉及半导体
，尤其是一种集成LDMOS的JFET器件。
技术介绍
在BCD集成电路的应用中，常常同时将超高压的LDMOS(横向双扩散金属氧化物场效应晶体管)器件及JFET(结型场效应晶体管)器件集成到同一颗芯片当中，分别用作开关管和启动管。超高压的LDMOS是指耐压超过500V的LDMOS器件，为了保证器件的耐压，需要在场极板、漂移区结深、漂移区尺寸、漂移区浓度匹配等许多方面进行精心设计，以降低器件表面电场强度。目前典型的非外延超高压LDMOS的结构示意图请参考图1，各标号对应含义如下：10-P型衬底(Psub)，11-N型深阱(DNW)，12-P型阱区(PW)，13-场氧化层，14-P型top层，15-体区，16-源区，17-漏区，18-多晶硅栅。轻掺杂的N型深阱构成了它的长漂移区，能够保证其承受足够的耐压，为了能承受500V以上的耐压，该N型深阱构成的长漂移区的长度通常在60μm以上。多晶硅栅下方的P型阱区是LDMOS的沟道，通过栅极的偏压可以控制LDMOS的开启与关闭，控制漏源电流的大小，在模拟电路当中，经常被用作开关管进行PWM脉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成LDMOS的JFET器件，其特征在于，LDMOS的漂移区和JFET的漂移区共用，LDMOS的漏区和JFET的漏区共用，所述器件包括：P型衬底，所述P型衬底上开设有接触孔；N型深阱，所述N型深阱形成于所述P型衬底中，JFET的漂移区形成于所述N型深阱中，所述N型深阱包括JFET沟道浅结和LDMOS沟道深结并形成阶梯型结构；第一P型阱区，所述第一P型阱区形成于所述N型深阱中，LDMOS的沟道区形成于所述第一P型阱区中，所述LDMOS的沟道区表面形成有多晶硅栅；第二P型阱区，所述第二P型阱区形成于所述P型衬底中，所述第二P型阱区位于所述N型深阱的JFET沟道浅结的外侧，JFET的沟道区形...

【技术特征摘要】
1.一种集成LDMOS的JFET器件，其特征在于，LDMOS的漂移区和JFET的漂移区共用，LDMOS的漏区和JFET的漏区共用，所述器件包括：P型衬底，所述P型衬底上开设有接触孔；N型深阱，所述N型深阱形成于所述P型衬底中，JFET的漂移区形成于所述N型深阱中，所述N型深阱包括JFET沟道浅结和LDMOS沟道深结并形成阶梯型结构；第一P型阱区，所述第一P型阱区形成于所述N型深阱中，LDMOS的沟道区形成于所述第一P型阱区中，所述LDMOS的沟道区表面形成有多晶硅栅；第二P型阱区，所述第二P型阱区形成于所述P型衬底中，所述第二P型阱区位于所述N型深阱的JFET沟道浅结的外侧，JFET的沟道区形成于所述第二P型阱区中；LDMOS的源区由形成于所述第一P型阱区表面的N型重掺杂区形成，LDMOS的体区由形成于所述第一P型阱区表面的P型重掺杂区形成，LDMOS的源区与所述多晶硅栅的第一侧自对准，LDMOS的源区通过所述P型衬底上的接触孔引出为LDMOS的源极，LDMOS的体区通过所述P型衬底上的接触孔引出为LDMOS的体区；LDMOS的漏区由形成于所述N型深阱的LDMOS沟道深结表面的N型重掺杂区形成，所述LDMOS的漏区位于所述多晶硅栅的第二侧的外部，所述LDMOS的漏区通过所述P型衬底上的接触孔引出为LDMOS的漏极；所述第一P型阱区...

【专利技术属性】
技术研发人员：范捷，万立宏，王绍荣，
申请(专利权)人：江苏丽隽功率半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32