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本实用新型公开了一种ST平面栅VDMOS结构，属于半导体器件领域。该结构包括衬底、外延层、栅氧化层和多晶硅栅、金属层、绝缘介质层、接触孔；外延层在衬底之上；外延层上设置有P型半导体区，P型半导体区上设置有N型半导体区；N型半导体区上有接触孔...
该专利属于江苏丽隽功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏丽隽功率半导体有限公司授权不得商用。

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