【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有贯穿衬底通孔核心的三维互连多裸片电感器相关申请案的交叉参考本申请案含有与标题为“具有用于无线信号及功率耦合的背侧线圈的半导体装置(SEMICONDUCTORDEVICESWITHBACK-SIDECOILSFORWIRELESSSIGNALANDPOWERCOUPLING)”的由凯尔K.卡比(KyleK.Kirby)同时申请的美国专利申请案相关的标的物。其揭示内容以引用方式并入本文中的相关申请案转让给美光科技公司且由代理档案号10829-9206.US00标识。本申请案含有与标题为“具有用于无线信号及功率耦合的贯穿衬底线圈的半导体装置(SEMICONDUCTORDEVICESWITHTHROUGH-SUBSTRATECOILSFORWIRELESSSIGNALANDPOWERCOUPLING)”的由凯尔K.卡比同时申请的美国专利申请案相关的标的物。其揭示内容以引用方式并入本文中的相关申请案转让给美光科技公司且由代理档案号10829-9207.US00标识。本申请案含有与标题为“具有耦合贯穿衬底通孔核心的电感器(INDUCTORSW...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：/n第一裸片，其包含：/n第一表面，/n贯穿衬底通孔TSV，其至少基本上延伸穿过所述第一裸片，所述TSV具有延伸超过所述第一表面的部分，及/n第一基本上螺旋形导体，其围绕所述TSV安置；及/n第二裸片，其包含：/n第二表面，/n开口，其位于所述第二表面中，所述TSV的所述部分经安置在所述开口中，及/n第二基本上螺旋形导体，其围绕所述开口安置。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170502 US 15/584,9651.一种半导体装置，其包括：
第一裸片，其包含：
第一表面，
贯穿衬底通孔TSV，其至少基本上延伸穿过所述第一裸片，所述TSV具有延伸超过所述第一表面的部分，及
第一基本上螺旋形导体，其围绕所述TSV安置；及
第二裸片，其包含：
第二表面，
开口，其位于所述第二表面中，所述TSV的所述部分经安置在所述开口中，及
第二基本上螺旋形导体，其围绕所述开口安置。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基本上螺旋形导体经配置以响应于所述第一基本上螺旋形导体中的第一变化电流而在所述TSV中诱发磁场的变化，且其中所述第二基本上螺旋形导体经配置以响应于TSV的所述部分中的所述磁场的所述变化而在其中诱发第二变化电流。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一裸片进一步包含：
第二TSV，其至少基本上延伸穿过所述第一裸片，所述第二TSV具有延伸超过所述第一表面的部分，及
第三基本上螺旋形导体，其围绕所述第二TSV安置；且
其中所述第二裸片进一步包含：
第二开口，其位于所述第二表面中，所述第二TSV的所述部分经安置在所述第二开口中，及
第四基本上螺旋形导体，其围绕所述第二开口安置。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述TSV包括铁磁材料或亚铁磁材料。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基本上螺旋形导体包括围绕所述TSV的与所述第二基本上螺旋形导体不同的数目的匹。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基本上螺旋形导体及所述第二基本上螺旋形导体包括围绕所述TSV的相同数目的匹。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基本上螺旋形导体及所述第二基本上螺旋形导体与所述TSV同轴对准。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基本上螺旋形导体包括围绕所述TSV的一个以上匝，且所述第二基本上螺旋形导体包括围绕所述TSV的一个以上匝。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基本上螺旋形导体及所述第二基本上螺旋形导体彼此电隔离且与所述TSV电隔离。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一基本上螺旋形导体及所述第二基本上螺旋形导体中的一者电连接到电源供应器，且所述第一基本上螺旋形导体及所述第二基本上螺旋形导体中的另一者电连接到负载。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一表面是所述第一裸片的衬底材料的下表面。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一表面是所述第一裸片的上表面，所述上表面位于所述第一基本上螺旋形导体中的与所述第一裸片的衬底材料相对的侧上。
13.一种半导体装置，其包括：
第一裸片，其包含：
第一顶部表面及第一底部表面，
贯穿衬底通孔TSV，其至少基本上延伸穿过所述第一裸片，所述TSV具有延伸超过所述第一顶部表面的顶部部分及延伸超过所述第一底部表面的底部部分，及
第一基本上螺旋形导体，其围绕所述TSV安置；
第二裸片，其包含：
第二顶部表面，其具有开口，所述TSV的所述底...
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