一种高可靠性的MIM电容器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高可靠性的MIM电容器，涉及半导体技术领域，该MIM电容器在金属层上设有将金属层分隔为岛状结构的沟槽，金属层上的电容下电极在沟槽正上方开设宽度较小的开口槽，沟槽、开口槽以及电容下电极表面部分区域均覆盖氧化硅，电容下电极表面的氧化硅形成间隔结构，电容下电极上依次淀积介质层和电容上电极；该结构中电容的有效区域为电容下电极表面的氧化硅之间的间隔区域，完全避开了电极刻蚀的位置，不会受到任何刻蚀工艺的损伤，同时介质层上直接淀积电容下电极，电容的有效区域未经过任何的工艺过程，因此器件的可靠性极高，另外氧化硅淀积保护隔离使得开口槽处尖角位置不会对介质层造成影响，大幅提高电容可靠性。

A high reliability MIM capacitor

【技术实现步骤摘要】
一种高可靠性的MIM电容器
本技术涉及半导体
，尤其是一种高可靠性的MIM电容器。
技术介绍
在超大规模集成电路中，电容器是常用的无源器件之一，其通常整合于双极晶体管或互补式金属氧化物半导体晶体管等有源器件中。目前制造电容器的技术可分为以多晶硅为电极和以金属为电极两种，以多晶硅为电极会出现载子缺乏的问题，使得电容器两端的电压发生改变时，电容量也会随着改变，因此以多晶硅为电极的电容器无法维持现今逻辑电路的线性需求，而以金属为电极的电容器则无此问题，这种电容器泛称为MIM电容器(Metal-Insulator-MetalCapacitor)。现有的MIM电容器的结构如图1所示，其中各标号表示的含义如下：11-衬底，12-绝缘层，13-金属A1层，14-电容下电极、15-介质层，16-电容上电极，17-钝化层，18-电极引出线。其中电容下电极14和电容上电极16的结构相同，分别包括从下至上层叠的TiN-1层、W层和TiN-2层。上述结构的MIM电容器的制作过程如下：1、在衬底11上生长一层绝缘层12，衬底11取决于器件应用，若用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高可靠性的MIM电容器，其特征在于，所述MIM电容器包括：衬底、生长在所述衬底上的绝缘层以及淀积在所述绝缘层上的金属层；/n所述金属层表面设有互相连通的若干个沟槽，所述沟槽将所述金属层的表面分隔为若干个独立的岛状结构，所述沟槽的深度小于所述金属层的厚度，所述沟槽内淀积有氧化硅；/n所述金属层上淀积有电容下电极，所述电容下电极在所述沟槽的正上方刻蚀有开口槽，所述开口槽的宽度小于所述沟槽的宽度，所述开口槽中也填充有氧化硅；所述电容下电极的表面在所述开口槽处也覆盖有氧化硅且所述电容下电极的表面的氧化硅形成间隔结构；/n所述电容下电极上设有介质层，所述介质层覆盖所述电容下电极表面的氧化硅以及所...

【技术特征摘要】
1.一种高可靠性的MIM电容器，其特征在于，所述MIM电容器包括：衬底、生长在所述衬底上的绝缘层以及淀积在所述绝缘层上的金属层；
所述金属层表面设有互相连通的若干个沟槽，所述沟槽将所述金属层的表面分隔为若干个独立的岛状结构，所述沟槽的深度小于所述金属层的厚度，所述沟槽内淀积有氧化硅；
所述金属层上淀积有电容下电极，所述电容下电极在所述沟槽的正上方刻蚀有开口槽，所述开口槽的宽度小于所述沟槽的宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：范捷，万立宏，王绍荣，
申请(专利权)人：江苏丽隽功率半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32