本实用新型涉及一种集成RC吸收器的功率半导体器件。其在有源区内，任意两个相邻的元胞之间制备若干用于吸收振荡电压的RC吸收器，其中，所述RC吸收器包括制备于半导体基板外延层内的吸收掺杂区以及若干制备于所述吸收掺杂区内的吸收沟槽，在吸收沟槽...

本发明涉及一种可抗ESD的沟槽型功率半导体器件及制备方法。其还包括制备于终端保护区内的ESD保护结构，其中，所述ESD保护结构包括ESD保护沟槽单元以及ESD保护多晶硅单元，所述ESD保护多晶硅单元填充于ESD保护沟槽单元内；所述ESD...

本实用新型涉及一种具有倒T型埋层的深沟槽型功率器件。其有源区内的元胞采用沟槽结构；在所述功率器件的截面上，任意相邻的两个元胞沟槽之间设置一第二导电类型倒T型埋层，所述第二导电类型倒T型埋层位于第一导电类型外延层内，第二导电类型倒T型埋层...

本实用新型公开了一种氮化镓基肖特基二极管，涉及半导体技术领域，该新型结构的氮化镓基肖特基二极管包括衬底及其上的N+氮化镓外延层，N+氮化镓外延层上制作有呈间隔结构的N‑GaN外延层，N‑GaN外延层上制作有P‑GaN外延层，P‑GaN外...

本发明公开了一种垂直型硅基氮化镓功率器件减薄方法，涉及半导体技术领域，该方法在减薄过程中依次经过第一次研磨减薄、第一次背面腐蚀、第二次研磨减薄、快速热退火、第三次研磨减薄荷第二次背面腐蚀，该方法将传统的背面机械研磨分为三次完成，三次研磨...

本实用新型公开了一种高可靠性的MIM电容器，涉及半导体技术领域，该MIM电容器在金属层上设有将金属层分隔为岛状结构的沟槽，金属层上的电容下电极在沟槽正上方开设宽度较小的开口槽，沟槽、开口槽以及电容下电极表面部分区域均覆盖氧化硅，电容下电...

本实用新型公开了一种新型结构的双极型晶体管，涉及半导体技术领域，该双极型晶体管在氧化隔离内引入N型多晶硅的埋层，同时结合器件特性连接至相应电位，可以在不降低N‑外延层电阻率的前提下大幅降低器件的Vcesat，优化器件的性能；同时，在靠近...

本实用新型公开了一种横向静电感应晶体管，涉及半导体技术领域，该静电感应晶体管的源极和漏极均位于N型硅层的表面，间隔设置的P型栅块与表面的连接P型栅块的P型外栅共同构成栅极，P型栅块之间形成沟道区，该器件区别于传统的纵向的SIT结构，其电...

本实用新型公开了一种集成高密度静电防护芯片，涉及半导体技术领域，该集成高密度静电防护芯片通过放电沟槽、隔离构成结合N型外延层形成一组纵向二极管结构，PN结采用外延形成，界面在硅体内，缺陷少、漏电小、器件可靠性好，且整个防护芯片形成多组二...

本实用新型公开了一种集成高性能的LDMOS结构，涉及半导体技术领域，该高性能的LDMOS结构在漂移区内引入了变掺杂的P型补偿注入区，P型补偿注入区的尺寸沿着P型阱区至N型阱区的方向依次减小，且P型补偿注入区靠近P型阱区的一侧不超出所在侧...

本实用新型公开了一种自散热快恢复功率器件芯片，涉及半导体技术领域，该器件芯片的结构在常规的PIN二极管的基础上进行改进，使用N型衬底，降低生产成本，N型衬底的正面形成P型注入区构成器件的P区，N型衬底的背面形成N+注入区构成器件的N区，...

本发明公开了一种静电感应晶闸管及其制作方法，涉及半导体技术领域，提供了一种新的静电感应晶闸管的结构，其正面中间为栅极、两侧为阴极，背面为阳极，在其制作过程中，由于裸露在外的P+杂质区域较小，因此杂质自扩散的问题大幅减轻，电阻率的控制更为...

本发明公开了一种静电感应晶体管的制造方法，涉及半导体制造领域，包括：在N+衬底上生长N‑外延层，在N‑外延层的表面进行N+注入；在N+表面生长SIN阻挡层，进行栅槽的光刻刻蚀；在栅槽侧壁及底部生长氧化层，采用各向同性刻蚀的方式对刻蚀底部...

本实用新型涉及管脚折弯技术领域，尤其为一种晶体管的管脚折弯装置，包括定位架和水平柱，所述定位架的底端内侧固定连接有竖直设置的固定板，所述固定板的顶端固定连接有第一顶板，左侧所述固定板的左端固定连接有电机，所述电机的主轴末端固定连接有转动...

本实用新型涉及检测装置技术领域，尤其为VDMOS垂直栅场效应晶体管的电容稳定性检测装置，包括装置外壳、第一履带和二级运输机构，所述装置外壳内侧设有第一电机，所述第一电机主轴末端固定连接有旋转偏移套杆，所述旋转偏移套杆外侧滑动连接有第一主...

本实用新型涉及检测装置技术领域，尤其为高效率耗尽型场效应晶体管的可靠性检测装置，包括装置外壳、磁场发生器和投料管道，所述装置外壳内侧固定底端固定连接有固定套，所述固定套顶端固定连接有支撑杆，所述支撑杆末端固定连接有第一电机，所述第一电机...

本实用新型涉及定位装置技术领域，尤其为一种晶体管的送料装置，包括投料装置、托盘和驱动电机，所述驱动电机主轴末端固定连接有间歇驱动转轮，所述间歇驱动转轮外侧契合链接有从动齿，所述从动齿底端固定连接有联动履带，所述联动履带外侧固定连接有托盘...

本实用新型公开了一种集成LDMOS的JFET器件，涉及半导体技术领域，该JFET器件中LDMOS和JFET共用的漂移区形成于P型衬底中的N型深阱中，LDMOS和JFET共用的漏区由N型深阱表面的N型重掺杂区形成，LDMOS的沟道区形成于...

本实用新型公开了一种ST平面栅VDMOS结构，属于半导体器件领域。该结构包括衬底、外延层、栅氧化层和多晶硅栅、金属层、绝缘介质层、接触孔；外延层在衬底之上；外延层上设置有P型半导体区，P型半导体区上设置有N型半导体区；N型半导体区上有接...

本实用新型公开了一种外延沟道超结VDMOS器件，涉及半导体技术领域，该VDMOS器件的第一外延层上的第一沟槽和第二沟槽采用深沟槽填充的方式形成为P/N结超结结构，第二沟槽上部选择性注入形成有重掺杂区，重掺杂区保证了器件的击穿电压，沟道位...