一种晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，具体涉及一种新型半导体晶体管，所述晶体管包括：衬底，所述衬底上设有一源区、一漏区以及连通所述源漏区的沟道区；一栅极结构，所述栅极结构是垂直结构，在晶体管开启时，源极的电子，顺着体内垂直多晶硅栅的两侧向漏极流动，从而实现其沟槽侧壁成为多条导电沟道的目的，本实用新型专利技术相比较传统的平面型晶体管结构具有更低的导通电阻，更高的电流驱动能力。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管
本技术涉及半导体
，具体涉及一种新型半导体晶体管。
技术介绍
金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管(MOS管)，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其中依据其‘通道’工作载流子的极性不同，可分为“N型”和“P型”两种类型。其工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管即增强型N-MOS管为例)是利用栅极电压来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。当栅极电压改变时，沟道内感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流随着栅极电压的变化而变化，传统工艺的硅表面只有单层沟道，晶体管载流子流动被局限于硅表面，从而晶体管的导电能力被结构所限制。
技术实现思路
鉴于以上情况，本技术所要解决其技术问题采用以下的技术方案来实现。本技术实施例还提供一种晶体管，包括，半导体衬底；阱区，形成于所述半导体衬底上；氧化硅层，形成于所述半导体衬底和阱区上表面；形成于所述阱区中的若干条沟槽；栅氧化层，形成于所述沟槽内壁；栅极结构，通过在所述沟槽内填充有多晶硅以形成；源区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管，其特征在于，包括:半导体衬底；阱区，形成于所述半导体衬底上；氧化硅层，形成于所述半导体衬底和阱区上表面；形成于所述阱区中的若干条沟槽；栅氧化层，形成于所述沟槽内壁；栅极结构，通过在所述沟槽内填充有多晶硅以形成；源区和漏区，分别形成于所述沟槽的两侧。

【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其特征在于，包括:半导体衬底；阱区，形成于所述半导体衬底上；氧化硅层，形成于所述半导体衬底和阱区上表面；形成于所述阱区中的若干条沟槽；栅氧化层，形成于所述沟槽内壁；栅极结构，通过在所述沟槽内填充有多晶硅以形成；源区和漏区，分别形成于所述沟槽的两侧。2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，在所述半导体衬底和阱区上表面通过低压化学气相淀积形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述半导体上表面。3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述沟槽垂直于所述半导体上表面，所述沟槽的图形为条状，若干条所述沟槽呈平行的条状排列。4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，形成于所述阱区中的若干条沟槽之后，在沟槽内部形成牺牲氧化层并去除牺牲氧化层，用于消除沟槽侧壁的刻蚀损伤。5.根据权利要求1所述的晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：林河北，凌浩，谭丽娟，杜永琴，
申请(专利权)人：深圳市金誉半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44