一种ST平面栅VDMOS结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种ST平面栅VDMOS结构，属于半导体器件领域。该结构包括衬底、外延层、栅氧化层和多晶硅栅、金属层、绝缘介质层、接触孔；外延层在衬底之上；外延层上设置有P型半导体区，P型半导体区上设置有N型半导体区；N型半导体区上有接触孔，接触孔贯穿N型半导体区，接触孔的底部在P型半导体区；外延层之上生长有栅氧化层，栅氧化层之上生长有多晶硅栅，多晶硅栅上覆盖有绝缘介质层；金属层覆盖绝缘介质层、接触孔和N型半导体区；降低单个元胞体的导通电阻，从而降低整个器件的导通电阻，可以实现普通平面MOS的功能和特性，降低生产过程中光刻版数量和光罩步骤，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种ST平面栅VDMOS结构
本技术实施例涉及半导体器件领域，特别涉及一种ST平面栅VDMOS结构。
技术介绍
VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)具有开关速度快、输入阻抗高、易驱动的特点。传统的平面栅VDMOS的元胞体都需要通过专门的源极N+掩膜版注入源极N+形成源极，结构如图1所示。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本技术实施例提供了一种ST平面栅VDMOS结构。该技术方案如下：第一方面，提供了一种ST平面栅VDMOS结构，包括衬底、外延层、栅氧化层和多晶硅栅、金属层、绝缘介质层、接触孔；外延层在衬底之上；外延层上设置有P型半导体区，P型半导体区上设置有N型半导体区；N型半导体区上有接触孔，接触孔贯穿N型半导体区，接触孔的底部在P型半导体区；外延层之上生长有栅氧化层，栅氧化层之上生长有多晶硅栅，多晶硅栅上覆盖有绝缘介质层；金属层覆盖绝缘介质层、接触孔和N型半导体区。可选的，P型半导体区的宽度大于N型半导体区的宽度；N型半导体区的宽度大于接触孔的宽度。可选的，P型半导体区和N型半导体区位于栅氧化层上的刻蚀区的下方；P型半导体区的上表面和N型半导体区的上表面分别与栅氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ST平面栅VDMOS结构，其特征在于，包括衬底、外延层、栅氧化层和多晶硅栅、金属层、绝缘介质层、接触孔；所述外延层在所述衬底之上；所述外延层上设置有P型半导体区，所述P型半导体区上设置有N型半导体区；所述N型半导体区上有所述接触孔，所述接触孔贯穿所述N型半导体区，所述接触孔的底部在所述P型半导体区；所述外延层之上生长有所述栅氧化层，所述栅氧化层之上生长有所述多晶硅栅，所述多晶硅栅上覆盖有绝缘介质层；所述金属层覆盖所述绝缘介质层、所述接触孔和所述N型半导体区。

【技术特征摘要】
1.一种ST平面栅VDMOS结构，其特征在于，包括衬底、外延层、栅氧化层和多晶硅栅、金属层、绝缘介质层、接触孔；所述外延层在所述衬底之上；所述外延层上设置有P型半导体区，所述P型半导体区上设置有N型半导体区；所述N型半导体区上有所述接触孔，所述接触孔贯穿所述N型半导体区，所述接触孔的底部在所述P型半导体区；所述外延层之上生长有所述栅氧化层，所述栅氧化层之上生长有所述多晶硅栅，所述多晶硅栅上覆盖有绝缘介质层；所述金...

【专利技术属性】
技术研发人员：万立宏，范捷，王绍荣，
申请(专利权)人：江苏丽隽功率半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32