电容器及其形成方法技术

本申请的实施例提供一种电容器，包括：沿着第一方向延伸且位于基板中的至少一主要沟槽，以及沿着不同于第一方向的第二方向延伸且位于基板中的至少一次要沟槽。电容还包括：分离基板与多个电容板中的第一电容板的第一介电材料，以及分离第一电容板与此些电容板中的第二电容板的第二介电材料，其中第一介电材料、第二介电材料、第一电容板与第二电容板至少部分位于基板中的至少一主要沟槽与至少一次要沟槽之中。

Capacitor and its forming method

【技术实现步骤摘要】
电容器及其形成方法
本专利技术实施例涉及一种电容器，特别涉及沟槽电容。
技术介绍
集成电路时常包括电容，以在存储芯片中存储数据或在集成电路中控制元件的时序。电容具有高深宽比(aspectratio)，例如深入蚀刻至介电介质(dielectricmedium)中的类通孔电容(via-likecapacitor)，或延长型电容，例如沟槽电容。当电容板的表面积增加、电容板间的距离减少以及/或电容板间介电材料的介电常数减少时，电容存储量会增加。减少整体集成电路的布局面积能降低制造集成电路的成本，以在制造的基板上配置更多的电路晶粒(circuitdies)。降低个别电路元件，包括电容，的布局面积可降低整体的电路布局面积。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种电容器，包括：至少一主要沟槽于基板中，沿着第一方向延伸；至少一次要沟槽于基板中，沿着不同于第一方向的第二方向延伸，且与至少一主要沟槽相交；第一介电材料，分离基板与多个电容板中的第一电容板；以及第二介电材料，分离第一电容板与此些电容板中的第二电容板，其中第一介电材料、第二介电材料、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容器，包括：/n至少一主要沟槽于一基板中，沿着一第一方向延伸；/n至少一次要沟槽于该基板中，沿着不同于该第一方向的一第二方向延伸，且与该至少一主要沟槽相交；/n一第一介电材料，分离该基板与多个电容板中的一第一电容板；以及/n一第二介电材料，分离该第一电容板与所述电容板中的一第二电容板，其中该第一介电材料、该第二介电材料、该第一电容板与该第二电容板至少部分位于该基板中的该至少一主要沟槽与该至少一次要沟槽之中。/n

【技术特征摘要】
20180921 US 62/734,644;20190722 US 16/518,2571.一种电容器，包括：
至少一主要沟槽于一基板中，沿着一第一方向延伸；
至少一次要沟槽于该基板中，沿着不同于该第一方向的一第二方向延伸，且与该至少一主要沟槽相交；
一第一介电材料，分离该基板与多个电容板中的一第一电容板；以及
一第二介电材料，分离该第一电容板与所述电容板中的一第二电容板，其中该第一介电材料、该第二介电材料、该第一电容板与该第二电容板至少部分位于该基板中的该至少一主要沟槽与该至少一次要沟槽之中。


2.如权利要求1所述的电容器，其中该基板的一顶表面与该第一介电材料、该第二介电材料、该第一电容板以及该第二电容板的各顶表面实质上共表面。


3.如权利要求1所述的电容器，其中所述电容板的至少一电容板的一部分沿着一岛状结构的一侧壁延伸，该岛状结构由该至少一主要沟槽与该至少一次要沟槽所形成。


4.如权利要求1所述的电容器，其中该第一方向垂直于该第二方向。


5.如权利要求1所述的电容器，其中该第一电容板包括至少两个导电层。


6.如权利要求5所述的电容器...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭文峰，赖佳平，曾仲铨，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71