【技术实现步骤摘要】
一种改善铁电薄膜电容器性能的方法
本专利技术属于电子器件
，涉及一种改善铁电薄膜电容器性能的方法。
技术介绍
电容器是电子设备中广泛使用的电子元件之一，在集成电路中有着不可替代的作用。铁电薄膜电容器作为一种特殊的电容器也被大量使用。随着电子信息技术的迅速发展，对于电容器器件的性能提出了更高的要求，其中，读写速度是衡量电容器器件性能好坏的重要标准。当用正探针尖端向铁电薄膜电容器输入电压时，器件点电极或者线电极下面的铁电薄膜区域扩散，造成极化面积增加，这些正探针尖端电荷所致的区域极化效应造成电容器“寄生层”产生，导致铁电薄膜电容器的读写时间增加，读写速度较慢，而且由于“寄生层”的出现，使本来就很薄的铁电薄膜的有效厚度减小，从而使剩余极化下降，同时形成的缺陷在以后的极化反转时会影响耐疲劳性能，这些显然不利于铁电薄膜电容器的应用，需要找到合适的方法避免这些问题的出现，以达到改善铁电薄膜电容器性能的目的。博士论文“聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)铁电纳米薄膜性能及电活性界面层作用机理研究”通过在铁电薄膜和电极层之间引入界面层(如...
【技术保护点】
1.一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征是：在采用正探针尖端或负探针尖端向铁电薄膜电容器中的薄膜施加电压以读写铁电薄膜电容器的过程中，将尖端输入的脉冲长度缩至2ms以下，且/或在铁电薄膜电容器被电压极化后，将尖端输入的电压调至0V后保持一段时间，以改善铁电薄膜电容器性能。/n
【技术特征摘要】
1.一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征是：在采用正探针尖端或负探针尖端向铁电薄膜电容器中的薄膜施加电压以读写铁电薄膜电容器的过程中，将尖端输入的脉冲长度缩至2ms以下，且/或在铁电薄膜电容器被电压极化后，将尖端输入的电压调至0V后保持一段时间，以改善铁电薄膜电容器性能。
2.根据权利要求1所述的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征在于，铁电薄膜电容器的读写速度小于1μs。
3.根据权利要求1所述的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征在于，正探针尖端或负探针尖端为压电力显微镜的正探针尖端或负探针尖端。
4.根据权利要求1所述的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征在于，铁电薄膜电容器为有机铁电薄膜电容器或无机铁电薄膜电容器。
5.根据权利要求4所述的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征在于，有机...
【专利技术属性】
技术研发人员：张修丽，徐红霞，汪丽莉，时志，黄志强，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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