一种扇出型半导体封装结构制造技术

本发明专利技术提供了一种扇出型半导体封装结构，本发明专利技术使用下层介电层形成环形凹槽结构，并在环形凹槽内形成环形MIM电容器，其有效的提高电容量且不影响扇出型封装的电引出，并使得凸块形成在环形凹槽内，保证凸块的体积较大的基础上，可以实现薄型化、防止凸块的剥离风险。

A fan out semiconductor packaging structure

【技术实现步骤摘要】
一种扇出型半导体封装结构
本专利技术涉及半导体封装领域，具体涉及一种扇出型半导体封装结构。
技术介绍
扇出型晶圆级封装是一种晶圆级加工的嵌入式芯片封装方法，是目前一种输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好的先进封装方法之一。扇出型晶圆级封装相较于常规的晶圆级封装具有其独特的优点，因此被广泛使用。而随着封装器件的功能需要，往往要求芯片和电容器进行互联组装。现有的组装方式往往是利用单独的电容器和单独的芯片封装进行二次封装，或者在芯片制造的后道工艺中集成MIM电容器，对于前者而言，其不利于提高集成度，而对于后者而言，如何有效的利用芯片表面的面积以提高电容量是研究的方向。并且现有的后道集成电容的方法，其芯片的表面介电层较多，厚度较大，凸块则远离芯片表面，不利于薄型化，且极易使得所凸块剥离。
技术实现思路
基于解决上述问题，本专利技术提供了一种扇出型半导体封装方法，其特征在于，其包括以下步骤：(1)提供芯片基体，在所述芯片基体的顶面具有焊盘；(2)在所述顶面上形成下层介质层；(3)在所述下层介质层中形成第一通孔和第一环形凹槽，所述第一环形凹槽环绕所述第一通孔，所述第一通孔电连接所述焊盘；(4)在所述第一环形凹槽内形成MIM电容器，在所述下层介质层上形成第一布线层，其中，所述第一布线层与所述MIM电容器的底层金属层同时形成，且所述第一布线层电连接所述第一通孔和所述MIM电容器；(5)形成上层介质层，其覆盖所述第一布线层、MIM电容器和上层介质层上，其中，所述上层介质层中具有第二通孔和对应于所述第一环形凹槽的第二环形凹槽；(6)形成第二布线层，其至少部分延伸至所述第二环形凹槽内，且通过第二通孔电连接至所述第一布线层和所述MIM电容器；(7)形成多个凸块，所述多个凸块均形成于所述第二环形凹槽内。本专利技术还提供了一种扇出型半导体封装结构，其使用上述的扇出型半导体封装方法制造形成，包括：芯片基体，在其顶面具有焊盘；下层介质层，形成于所述顶面上，其中，所述下层介质层中具有第一通孔和第一环形凹槽，所述第一环形凹槽环绕所述第一通孔，所述第一通孔电连接所述焊盘；MIM电容器，形成于所述第一环形凹槽内；第一布线层，设置于所述下层介质层上，且电连接所述第一通孔和所述MIM电容器；上层介质层，其覆盖所述第一布线层、MIM电容器和上层介质层上，其中，所述上层介质层中具有第二通孔和对应于所述第一环形凹槽的第二环形凹槽；第二布线层，其至少部分延伸至所述第二环形凹槽内，且通过第二通孔电连接至所述第一布线层和所述MIM电容器；多个凸块，所述多个凸块均形成于所述第二环形凹槽内。本专利技术的优点如下：本专利技术使用下层介电层形成环形凹槽结构，并在环形凹槽内形成环形MIM电容器，其有效的提高电容量且不影响扇出型封装的电引出，并使得凸块形成在环形凹槽内，保证凸块的体积较大的基础上，可以实现薄型化、防止凸块的剥离风险。附图说明图1为本专利技术的扇出型半导体封装结构的剖视图；图2为本专利技术的MIM电容器结构的放大图；图3为本专利技术的扇出型半导体封装结构的剖视图对应的俯视图；图4-15为本专利技术的扇出型半导体封装方法的示意图。具体实施方式参见图1-3，本专利技术的扇出型封装结构集成了MIM电容器8，该MIM电容器8为环形电容器，且形成于第一环形凹槽6中，具体结构包括芯片基体1，该芯片基体1为具有芯片的板状结构，例如所述芯片基体1为内部形成有芯片的硅衬底或者是塑封有芯片的注塑体，所述硅衬底可以是由晶圆直接单体化得到，而所述注塑体使用后道工序的树脂封装工艺所述密封形成的芯片密封体，该密封体上表面必须露出电引出结构。在所述芯片基体1的顶面具有多个焊盘2，该焊盘2为芯片基体1的芯片的引出焊盘。在所述芯片基体1的所述顶面上设置有第一介质层3和第二介质层4(共同构成上层介质层)，所述第一介质层3和第二介质层4的材质可以选自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料，也可以选自PBO、PI等聚合物材料，并且所述第一和第二介质层3、4的材质可以相同，也可以不同。为了保护第一介质层3的侧面，所述第二介质层4包覆所述第一介质层3的侧面。并且为了保证最终的凹槽的深度(例如第二环形凹槽的深度)，所述第二介质层4的厚度大于所述第一介质层3的厚度且大于所述上层介质层9的厚度。其中，第一通孔5贯穿所述第一和第二介质层，所述第一通孔5电连接所述焊盘2，所述第一通孔5可以通过蚀刻钻孔或激光钻孔等技术形成开口并进行填充导电材料形成，优选的，所述第一通孔5的材质为铜。所述第二介质层4中还具有第一环形凹槽6(参见图3)，所述第一环形凹槽6还可以部分嵌入所述第一介质层3中(未示出)，并且该第一环形凹槽6环绕所述第一通孔5。在第一环形凹槽6内形成有MIM电容器8，并且该MIM电容器8在所述第一环形凹槽6的底面和侧面延伸至所述第二介质层4的上表面，且在所述第二介质层4上设置有第一布线层7，该第一布线层7电连接所述第一通孔和所述MIM电容器；其中，所述MIM电容器8包括第一金属层71、电容介质层72和第二金属层73，其中所述第一布线层7与所述第一金属层71在同一电镀、气相沉积等步骤中形成。所述MIM电容器8也是环形结构。在所述第一布线层7、MIM电容器8和第二介质层4上覆盖覆盖有上层介质层9，其中，所述上层介质层9中具有第二通孔10、111和对应于所述第一环形凹槽6的第二环形凹槽。该第二环形凹槽可以是共形的形成，无需额外的开槽。所述第二通孔10将第一布线层7与在所述上层介质层9的第二布线层12电互连，所述第二通孔11将MIM电容器8的第二金属层73电连接至第二布线层12。其中所述上层介质层9的材质可以与第一和第二介质层3、4的材质相同，其也可以采用相同的方法形成。所述第二布线层12，其至少部分延伸至所述第二环形凹槽内，该延伸的部分至少是凹下去的形状。还包括设置于所述第二布线层12和所述上层介质层9上的钝化层13，所述钝化层13具有多个开口16，所述多个开口16的底部露出所述第二布线层12的延伸的部分。多个凸块14形成于所述第二环形凹槽内，所述多个凸块14为焊料凸块，其中，所述多个凸块14嵌入所述上层介质层9的深度为h，h的值应当大于所述上层介质层9的厚度，如此，使得所述多个凸块14可以深入所述第一环形凹槽6的一部分，保证接合力。下面介绍本专利技术的封装方法，其实现较为简单，依次包括以下步骤：参见图4，提供芯片基体1，在所述芯片基体1的顶面具有焊盘2；芯片基体1的具体结构不在赘述。参见图5，在所述顶面上形成第一介质层3和第二介质层4，其中所述第二介质层4包覆所述第一介质层3的侧面；该形成方法可以采用本领域熟知的例如沉积的方法实现。参见图6，在所述第二介质层4内钻孔形成开口17和第一环形凹槽6，所述开口17对应于所述焊盘2的位置。参见图7，对所述开口17位置的第一介质层3进行钻孔形成贯穿所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扇出型半导体封装方法，其特征在于，其包括以下步骤：/n(1)提供芯片基体，在所述芯片基体的顶面具有焊盘；/n(2)在所述顶面上形成下层介质层；/n(3)在所述下层介质层中形成第一通孔和第一环形凹槽，所述第一环形凹槽环绕所述第一通孔，所述第一通孔电连接所述焊盘；/n(4)在所述第一环形凹槽内形成MIM电容器，在所述下层介质层上形成第一布线层，其中，所述第一布线层与所述MIM电容器的底层金属层同时形成，且所述第一布线层电连接所述第一通孔和所述MIM电容器；/n(5)形成上层介质层，其覆盖所述第一布线层、MIM电容器和上层介质层上，其中，所述上层介质层中具有第二通孔和对应于所述第一环形凹槽的第二环形凹槽；/n(6)形成第二布线层，其至少部分延伸至所述第二环形凹槽内，且通过第二通孔电连接至所述第一布线层和所述MIM电容器；/n(7)形成多个凸块，所述多个凸块均形成于所述第二环形凹槽内。/n

【技术特征摘要】
1.一种扇出型半导体封装方法，其特征在于，其包括以下步骤：
(1)提供芯片基体，在所述芯片基体的顶面具有焊盘；
(2)在所述顶面上形成下层介质层；
(3)在所述下层介质层中形成第一通孔和第一环形凹槽，所述第一环形凹槽环绕所述第一通孔，所述第一通孔电连接所述焊盘；
(4)在所述第一环形凹槽内形成MIM电容器，在所述下层介质层上形成第一布线层，其中，所述第一布线层与所述MIM电容器的底层金属层同时形成，且所述第一布线层电连接所述第一通孔和所述MIM电容器；
(5)形成上层介质层，其覆盖所述第一布线层、MIM电容器和上层介质层上，其中，所述上层介质层中具有第二通孔和对应于所述第一环形凹槽的第二环形凹槽；
(6)形成第二布线层，其至少部分延伸至所述第二环形凹槽内，且通过第二通孔电连接至所述第一布线层和所述MIM电容器；
(7)形成多个凸块，所述多个凸块均形成于所述第二环形凹槽内。


2.一种扇出型半导体封装结构，其使用权利要求1所述的扇出型半导体封装方法制造形成，包括：
芯片基体，在其顶面具有焊盘；
下层介质层，形成于所述顶面上，其中，所述下层介质层中具有第一通孔和第一环形凹槽，所述第一环形凹槽环绕所述第一通孔，所述第一通孔电连接所述焊盘；
MIM电容器，形成于所述第一环形凹槽内；
第一布线层，设置于所述下层介质层上，且电连接所述第一通孔和所述MIM电容器；...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯红伟，
申请(专利权)人：山东砚鼎电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37